Для направленной кристаллизации расплава лейкосапфира

Кристаллизация расплава корунда, равномерно по всему объему, ведет к произвольной ориентации его доменов, что снижает плотность и спайность последнего, а, следовательно, и его твердость. Неупорядоченная кристаллизация лейкосапфира, наряду с примесями, существенно влияет на его оптические свойства.

Современная микро- и наноэлектроника предъявляют повышенные требования к свойствам лейкосапфира. К ним, помимо выше перечисленных, относятся такие характеристики как диэлектрическая проницаемость, тугоплавкость и др.

Традиционные методы кристаллизации расплава лейкосапфира, в силу выше оговоренного, нуждаются в совершенствовании, в частности в обеспечении направленной кристаллизации и автоматизации технологического процесса с целью обеспечения заданных свойств лейкосапфира для нужд электронной техники.

Известные установки обладают ограниченными точностью и достоверностью результатов контроля технологических параметров, вакуума и температуры, что обусловлено погрешностями вакуумметра и пирометра, из-за изменений во времени пропускной способности, прозрачности, канала оптической связи, визуальным отсчетом результатов контроля технологических параметров человеком-оператором и их сравнением с заданными значениями технологических параметров, и повышенными временными и энергетическими затратами, что обусловлено ручным, человеком-оператором, управлением источником тепловой энергии и электромеханическим приводом лодочки.

Для технологических нужд микро- и наноэлектронной аппаратуры разработана установка направленной кристаллизации расплава сапфира, функциональная схема которой представлена на рис. 5.13.1.

Рис. 5.13.1

Установка содержит вакуумную камеру 1, теплоизолированную камеру 2, вакуумный насос 3, соединенный патрубком 4 с вакуумной камерой 1, вакуумметр 5, источник 6 тепловой энергии, лодочку 7 с шихтой 8 и/или затравкой 9 лейкосапфира, блок 10 электрического питания, блок 11 управления, канал 12 оптической связи, проходящий через стенки теплоизолированной камеры 2 и вакуумной камеры 1 на её внешнюю поверхность и ориентированный максимумом диаграммы направленности на содержимое лодочки 7, электронный пирометр 13, задатчик 14 температуры содержимого лодочки 7, первый элемент 15 сравнения, генератор 16 тактовых импульсов, распределитель 17 импульсов, электромеханический привод 18 лодочки 7, аналого-цифровой преобразователь 19, задатчик 20 глубины вакуума в вакуумной камере 1, второй элемент 21 сравнения и элемент 22 ИЛИ, причем вакуумметр 5 – инверсно-магнитронный, пирометр 13 – электронный радиационный многоканальный, а электромеханический привод 18 выполнен на шаговом двигателе.

Установка направленной кристаллизации расплава лейкосапфира работает следующим образом.

Задатчиками 20 и 14 устанавливаются заданные значения глубины вакуума N ₂₀≡ Р _з в камере 1 и температуры N ₁₄≡ Т _з содержимого лодочки 7, соответственно (здесь знак ≡ – знак пропорциональности). Шихта 8 лейкосапфира загружается в лодочку 7, а лодочка 7 размещается в исходной позиции в теплоизолированной камере 2. После закрытия шлюзов теплоизолированной 2 и вакуумной 1 камер, запуск установки деблокируется. Содержимое выходов задатчиков 14 N ₁₄≡ Т _з и 20 N ₂₀≡ Р _з сравнивается с содержимым выходов пирометра 13 N ₁₃≡ Т (t)и аналого-цифрового преобразователя 19 N ₁₉≡ Р (t), соответственно. При условии N ₁₉< N ₂₀, по сигналу запуска, на силовой вход вакуумного насоса 3, через блок 11 управления, с соответствующего его выхода поступает питание. Вакуумный насос 3 понижает давление в вакуумной камере 1. Давление в вакуумной камере 1 контролируется постоянно, в масштабе реального времени, вакуумметром 5, который способен оценивать давление Р (t) на интервале до 10^{-14 мм рт. ст} . Аналоговое значение глубины вакуума Р (t) в камере 1 преобразуется аналого-цифровым преобразователем 19 в его цифровое значение N ₁₉≡ Р (t). Элемент 21 сравнения на своём выходе генерирует высокий потенциал при Р (t)≤ Р _з, т. е. при N ₁₉≤ N ₂₀, и низкий потенциал при Р > Р_з, т. е. при N ₁₉> N ₂₀, что обеспечивает работу насоса до выполнения условия Р (t)= Р_з и исключает его работу при Р (t)≤ Р_з. Пирометром 13 непрерывно измеряется температура Т (t) содержимого лодочки 7. Пирометр 13 обеспечивает измерение температуры содержимого лодочки 7 по Т (t)= q |(I _{λ1T( t )}– I _{λ2T( t )})/(λ ₁– λ ₂)|, до Т =10¹⁵ º С с точностью не ниже ±20 º С, где: q – коэффициент пропорциональности, λ ₁ и λ ₂ – длина волны излучений регистрируемых пирометром 13, а I _{λ1T( t )} и I _{λ2T( t )} – интенсивности излучений на длинах волн λ₁ и λ₂ соответственно при произвольной температуре Т (t) излучающей поверхности. Инерционность пирометра 13 не превышает 0,001 сек. Содержимое выходов пирометра 13 N ₁₃≡ Т_з и задатчика 14 N ₁₄≡ Т (t) непрерывно сравнивается элементом 15 сравнения. При N ₁₃< N ₁₄ (при Т (t)< Т _з), но при N ₁₉≤ N ₂₀ (при Р (t)≤ Р _з), на выходе элемента 22 ИЛИ устанавливается высокий потенциал, а блок 11 управления, по своему второму выходу, соединяет соответствующий выход блока 10 питания с источником 6 тепловой энергии, содержимое лодочки нагревается, его температура Т (t) повышается. По достижении равенства N ₁₃= N₁₄ (Т (t)= Т _з), на втором выходе элемента 15 сравнения устанавливается высокий потенциал, по переднему фронту которого срабатывает распределитель 17 импульсов и привод 18 лодочки 7. Приводом 18, пошагово с частотой f_{1 6}, определяемой генератором 16, лодочка 7 перемещается до момента наступления неравенства N ₁₃< N ₁₄ (Т (t)< Т _з), а по достижении равенства N ₁₃= N₁₄ (Т (t)= Т _з) привод 18 вновь перемещает лодочку. И так до достижения лодочкой точки её финиша, после чего вакуумный насос 4, источник 6 тепловой энергии и привод 18 лодочки 7, через распределитель 17, элемент 22 ИЛИ и блок 11 управления, соответственно, обесточиваются, а кристалл лейкосапфира 8, после остывания, может быть извлечен из установки.

Таким образом установка направленной кристаллизации расплава сапфира обеспечивает расширение диапазонов технологических параметров, температуры и глубины вакуума, процесса, точности поддержания технологического процесса выращивания кристаллов лейкосапфира при однородности и улучшении их свойств, а также минимизацию временных и энергетических затрат на технологический процесс.