Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Исследования полупроводниковСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
С точки зрения электропроводности, все твердые вещества подразделяются на металлы, полупроводники и диэлектрики. Интерес к исследованию электрических свойств полупроводни-ков возник в середине ХIХ в. Еще в 1833 г. М. Фарадей обнару-жил увеличение электропроводности сульфида серебра при по-вышении температуры, что было абсолютно не свойственно ме-таллам. Отдельные ученые, независимо друг от друга, стали изу-чать фотоэлектрические и выпрямляющие свойства некоторых полупроводниковых соединений, подобных сульфиду серебра, сульфиду цинка, селену. В 1873 г. У. Смит описал явление фотопроводимости: при освещении селена его проводимость возрастала. Так был от-крыт "внутренний фотоэффект". В 1887 г. Г. Герц обнаружил внешний фотоэффект в полупроводниках. Поскольку такими "за-мечательными" свойствами ни металлы, ни диэлектрики не обла-дали, сфера исследований свойств полупроводников была значи-тельно расширена. Изучение фотоэлектрического эффекта в полупроводни-ках проводилось в научных центрах всего мира. Французский ученый А.-Э. Беккерель в 1839 г. установил фотовольтарический эффект - возможность генерации напряжения при освещении пе-рехода между электролитом и веществом. Исследования русского физика 1913 г. А. Иоффе доказали квантовую природу фотоэф-фекта и были отмечены премией Петербургской Академии наук. А. Столетов в 1888 г. провел опыты по определению законов "внешнего фотоэффекта" и изобрел фотоэлемент. Эти исследова-ния позволили дать теоретическое и экспериментальное обосно-вание возможности прямого преобразования электрической энер-гии в световую с помощью полупроводников. Воспользовавшись понятием фотона - кванта электромагнитного излучения, А. Эйнштейн в 1905 г. увязал фотоэлектри-ческий эффект с зародившейся квантовой механикой и создал квантовую теорию света. В 1921 г. он получил Нобелевскую премию "за важные физико-математические исследования, осо-бенно за открытие законов фотоэлектрического эффекта". Фундаментальные уравнения Дж. Максвелла, подтвержденные опытами Г. Герца в совокупности с законами "внутрен-него фотоэффекта" и "внешнего фотоэффекта" легли в основу изучения полупроводников. Квантово-механические уравнения Э. Шрёдингера позволили понять большинство процессов, проте-кающих в полупроводниках. Развитие теории продолжил совет-ский физик Л. Ландау, который в 1930 г. на основе гипотезы о свободных электронах создал теорию диамагнитных свойств ме-таллов, и его соотечественник И. Тамм, обосновавший в 1931 г. теорию фотоэффекта в металлах. Эти ученые создали теорию проводимости металлов и полупроводников. В 1930-е гг. сущест-венный вклад в развитие теории полупроводников внесли А.-Х. Вильсон и Н. Мотт в Англии, В. Шоттки в Германии и А. Давы-дов и Я. Френкель в СССР. Полупроводниковые приборы подразделяются на фотоприемники и излучатели. Фотоприемники осуществляют преоб-разование оптических сигналов в электрические. Излучатели преобразуют электрические сигналы в оптические для отображе-ния обработанных данных и представления их в виде, удобном для человека (т.е. биологического зрения), а также для исследо-вания окружающего мира в различных областях оптического спектра. История исследования полупроводников находится в неразрывной связи с физической оптикой, изучающей оптиче-ский диапазон излучения, который подразумевает не только ви-димое, но также ультрафиолетовое, инфракрасное и некоторые другие виды излучения. Создание полупроводниковых излучателей берет начало в 1923 г. Русский радиоинженер О. Лосев в ходе исследования то-чечно-контактных карбидокремниевых детекторов, использую-щихся в радиотехнике, получил слабое зеленовато - голубое свечение при пропускании через них электрического тока. Это открытие, названное "эффектом Лосева", обсуждалось на заседа-нии Русского физического общества, но практического примене-ния не получило в силу крайне малой интенсивности излучения и нестабильности эффекта. Подобное свечение также наблюдал французский физик Дестрио в 1936 г. Явление люминесценции (свечения) было известно давно. Так, считалось, что голубое свечение чистых жидкостей, возни-кающее под воздействием γ - излучения, которое исследовалось еще Ж. и М. Кюри, вызвано люминесценцией. Исследования лю-минесценции были продолжены академиком С. Вавиловым. Он предположил, что свечение жидкостей под воздействием γ-лучей, экспериментально наблюдаемое его учеником П. Черенко-вым, имеет совершенно другую природу. Оно вызвано излучени-ем электронов, движущихся с большими скоростями. "Эффект Черенкова - Вавилова" на основе классической электродинамики в 1937 г. был теоретически обоснован советскими физиками И. Таммом и И. Франком. Из теории следовало, что любая заряжен-ная частица, движущаяся в прозрачной среде, должна излучать свет, если ее скорость превышает фазовую скорость света. Эта работа была удостоена Сталинской премии, а в 1958 г. и Нобе-левской премии уже после смерти С. Вавилова. Понимание процессов, протекающих в полупроводниках, привело к созданию в 1931 г. зонной диаграммы А. Вильсона. Зонная теория полупроводников постулирует, что в твердом теле энергетическое состояние электронов может быть представлено в виде периодической последовательности зон разрешенных и за-прещенных энергий. К разрешенным зонам относятся зона про-водимости и валентная зона. Переход электронов, возбужденных различными способами (разогрев, электрический пробой, осве-щение) на более высокие энергетические уровни, уменьшает со-противление полупроводника. На месте освободившихся элек-тронов образуются дырки, которые могут быть условно пред-ставлены как носители положительного заряда. В зависимости от легирования (введения специальных примесей), существуют по-лупроводники двух типов: n-типа (электронный тип) и p-типа (дырочный тип). Благодаря квантово-механической теории было доказано, что принципиальное отличие электрических свойств полупроводников от металлов определяется энергетической зон-ной диаграммой.
Таким образом, теоретические и экспериментальные ис-следования в физике конца ХIХ - первой трети ХХ вв., открытие законов внутреннего и внешнего фотоэффекта позволили обосно-вать возможность обработки электрических сигналов и преобра-зования световой энергии в электрическую с помощью полупро-водников. Первые электронные приборы На ранних этапах развития электротехники одно из ее на-правлений составляли дуговые и газоразрядные вакуумные лампы накаливания. Начало эпохе электронных приборов положило открытие в 1883 г. американским изобретателем Т. Эдисоном эффекта электронной эмиссии (эффект Эдисона). Многократно пытаясь усовершенствовать лампу А. Лодыгина, созданную в 1873 г. (см. документы №№ 76-77 хрестоматии), Эдисон ввел в вакуумный баллон металлический электрод и обнаружил, что, при приложе-нии положительного напряжения в вакууме между электродом и нитью протекает ток. Этот эффект стал единственным фундамен-тальным открытием великого изобретателя, имеющего более 3000 патентов. В 1904 г., на основе открытия Т. Эдисона, его соотечест-венник Д. Флеминг изобрел диод (2-х электродный прибор), ко-торый нашел применение в качестве преобразователя электро-магнитных колебаний (детектора) в радиотелеграфии. В 1906 г. Л. де Форест получил патент на новый прибор - триод. Аналогичный лампе Д. Флеминга, он содержал важное новшество - управляющую сетку между нитью накала и анодом. Диод и триод представляли собой вакуумированный стеклянный баллон, в котором размещены катод и анод, а в триоде - еще одна или несколько сеток, управляющих потоком электронов от катода к аноду (см. документ № 80 хрестоматии). В России подобные газонаполненные лампы были разработаны в 1914 г. Н. Папалек-си, а вакуумные - М. Бонч-Бруевичем в 1916 г. (см. документ № 81 хрестоматии). Появление вакуумных диодов и триодов стало началом развития электровакуумной техники. Таким образом, основу элементной базы вакуумной элек-троники составляли вакуумные лампы: диоды, триоды, выпрям-ляющие, усиливающие и генерирующие электрические сигналы. В электронных системах использовались также резисторы (со-противления), конденсаторы, катушки индуктивности. "Первен-цы" вакуумного приборостроения потребляли большую мощ-ность, имели высокое напряжение питания, большие габаритные размеры и низкую надежность. Тем не менее, именно они стали реальной базой для развития беспроводной связи и радиолока-ции. Радиоэлектроника получила интенсивное развитие благода-ря потребности в средствах связи в годы Первой мировой войны. В основу создания первых полупроводниковых приборов - фоторезисторов - легло явление фотоэффекта. Полупроводни-ковые материалы того времени были плохо очищены, что вызы-вало нестабильность параметров первых фоторезисторов. Науч-ные и практические исследования были сконцентрированы на поиске новых, более чистых полупроводников. Основное место в исследованиях отводилось специальным добавкам (примесям), которые могли кардинально изменить свойства полупроводнико-вых кристаллов. Фоторезисторы нашли применение в качестве детекторов слабых световых сигналов в различных областях оп-тического спектра. В 1930-1940-х гг. проводились активные исследования полупроводников. В этот период были заложены основы твердо-тельной электроники, получившей интенсивное развитие в 1950-е гг. Появление фоторезисторов стало началом развития фото-электроники (оптоэлектроники). Достижения вакуумной фото-электроники и фоторезисторной техники помогли обобщить и сформулировать задачи дальнейшего развития электроники и ее направлений. Предыстория телевидения Начиная с 1870-х гг. развитие электротехники создавало необходимые условия для установления связи на большие рас-стояния. Принципиальная возможность передачи изображений с помощью электрического сигнала (телевидения) появилась после открытия внутреннего фотоэффекта. Первые попытки передачи единичных и неподвижных изображений (чертежи, рисунки и пр.) на расстояние относятся к 1876 г. и связаны с изобретением телефона А.-Г. Беллом. Проекты "электрического видения", ос-нованные на люминесцентных свойствах селена (было известно, что сопротивление селена меняется в зависимости от количества падающей на него световой энергии), одновременно разрабаты-вались в нескольких странах. Но практически они не были реали-зованы из-за отсутствия теоретических исследований и элемент-ной базы. Первым важным для будущего изобретением в области телевидения стал "электрический телескоп", запатентованный в Германии в 1884 г. П. Нипковым. Технологии того времени не позволили создать телевизионную систему, предложенную П. Нипковым. Тем не менее, основные элементы этой оптико-механической системы стали моделью для разработки телевизи-онных систем, приблизивших решение задачи видения на рас-стоянии. В период с 1880-1900 гг. в разных странах было разра-ботано более ста систем передачи изображений, основанных на так называемом "диске Нипкова" (осуществляющем оптико-механическую развертку изображения) и использовании селено-вого фоторезистора для преобразования элементов изображения в электрические сигналы. Механические системы, как предыстория телевидения, могут рассматриваться опосредованно уровню развития техники того времени. Современное телевидение, как полностью элек-тронное, имеет свое происхождение. Первая электронно-лучевая трубка была сконструирована в 1897 г. К.-Ф. Брауном. Первая электронная телесистема, осно-ванная на использовании электронно-лучевой трубки Брауна, была описана (но не создана по тем же причинам, что и система Нипкова) А.-А. Кемпбелом-Свинтоном в 1908 г. Термин "телевидение" ввел К. Перский, преподаватель электротехники Константиновского училища Санкт-Петербурга, в прошлом капитан артиллерии. Русский ученый Б. Розинг - уче-ник Перского, разработал в 1907 г. телевизионную систему, в ко-торой использовал механическую развертку в передающем уст-ройстве и электронно-лучевую трубку Брауна в приемном. Передающая телевизионная трубка (иконоскоп), в кото-рой впервые был использован принцип накопления электриче-ских зарядов в точечных фотоэлементах, была изобретена и за-патентована в 1923 г. в США учеником Б. Розинга В. Зворыки-ным (документ № 82 хрестоматии). Ученый с мировым именем, он по праву заслужил звание "отца телевидения". Изобретение иконоскопа стало поворотным моментом, определившим даль-нейшее развитие телевидения. Начались исследования в области передающих и приемных электронно-лучевых трубок, телевизи-онных передатчиков и приемников, электронных схем развертки. Исследования В. Зворыкина легли в основу создания электрон-ных микроскопов, фотоэлектронных умножителей, электронно-оптических преобразователей, различных приборов медицинской электронной диагностики. В 1930 г. в СССР Л. Кубецкий разра-ботал новый тип фотоприемника - фотоумножитель с фокусиров-кой электронного луча магнитным полем.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-19; просмотров: 496; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.118.162.166 (0.009 с.) |