Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диодСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Создадим контакт из двух полупроводников, один из которых p-типа, а другой n-типа, как это изображено на рис.14.3 Такой контакт называют электронно-дырочным переходом, или p-n переходом. Рис. 14.3 Предположим для удобства рассмотрения, что контакт создан приведением в соприкосновение двух образцов полупроводника: p и n типа. В первый момент обе части созданного перехода будут электрически нейтральны. В материале p-типа имеются свободные дырки, причем их концентрация равна концентрации отрицательно ионизированных примесных акцепторных атомов. В материале n-типа, справа от перехода, имеются свободные электроны. Их концентрация равна концентрации положительно заряженных примесных донорных атомов. Кроме примесных носителей в полупроводнике всегда присутствует некоторое количество собственных носителей. Их концентрация при комнатной температуре мала по сравнению с концентрацией примесных носителей, поэтому их называют неосновными носителями. Таким образом, в p-области концентрация дырок велика, а в n-области мала. С электронами дело обстоит наоборот, их концентрация велика в n-области, а в p-области мала. За счет различия концентраций возникают диффузионные потоки (см. Ч. 4, лекция N 6, § 3). Дырки из p-области будут двигаться в n-область, одновременно электроны из n-области будут диффундировать в область p. Возникшие потоки зарядов приведут к нарушению электрической нейтральности. В p-области останутся нескомпенсированные отрицательно заряженные ионы акцепторных атомов. В n-области будет избыток положительно заряженных ионов донорных атомов. В результате образуется двойной слой разноименных зарядов, которые создадут электрическое поле, направленное от n-области к p-области, как это изображено на рисунке 14.4. Рис. 14.4 Возникшее поле будет препятствовать диффузионным потокам. Установится равновесное распределение носителей в области p-n перехода. В области двойного электрического слоя электроны и дырки, двигаясь навстречу друг другу, рекомбинируют, в результате p-n переход оказывается обедненным носителями, проводимость его становится маленькой. Полупроводниковый диод - прибор, обладающий способностью хорошо пропускать через себя ток одного направления и плохо - противоположного направления. Полупроводниковый диод представляет собой полупроводниковую пластину с двумя областями различной проводимости: электронной (n-типа) и дырочной (p-типа). Между ними возникает p-n переход, который и обладает односторонней проводимостью. Подадим на p-n переход разность потенциалов Δφ (см. рисунок 14.5). На рисунке 14.5а) p-n переход, смещенный в обратном направлении (к области p подан отрицательный потенциал, к n области - положительный), ток через переход почти отсутствует. На рисунке 14.5б) p-n переход смещен в прямом направлении (к области p подан положительный потенциал, к области n - отрицательный), в этом случае ток резко растет с ростом разности потенциалов на p-n переходе. Происходит это по следующим причинам. Рис. 14.5 Если отрицательный полюс источника напряжения соединен с p-областью, а положительный с n-областью (см. рис. 14.5а), то высота потенциального барьера для основных носителей возрастет. Иными словами - усилится электрическое поле, препятствующее движению основных носителей через p-n переход. В этом случае под действием внешнего поля через переход смогут двигаться только неосновные носители (на рис. 14.5а) в n-области изображена дырка, которая может "скатиться" с "потенциальной горки"). Следовательно, через p-n переход при обратном смещении будет течь только слабый ток неосновных носителей. Теперь соединим положительный полюс источника с р-областью, а отрицательный - с n-областью. В этом случае внешнее поле будет направлено в сторону, противоположную полю двойного электрического слоя. Величина потенциального барьера будет меньше, чем при отсутствии внешнего поля. При достаточно большой положительной внешней разности потенциалов барьер превратится в "горку" для основных носителей. Дырки из p-области будут под действием внешнего поля переходить в области n, а электроны из n-области - в область p. Возникает ток основных носителей через p-n переход, он будет экспоненциально возрастать с ростом положительной разности потенциалов. Зависимость тока от напряжения (разности потенциалов) называют вольт-амперной характеристикой для полупроводникового диода. Вольт-амперная характеристика изображена на рисунке 14.6. Рис. 14.6 При отрицательном напряжении течет очень маленький ток неосновных носителей. Если отрицательное напряжение больше чем Uпр - возникает электрический пробой, через переход течет большой отрицательный ток.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-19; просмотров: 1091; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.146.107.152 (0.008 с.) |