Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Теория диффузного двойного слоя гуи – чапманаСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
В теории Гельмгольца не учитывается, что свойства ДЭС изменяются с концентрацией электролита и его температурой. Гуи (1910) и независимо от него Чапман (1913) попытались связать плотность заряда в ДЭС с составом раствора. Они учли, что помимо электростатических сил, возникающих между металлом и ионами, на ионы также действуют силы теплового молекулярного движения. При наложении этих двух сил ионы в растворе должны распределяться относительно поверхности металла диффузно - с убывающей при удалении от нее объемной плотностью заряда. Гуи и Чапман считали, что ионы можно рассматривать как материальные точки, не имеющие собственного объема, но обладающие зарядом, и что их распределение в поле заряда электрода подчиняется распределению Больцмана (см. рис. 23). Величину удельного поверхностного заряда со стороны раствора находят так же, как плотность заряда ионной атмосферы по первому приближению теории Дебая и Гюккеля. В обоих случаях отправными уравнениями служат уравнения Больцмана и Пуассона. При определении достаточно использовать лишь одну координату – расстояние от поверхности электрода в глубь раствора. Это обстоятельство упрощало задачу и позволяло получить точное решение уравнения Пуассона – Больцмана. Теория Гуи – Чапмана была создана примерно за 10 лет до теории Дебая – Гюккеля и, вероятно, имела большое влияние на развитие последней.
Теория Гуи – Чапмана лучше теории Гельмгольца согласуется с закономерностями электрокинетических явлений. Если предположить, что начиная с некоторого расстояния l 1 ионы уже не связаны прочно с поверхностью электрода при относительном перемещении твердой и жидкой фаз, то соответствующий этому расстоянию потенциал можно считать z-потенциалом (z< Е). При повышении концентрации раствора увеличивается плотность заряда qL, силы притяжения междуповерхностью металла и ионами другого знака заряда растут, а степень диффузности и z-потенциал уменьшаются, что согласуется с опытом. Однако теория не объясняет изменение знака z-потенциала и перезарядку поверхности с изменением состава раствора; знак z-потенциала по этой теории должен быть всегда таким же, как у общего скачка потенциала металл – раствор. Кроме того, теория Гуи – Чапмана оказывается менее удовлетворительной, чем теория Гельмгольца, при использовании ее для количественных расчетов емкости ДЭС: ни ход теоретической кривой дифференциальная емкость – потенциал, ни абсолютные значения емкостей не совпадают с опытными данными (количественный расчет емкости ДЭС приводит к величинам, которые на 7-10 порядков превышают опытные). Такое расхождение связано с тем, что теория Гуи – Чапмана не учитывает собственного объема ионов, которые отождествляются с материальными точками. В результате ничто не препятствует ионам в принятой модели подходить сколь угодно близко к поверхности металла. Таким образом, теория Гуи – Чапмана оправдывается лучше всего там, где теория Гельмгольца оказывается неприложимой, и, наоборот, последняя дает лучшую сходимость с опытом в тех случаях, когда первая дает неверные результаты. Следовательно, строению ДЭС должно отвечать некоторое сочетание моделей, предложенных Гельмгольцем и Гуи – Чапманом. Такое предположение было сделано Штерном (1924) в его адсорбционной теории ДЭС. Адсорбционная теория Штерна Штерн полагал, что ДЭС состоит из двух частей: плотного и диффузного, разделенных плоскостью, называемой плоскостью Гельмгольца. Определенная часть ионов удерживается вблизи поверхности раздела металл – электролит, образуя гельмгольцевскую или конденсированную обкладку двойного слоя; толщина плотного слоя равна радиусу гидратированных ионов (0,3 – 0,4 нм), а его диэлектрическая постоянная значительно ниже, чем в объеме раствора. Это обусловлено довольно жесткой ориентацией диполей растворителя в плотном слое как под действием электрического поля электрода, так и в результате их взаимодействия с металлом. Остальные ионы, входящие в ДЭС, распределяются диффузно с постепенно убывающей плотностью заряда. Для диффузной части ДЭС Штерн, как и Гуи, пренебрег собственными размерами ионов; диэлектрическая постоянная диффузного слоя принималась равной диэлектрической постоянной растворителя в объеме раствора. Кроме того, Штерн высказал мысль, что в плотной части ДЭС ионы удерживаются за счет не только электростатических сил, но и сил специфической адсорбции, то есть силами некулоновского происхождения. Поэтому в растворах, содержащих поверхностно-активные ионы, их число в плотной части ДЭС может превосходить заряд поверхности металла на некоторую величину, зависящую от свойств ионов и заряда металла. По Штерну, следует различать две модели ДЭС, одна из которых относится к растворам поверхностно-инактивных электролитов, другая - к растворам, содержащим специфически адсорбирующиеся ионы (см. рис 24). В адсорбционной теории также сохраняется равенство: - qM = qL = q1 + q2. Плотность заряда со стороны раствора qL состоит из двух частей: плотности заряда в гельмгольцевском слое q1 и плотности заряда в диффузном слое q2 . Величина q2 зависит не от всего скачка потенциала между металлом и раствором, а лишь от той его части, которая приходится на падение потенциала в диффузной области ДЭС. Теория Штерна позволяет определить z-потенциал как падение потенциала в диффузной части ДЭС, где уже потеряна прочная связь между металлом и ионами. При таком определении z-потенциал не должен совпадать с нерстовским потенциалом, как это и наблюдается на опыте. В растворах ПАВ z-потенциал не только не совпадает с общим скачком потенциала, но может отличаться от него и по знаку (см. рис. 24, б). Таким образом, теория Штерна смогла объяснить перезарядку поверхности твердого тела и изменение знака z-потенциала. При бесконечно малой концентрации все заряды в растворе распределены диффузно, и строение ДЭС описывается теорией Гуи – Чапмана. Напротив, в концентрированных растворах строение ДЭС приближается к модели, предложенной Гельмгольцем. В области средних концентраций, где z сравним по величине с RT/F, его зависимость от концентрации можно выразить приближенными уравнениями: z = В - ln с (для положительных величин z), z = В¢ + ln с (для отрицательных значений z).
Теория Штерна дает качественно правильную картину ДЭС. Определение емкости с использованием модели Штерна согласуется с опытом как по величинам емкости, так и по характеру ее зависимости от потенциала электрода и концентрации раствора. Но теория Штерна не свободна от недостатков. К их числу относится невозможность количественного описания емкостных кривых, особенно при удалении от потенциала нулевого заряда.
|
|||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-26; просмотров: 482; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.119.112.208 (0.009 с.) |