Составление логической схемы расчета надёжности

Исходные данные для расчета

1.1 Электрическая принципиальная схема элемента «ИЛИ» показана на рис. 1:

 

 

1.2 Перечень элементов электрической принципиальной схемы

Поз.	Наименование	Кол.	Примечание
С1	Конденсатор МБМ-160-0,5мкФ
С2	Конденсатор МБМ-160-0,5мкФ
R1	Резистор МЛТ-0,25-2,4 к ± 10%
R2	Резистор МЛТ-0,25-2,4 к ± 10%
R3	Резистор МЛТ-0,5-5 к ± 10%
R4-R6	Резистор МЛТ-0,5-5 к ± 10%
VT1	Транзистор KT-361B
VT2	Транзистор KT-361B

Таблица 1

 

 

1.3.Условия эксплуатации:

 

а) интенсивность отказов при нормальных условиях

λ_0C=0,07·10^-5 1/ч

λ_0R=0,09·10^-5 1/ч

λ_0VT=0,9·10^-5 1/ч

б) интенсивность отказов при воздействии на элемент давления

λ_p=0,7·10^-6 1/ч

в) интенсивность отказов при воздействии на элемент температурой

λ_t=0,1·10^-6 1/ч

г) интенсивность отказов при воздействии на элемент влажностью

λ_v=0,8·10^-6 1/ч

д) коэффициент нагрузки резисторов K_НR=0,55

е) коэффициент нагрузки конденсаторов K_НC=0,7

ж) коэффициент нагрузки транзисторов K_НVT=0,8

з) время работы схемы (час) t_p=40000час.

Назначение схемы

Элемент «ИЛИ» - микроэлектронное устройство, выполняющее функцию логического сложения.

Составление логической схемы расчета надёжности

3.1. При составлении логической схемы расчёта надёжности учитывают то, что отказ хотя бы одного элемента приводит к отказу всего устройства.

а) При обрыве резисторов (делителей) R1 и R4 не будет задано

смещение на VT1, что нарушит режим работы устройства.

б) При обрыве резисторов (делителей) R2 и R3 не будет задано

смещение на VT2, что нарушит режим работы устройства

в) При обрыве резистора R6 не будет коллекторной нагрузки

транзистора №VT1, что приведет к отказу устройства.

г) При обрыве конденсатора С1 нарушается цепь заряда и разряд

ускоряющей емкости, что приведет к отказу устройства.

д) При обрыве конденсатора С2 нарушается цепь заряда и разряд

ускоряющей емкости, что приведет к отказу устройства.

е) При отказе транзистора VT1 схема откажет и работать не будет.

ё) При отказе транзистора VT2 схема откажет и работать не будет

 

3.2Логическая схема расчета надёжности приведена на рис.2

 

 

 

Рис.2 Логическая схема расчета надёжности

 

Определение основных количественных характеристик надёжности

4.1 Определение интенсивности отказов при заданных условиях эксплуатации.

λ_э=α_pα_tα_νλ₀K_Н , где

 

αpC=λp/λ0=1

αtC=λt/λ0=0,14

ανC=λν/λ0=1,14

K_HC=0,7 -нагрузки элемента

n_C=2 -количество однотипных элементов

λ_эC=1*0,14*1,14*0,07*10^-5*0,7*2=1,6*10^-7 1/час

 

 

α_pR= λp/λr=0,78

α_tR= λt/λr=0,11

α_νR= λν/λr=0,88

K_HR=0,55

n_R=6

λ_эR=0,55*6*0,78*0,11*0,88*0,09*10^-5=2,281*10^-7 1/час

 

 

α_pT=λp/λvt=0,077

α_tT=λt/λvt=0,011

α_νT=λν/λvt=0,089

K_HТ=0,8

n_T=2

λ_эT=0,077*0,011*0,089*0,9*10^-5*0,8*2=1,1*10^-9 1/час

 

4.2 Определение интенсивности отказов всего устройства вычисляется по формуле:

 

λ_изд.= λ_эC+λ_эR+λ_эT

λ_изд.= 1,6*10^-7+2,281*10^-7+1,1*10^-9=3,89*10^-7 1/час

 

4.3 Вероятность безотказной работы определяется по формуле:

 

P(t)=e^{-λизд.*tp}=e^{-3,89*10^-7*40000} =0,984550416,

где t_p=40000 -время работы схемы.

 

4.4 Время наработки на отказ рассчитано по формуле:

 

T_ср.=1/λ_изд.=1/3,8925*10^-7=2,569014*10⁶ часов

 

Вывод

Элемент «ИЛИ» при заданных условиях эксплуатации может работать до появления первого отказа Т_ср.= 2,569014*10⁶ часов с вероятностью безотказной работы

Р(t)=0,984550416, поэтому данная схема пригодна для эксплуатации в расчётных условиях.

 

 

 

Цель работы

Выполнить расчет и компоновку лицевой панели прибора по заданной принципиальной схеме

Исходные данные

2.1.Размеры регулирующих, информационных и гнездовых конструкций РЭА приведены в таблице 1:

Таблица 1

№ вар	Наименование прибора	Габаритные размеры лицевой панели	Размеры, мм
a, мм	b, мм	Перекл. кнопочн	Перем. сопрот.	Тумблер	ЭЛТ	Индик. стрелочн.	Индик. цифров.	Гнездо	Перекл. галетные
	Б7-27			-			-	-		11

 

2.2. Количество регулирующих, информационных и гнездовых конструкций РЭА приведено в таблице 2:

Таблица 2

 

Цель работы

Приобрести теоретические и практические навыки по расчету силового трансформатора.

 

Исходные данные

2.1.напряжение в сети: 220 В

2.2.частота сетевого напряжения: 50 Гц

2.3.диапазон рабочих температур: от 60^oС до+60^oС

2.4.напряжение на вторичной обмотке: 50 В

2.5.напряжение на вторичной обмотке: 15 В

2.6.напряжение на вторичной обмотке: 25 В

2.7.напряжение на вторичной обмотке: 20 В

2.8.ток во вторичной обмотке: 0,1 А

2.9.ток во вторичной обмотке: 0,5 А

2.10.ток во вторичной обмотке: 0,2 А

2.11.ток во вторичной обмотке: 0,9 А

2.12.тип сердечника: ШЛ 10´10

2.13.материал сердечника: Э 3413

2.14.толщина гильзы: D_г=1,5 мм.

2.15.материал межслойной изоляции: ЭН 50

2.16.наружная изоляция: конденсаторная бумага К-120

2.17.тепловое сопротивление катушки: R_тк=15^с/_Вт

2.18.тепловое сопротивление границы магнитопровод - воздух: R_тмв=5 ^с/_Вт

2.19.тепловое сопротивление трансформатора: R_т=17 ^с/_Вт

 

Расчет радиаторов БМА»

Цель работы

Приобрести практические навыки по расчету и составлению эскиза на заданный полупроводниковый прибор (ППП)

 

Радиаторы с односторонним оребрением предназначены для эксплуатации в условиях естественной конвенцией, показан на рис.1.

Рис. 1

 

 

Вакуумным приборам, работающим в штатном режиме, дополнительный отвод тепла не требуется. А вот мощным транзисторам, микросхемам и всяким диодам, которые толком и на баяне играть не умеют и, подобно лампам, рассеивать тепловую мощность путём естественной конвекции не научились - подавай принудительный отвод тепла от кристалла полупроводника. А не подашь, отойдут стройными рядами от мира сего из-за перегрева и последующего разрушения этого самого рабочего кристалла.
Так вот, для обеспечения эффективного отвода тепла от силового элемента и применяют теплоотводы (радиаторы).
Полный расчёт радиатора - вещь кропотливая. Можно воспользоваться грубым расчётом - для рассеивания 1 ватта тепла, выделяемого полупроводниковым прибором, достаточно использовать площадь теплоотвода, равную 30 квадратным сантиметрам.

 

Но лучше воспользоваться специальной программой.

Существует формула для расчёта теплового сопротивления теплоотвода:
Q=(T2-T1)/P-Q1-Q2, где
Т2 - максимальная температура кристалла транзистора по справочнику,
Т1 - максимально допустимая температура в коробке с нашим устройством,
P - рассеиваемая на транзисторе мощность,
Q1 - тепловое сопротивление кристалл-корпус по справочнику,
Q2 - тепловое сопротивление корпус-радиатор.

Эта формула непререкаема и не должна вызывать никаких сомнений.

S - площадь поверхности радиатора, равная удвоенной суммарной площади основания радиатора и всех площадей рёбер радиатора. Почему удвоенной? Потому, что и основание, и все рёбра теплоотвода имеют по две поверхности, которыми и излучают тепло в окружающее пространство.
Q - тепловое сопротивление между радиатором и окружающей средой. Спецификация большинства радиаторов содержит этот параметр.
Q1 - тепловое сопротивление между кристаллом и корпусом силовых элементов обычно приводится в справочнике и обозначается RthJC. Значение этой величины в основном зависит от типа корпуса и у современных транзисторов составляет величину 0,4-1,5 (°С/Вт) или (К/Вт).
Q2 - значение теплового сопротивление корпус-радиатор стремиться к нулю в тех случаях, когда мы прикручиваем транзистор к отполированной поверхности радиатора без изолирующих прокладок, или используем тонкие современные подложки из из оксида алюминия (Al2O3), нитрида алюминия (AlN), или оксида бериллия (BeO). В случае применения слюды значение теплового сопротивления может составлять 0.2-1.5 (°С/Вт), в зависимости от толщины прокладки.
Т2 - максимальная температура кристалла транзистора, обозначается Tjmax и составляет для мощных транзисторов величину 120-175°С.
Т1 - максимально допустимая температура внутри корпуса, в котором находится радиатор, либо максимальная температура окружающей среды, если рёбра радиатора выведены наружу.

Во время работы полупроводникового прибора в его кристалле выделяется мощность, которая приводит к разогреву последнего. Если тепла выделяется больше, чем рассеивается в окружающем пространстве, то температура кристалла будет расти и может превысить максимально допустимую. При этом его структура будет необратимо разрушена.

Следовательно, надежность работы полупроводниковых приборов во многом определяется эффективностью их охлаждения. Наиболее эффективным является конвективный механизм охлаждения, при котором тепло уносит поток газообразного или жидкого теплоносителя, омывающего охлаждаемую поверхность.

Чем больше охлаждаемая поверхность, тем эффективнее охлаждение, и поэтому мощные полупроводниковые приборы нужно устанавливать на металлические радиаторы, имеющие развитую охлаждаемую поверхность. В качестве теплоносителя обычно используется окружающий воздух.

По способу перемещения теплоносителя различают:
- естественную вентиляцию;
- принудительную вентиляцию.

В случае естественной вентиляции перемещение теплоносителя осуществляется за счет тяги, возникающей возле нагретого радиатора. В случае принудительной вентиляции перемещение теплоносителя осуществляется с помощью вентилятора. Во втором случае можно получить большие скорости потока и, соответственно, лучшие условия охлаждения.

Тепловые расчеты можно сильно упростить, если использовать тепловую модель охлаждения (рис. 18.26) Здесь разница между температурой кристалла TJ и температурой среды ТA вызывает тепловой поток, движущийся от кристалла к окружающей среде, через тепловые сопротивления RJC (кристалл - корпус), RCS (корпус - радиатор) и RSA (радиатор - окружающая среда).

Рис 18.26. Тепловая модель охлаждения

Тепловое сопротивление имеет размерность °С/Вт. Суммарное максимальное тепловое сопротивление RJA на участке кристалл - окружающая среда можно найти по формуле:

где РПП - мощность, рассеиваемая на кристалле полупроводникового прибора, Вт.

Тепловое сопротивление RJC и RCS указывается в справочных данных на полупроводниковые приборы. Например, согласно справочным данным, на транзистор IRFP250N, его тепловое сопротивление на участке кристалл- радиатор равно RJC + RCS = 0,7 + 0,24 = 0,94 °С/ Вт.

Это означает, что если на кристалле выделяется мощность 10 Вт, то его температура будет на 9,4 °С больше температуры радиатора.
Тепловое сопротивление радиатора можно найти по формуле:

Предлагаемая ниже методика основана на рекомендациях по выбору алюминиевых радиаторов серии Max Clip System™ фирмы "AAVID THERMALLOY".

На рис. 18.27 приводятся графические зависимости между периметром сечения алюминиевого радиатора и его тепловым сопротивлением для естественного (красная линия) и принудительного (синяя линия) охлаждения воздушным потоком.

По умолчанию считается, что:
- радиатор имеет длину 150 мм;
- разница между температурой радиатора TS и температурой окружающей среды Та равна

- скорость потока принудительного охлаждения равна 2 м/с.

Если условия охлаждения отличаются от принятых по умолчанию, то необходимую поправку можно внести, воспользовавшись графиками на рис. 18.28 - рис. 18.30.

Рис. 18.27. Зависимости между сечением алюминиевого радиатора и его тепловым сопротивлением

Рис. 18.28. Поправочный коэффициент на разницу температуры радиатора и окружающей среды

Рис. 18.29. Поправочный коэффициент на скорость воздушного потока

Рис. 18.30. Поправочный коэффициент на длину радиатора

Для примера рассчитаем радиатор, обеспечивающий охлаждение транзистора ЭРСТ, состоящего из 20-ти транзисторов типа IRFP250N. Расчет радиатора можно вести для одного транзистора, а затем полученный размер увеличить в 20 раз.

Так как на ключевом транзисторе рассеивается суммарная мощность 528 Вт, то на каждом транзисторе IRFP250N рассеивается мощность 528/20 = 26,4 Вт. Радиатор должен обеспечивать максимальную температуру кристалла транзистора не более +110 °С при максимальной температуре окружающей среды +40 °С.

Найдем тепловое сопротивление RJA для одного транзистора IRFP250N:

Теперь найдем тепловое сопротивление радиатора:

Зная максимальную температуру кристалла и тепловое сопротивление на участке кристалл-радиатор, определим максимальную температуру радиатора:

По графику (рис. 18.28) определим поправочный коэффициент Кт на разницу температуры радиатора и окружающей среды:

Для охлаждения радиатора используется вентилятор типа 1,25ЭВ-2,8-6-3270У4, имеющий производительность 280 м3/ч. Чтобы вычислить скорость потока, нужно разделить производительность на сечение воздуховода, продуваемого вентилятором.

Если воздуховод имеет площадь поперечного сечения:

то скорость воздушного потока будет равна:

По графику (рис. 18.29) определим поправочный коэффициент Kv на реальную скорость воздушного потока:

Допустим, что в нашем распоряжении имеется большое количество готовых радиаторов, имеющих периметр сечения 1050 мм и длину 80 мм. По графику (рис. 18.30) определим поправочный коэффициент KL на длину радиатора:

Чтобы найти общую поправку, перемножим все поправочные коэффициенты:

С учетом поправок, радиатор должен обеспечивать тепловое сопротивление:

С помощью графика (рис. 18.27) найдем, что для одного транзистора требуется радиатор с периметром сечения 200 мм. Для группы из 20-ти транзисторов IRFP250N радиатор должен иметь периметр сечения не менее 4000 мм. Так как имеющиеся в распоряжении радиаторы имеют периметр 1050 мм, то придется объединить 4 радиатора.

На диоде ЭРСТ рассеивается меньшая мощность, но из конструктивных соображений для него можно использовать аналогичный радиатор.

Зачастую производители охладителей указывают площадь поверхности радиатора, а не периметр и длину.

Чтобы из предлагаемой методики получить площадь радиатора, достаточно умножить длину радиатора на его периметр SP = 400 • 8 = 3200 см2.

 

Расчет радиаторов РЭС»

Практическая работа №8

 

"Разработка маршрутной карты на сборку на изготовление трансформатора"

 

 

Цель работы

Приобретение навыков по разработке маршрутной карты на

изготовление трансформатора.

 

Введение

 

Магнитные цепи (магнитопроводы) изготовляют из магнитомягких материалов, обладающих. высокой магнитной проницаемостью, минимальной коэрцитивной силой и малыми потерями на гистерезисе. Различают сборные магнитопроводы, набираемые из штампованных платин, ленточные магнитопроводы, изготовляемые навивкой с последующей разрезкой или гибкой набора ленточных пластин, и магнитопроводы из порошковых материалов.

Сборные магнитопроводы, пакеты которых набирают из пластин, применяют в трансформаторах, дросселях фильтров и других электромагнитных элементах. Пластины, как правило, штампуют из электротехнических сталей различных марок.

Ленточные магнитопроводы изготовляют навивкой на оправку или гибкой. В последнем случае ленту разрезают на пластины различной длины, собирают в пакет и спрессовывают на оправке. Ленточные магнитопроводы характеризуются теми же параметрами, что и сборные, и имеют ту же область применения в радиоаппаратуре.

Магнитопроводы из порошковых материалов применяются в высокочастотных катушках индуктивности и т. п. Имеется две группы порошковых материалов: металлические (магнитодиэлектрики) и неметаллические (ферриты). Эти материалы отличаются друг от друга, как по своим свойствам так и по технологии 'изготовления. Первые представляют собой спрессованные с органическими и неорганическими диэлектриками порошки магнитных материалов. Зерна магнитного материала изолированы друг от друга диэлектриком.

Ферриты представляют собой соединения типа МО*Fe₂O₃ (где М -символ любого двухвалентного металла) размолотые в порошок и спрессованные по специальной технологии. Они имеют ряд преимуществ перед магнитодиэлектриками, но не могут полностью заменить эти материалы.

Основные технические требования, предъявляемые к магнитопроводам, зависят от тока, питающего узел или прибор, и от выходных параметров последнего. К этим требованиям относятся: минимальные потери на гистерезис; высокая магнитная проницаемость; минимальные потери на вихревые токи.

Указанные требования обеспечиваются правильным выбором материала, а также рациональной разработкой технологического процесса.

 

 

Контроль

Все этапы технологического процесса изготовления магнитопроводов тщательно контролируют, чтобы получить заданные выходные параметры изделий, в которых используются магнитопроводы.

Качество термообработки, навивки и межвитковой изоляции ленточного сердечника выявляют проверкой его магнитных и электрических параметров. Изготовленные и термически обработаны магнитопроводы должны соответствовать техническим условиям по допустимым потерям мощности (на гистерезис и вихревые токи), по величине заданной индукции В_макс и магнитной проницаемости μ_макс

Для контроля магнитопровода по току холостого хода служит прибор ИПГ-1, с помощью которого производят разбраковку методом сравнения с образцовым магнитопроводом (эталоном). Прибор позволяет производить контроль ленточных магнитопроводов, имеющих внутренний диаметр от 20 до 40 мм, внешний диаметр от 30 до 80 мм и высоту 6,5 мм. Погрешность разбраковки не более 1,5%.

 

 

Задание на разработку маршрутной карты

10.1 Выписать все основных операций в соответствии с вариантом задания из приложения 2

10.2 Изучить техпроцесс изготовления и выписать норму из техпроцесса в маршрутную карту

10.3 Выписать оборудование в соответствие с операцией

Литература

А.Т. Белевцев " Технология производства радиоаппаратуры», Энергия, Москва: 1964г.

 

 

Исходные данные для расчета

1.1 Электрическая принципиальная схема элемента «ИЛИ» показана на рис. 1:

 

 

1.2 Перечень элементов электрической принципиальной схемы

Поз.	Наименование	Кол.	Примечание
С1	Конденсатор МБМ-160-0,5мкФ
С2	Конденсатор МБМ-160-0,5мкФ
R1	Резистор МЛТ-0,25-2,4 к ± 10%
R2	Резистор МЛТ-0,25-2,4 к ± 10%
R3	Резистор МЛТ-0,5-5 к ± 10%
R4-R6	Резистор МЛТ-0,5-5 к ± 10%
VT1	Транзистор KT-361B
VT2	Транзистор KT-361B

Таблица 1

 

 

1.3.Условия эксплуатации:

 

а) интенсивность отказов при нормальных условиях

λ_0C=0,07·10^-5 1/ч

λ_0R=0,09·10^-5 1/ч

λ_0VT=0,9·10^-5 1/ч

б) интенсивность отказов при воздействии на элемент давления

λ_p=0,7·10^-6 1/ч

в) интенсивность отказов при воздействии на элемент температурой

λ_t=0,1·10^-6 1/ч

г) интенсивность отказов при воздействии на элемент влажностью

λ_v=0,8·10^-6 1/ч

д) коэффициент нагрузки резисторов K_НR=0,55

е) коэффициент нагрузки конденсаторов K_НC=0,7

ж) коэффициент нагрузки транзисторов K_НVT=0,8

з) время работы схемы (час) t_p=40000час.

Назначение схемы

Элемент «ИЛИ» - микроэлектронное устройство, выполняющее функцию логического сложения.

Составление логической схемы расчета надёжности

3.1. При составлении логической схемы расчёта надёжности учитывают то, что отказ хотя бы одного элемента приводит к отказу всего устройства.

а) При обрыве резисторов (делителей) R1 и R4 не будет задано

смещение на VT1, что нарушит режим работы устройства.

б) При обрыве резисторов (делителей) R2 и R3 не будет задано

смещение на VT2, что нарушит режим работы устройства

в) При обрыве резистора R6 не будет коллекторной нагрузки

транзистора №VT1, что приведет к отказу устройства.

г) При обрыве конденсатора С1 нарушается цепь заряда и разряд

ускоряющей емкости, что приведет к отказу устройства.

д) При обрыве конденсатора С2 нарушается цепь заряда и разряд

ускоряющей емкости, что приведет к отказу устройства.

е) При отказе транзистора VT1 схема откажет и работать не будет.

ё) При отказе транзистора VT2 схема откажет и работать не будет

 

3.2Логическая схема расчета надёжности приведена на рис.2

 

 

 

Рис.2 Логическая схема расчета надёжности