![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Генерация и рекомбинация носителей зарядов.Содержание книги
Поиск на нашем сайте
Генерация носителей заряда (образование свободных электронов и дырок) происходит при воздействии теплового хаотического воздействия атомов кристаллической решетки (тепловая генерация), при воздействии поглощенных полупроводником квантов света (световая генерация) и других энергетических факторов. Так как полупроводник всегда находится под воздействием всех этих факторов или хотя бы одного (Т ¹ 0), генерация носителей происходит непрерывно. Одновременно с генерацией в полупроводнике происходит и обратный процесс – рекомбинация носителей заряда (возвращение электрона из зоны проводимости в валентную зону и исчезновение пары носителей заряда). В состоянии термодинамического равновесия процессы генерации и рекомби-нации заряда взаимно уравновешены. При этом в полупроводнике сущест-вует равновесная концентрация электронов n0 и равновесная концентрация дырок p0. При воздействии на полупроводник нетеплового внешнего энерге-тического фактора (света, сильного электрического поля и др.) генерируют-ся новые носители заряда, возникает избыточная (неравновесная) концент-рация ∆n или ∆р. Таким образом:
Механизмы рекомбинации могут быть различны. Межзонная или не-посредственная рекомбинация происходит при переходе свободного элект-рона из зоны проводимости в валентную зону на один из свободных энерге-тических уровней, что соответствует исчезновению пары носителей заряда. Однако такой процесс мало вероятен, так как свободный электрон и дырка должны оказаться одновременно в одном и том же месте кристалла. Кроме того рекомбинация электрона и дырки в этом случае возможна только при одинаковых, но противоположно направленных импульсах электрона и дырки. Рекомбинация с участием рекомбинационных ловушек (более вероят-на) протекает в два этапа. На первом этапе рекомбинационная ловушка (или энергетический уровень рекомбинационной ловушки) захватывает, например, электрон из зоны проводимости. Таким образом, электрон выбывает из зоны электропроводности. В этом состоянии ловушка будет находиться до тех пор, пока к ней не подойдет дырка, или другими словами, пока в данном месте кристалла не окажется свободный энергетический уровень валентной зоны. При выполнении этих условий осуществляется второй этап рекомбинации – электрон перейдет на свободный уровень валентной зоны.
Двухэтапный процесс рекомбинации более вероятен, так как он не требует одновременного присутствия в данном месте кристалла электрона и дырки.
На рис. 3.4.1 схематически изображены механизмы регенерации и ре-комбинации электронов и дырок. Роль рекомбинационных ловушек могут выполнять примесные атомы или ионы, различные включения в кристалле, незаполненные узлы кристал-лической решетки и другие несовершенства объема или поверхности. В связи с тем, что на поверхности кристалла перечисленных дефектов значительно больше, чем в объеме, процесс рекомбинации на поверхности должен идти значительно интенсивнее. Его рассматривают и оценивают обычно отдельно, считая поверхностную рекомбинацию разновидностью рекомбинации с участием рекомбинационных ловушек. В зависимости от того, как расходуется энергия, освобождающаяся при рекомбинации электроны и дырки, рекомбинацию можно подразделить на два вида. · Излучательной рекомбинацией называют рекомбинацию, при которой энергия, освобождающаяся при переходе электрона на более низкий энергетический уровень, излучается в виде кванта света (фотона). · При безызлучательной (фононной) рекомбинации избыточная энер-гия электрона передаётся кристаллической решетке полупроводника, то есть избыточная энергия идет на образование фононов – квантов тепловой энергии. Скорость генерации носителей Vген (как и скорость рекомбинации Vрек) определяется свойствами полупроводника и его температурой. Скорость рекомбинации кроме того, пропорциональна концентрации электронов и дырок, так как чем больше количество носителей, тем вероятнее, что их встреча завершится рекомбинацией. Учитывая, что в установившемся режиме должно существовать динамическое равновесие, получим: Vген = Vрек = r ni pi = r ni2, (3.4.2) где r - множитель, определяемый свойствами полупроводника. Это условие называют условием равновесной концентрации носителей в собственном полупроводнике. При отсутствии внешнего электрического поля электроны и дырки перемещаются в кристалле хаотически. В этом случае ток в полупроводнике не возникает.
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-07; просмотров: 4420; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.129.128.179 (0.008 с.) |