Разработка модулей памяти на бис ЗУ

При разработке типового модуля памяти выполняется либо наращивание разрядности, либо наращивание емкости, либо (что чаще всего) и то и другое. Это связано с тем, что как правило одна микросхема БИС ЗУ не обеспечивает заданных характеристик модуля памяти. Примеры наращивания указанных параметров модуля приведены на рис. 8.4, 8.5, 8.6.

 

Рис.8.4. Модуль памяти с характеристиками:

 

1. Е_озу= 8 К

2. R_озу= 16

3. БИС ЗУ имеет организацию: 8384х4

 

 

Рис.8.5. Модуль памяти с характеристиками:

 

1. Е_озу= 8 К

2. R_озу= 16

3. БИС ЗУ имеет организацию: 2048х16

 

 

Пример№3

 

 

Рис. 8.6 Модуль памяти с характеристиками:

1. Е_озу= 8 К

2. R_озу= 16

3. БИС ЗУ имеет организацию: 4096х4.

 

Выводы:

1. Если требуется наращивать разрядность, то необходимо развести разряды с шины данных, при этом работают все микросхемы.

2. Если требуется наращивать емкость, то необходимо развести разряды с шины адреса, при этом работает одна из микросхем.

 

Задание для работы на занятии

1. Выбор БИС запоминающих устройств (ЗУ).

2.Разработка структуры модуля ЗУ.

Задание на самоподготовку:

1. Решить по одной задаче в том же порядке и в той же постановке, что и на занятии. Исходные данные задать самостоятельно.

 

Контрольные вопросы

1. Сформулируйте принцип дуализма в микропроцессорной технике.

2. Приведите типовую структуру магистральной МПС.

3. Проанализируйте структуры сосредоточенных МПС по различным крите­риям (производительность, потребляемая мощность, габариты и др).

4. Почему в микропроцессорных РЭС широко используется функциональ­ная децентрализация?

5. Почему в состав МПК БИС включают интерфейсные схемы?

6. Как работают адресные дешифраторы?

7. В чем заключается сущность программно-управляемого обмена данными?

8. Что подразумевается под прерыванием?

9. Объясните особенности организации режима прямого доступа к памяти.

10. Что характеризует слово состояния процессора?

11. Объясните функциональное назначение регистра флажков.

12. Чем вызвано обилие способов адресации микропроцессора?

13. В каких системах используется страничная память?

14. Зачем при программировании пользуются мнемоническими обозначе­ниями и шестнадцатеричным кодом?

15. Объясните назначение сегментных регистров в программной модели микропроцессора.

16. Объясните сущность организации управления в однокристальных и сек­ционных микропроцессорах.

19. Что подразумевается под памятью статической, динамической и па­мятью, не сохраняющей информацию при отключении напряжения питания?

20. Как осуществляется занесение информации в полупроводниковые ПЗУ?

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 8.1

 

Вариант 1. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 2. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 3. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; t_{доступа}≤45нс; p_{потребл.}≤10вт; u_пит=5В.

 

Вариант 4. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 5. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 6. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 7. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 8. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; t_{доступа}≤45нс; p_{потребл.}≤10вт; u_пит=5В.

 

Вариант 9. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 10. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

Вариант 11. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 12. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 13. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; t_{доступа}≤45нс; p_{потребл.}≤10вт; u_пит=5В.

 

Вариант 14. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 15. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 16. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 17. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 18. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 1К х 2; t_{доступа}≤45нс; p_{потребл.}≤10вт; u_пит=5В.

 

Вариант 19. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,25К х 8;t_{доступа}≤40нс;p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

Вариант 20. Обосновать выбор из таблицы ЗУ К155 ИМС для реализации модуля ОЗУ с характеристиками: организация 0,5К х 4; t_{доступа}≤48нс; p_{потребл.}≤16вт; u_пит=5В.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 8.2

 

Таблица характеристик ИМС ЗУ 155 серии

Номер п/п	Тип ИМС ЗУ	Организация	Время доступа tд, нс	Потребляемый ток iпотр, mA	Стоимость Zстоим, рубл.
	К155РУ1	16 х 1
	К155РУ2	16 х 4
	К155РУ5	256 х 1
	К155РП1	4 х 4

 

Литература:

 

Каган Б.М. ЭВМ и системы. стр.42-66.