Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Електричний струм у напівпровідникахСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Порівняння властивостей провідників і напівпровідників. Опір провідників дуже малий, опір діелектриків дуже великий, а опір напівпровідників “середній”. При збільшенні температури опір провідників збільшується, а опір напівпровідників і діелектриків зменшується. При зменшені температури опір провідників зменшується, а діелектриків і напівпровідників збільшується. При Т=00К опір провідників дорівнює нулю. А напівпровідники діелектриками.
3. Чисті (бездомішкові) напівпровідники.
Розглянемо на прикладі кремнію. На зовнішньому рівні атома кремнію є чотири валентні електрони, які приймають участь в ковалентному зв’язку. При низькій температурі всі електрони напівпровідника зв’язані з атомами і опір напівпровідника нескінченно великий і якщо температуру напівпровідника збільшувати, то деякі електрони можуть одержувати надлишкову енергію і можуть відриватися. При відриванні електрони в оболонці напівпровідника залишається вільне місце, яке називають діркою. Оскільки до відривання електрона атом був нейтральним то після відривання електрон стає позитивно зарядженим і її приписують дірці. Сусідні атоми напівпровідників безперервно обмінюються електронами і тому дірку в атомі може заповнити електрон іншого атома, в якого в свою чергу виникає дірка. Отже, вільними носіями зарядів у чистому напівпровіднику є негативні електрони і позитивні дірки. При русі електронів і дірок вони можуть зустрітися і зникнути. Зникнення пари електрон-дірка називається рекомбінацією. В чистому напівпровіднику завжди є порівну електронів і дірок. Провідність чистого напівпровідника називається власною провідністю.
3. Домішкові напівпровідники.
N–типу
Якщо до розплавленого кремнію додати домішку миш’яку то при твердінні в решітці кремнію замість деяких атомів кремнію будуть атоми миш’яку. В атомів миш’яку на зовнішньому рівні 5 валентних електронів. 4 валетні електрони атомів миш’яку при цьому утворюють 4 валентних зв’язки з кремнієм, а 5 електрон буде так погано зв’язаний з атомами миш’яку, що для його відривання потрібно дуже мало енергії, тому при звичайній t0 всі атоми миш’яку будуть іонізовані. Інші електрони будуть зв’язані з решіткою і не можуть переміщатися по напівпровіднику. Тому вільними носіями зарядів в такому напівпровіднику є електрони. Провідність такого напівпровідника називається n-типу (негативного типу). А домішку, що створює таку провідність називають донорною домішкою. Скільки атомів миш’яку внесли в провідник і стільки з’являється вільних електронів у цьому напівпровіднику.
Р–типу
Якщо в розплавлений кремній додати атоми індію в яких є по 3 валентні електро-ни, то цих електронів виста-чить для встановлення кова-лентного зв’язку з трьома сусід-німи атомами кремнію, а в четвертого атома він запозичує 1 елек-трон в одного з атомів Si і перетворюється в негативний іон, а в одного із атомів кремнію вини-кає дірка, яка хаотично рухається по напівпровіднику. Негативні іони індію зв’язані з решіткою і вони не можуть переміщатися по напівпровіднику. Отже вільними носіями зарядів у такому на-півпровіднику будуть тільки позитивні дірки. Провідність такого напівпровідника називається провідністю р-типу (позитивного), а домішку, що створює таку провідність атомів індію називають акцепторною домішкою.
Електронодірковий перехід. р n
Уявимо собі кристал кремнію в якому одна половина має р-область, а друга n-область. Межу в кристалі напівпровідника між p і n областями називають електро-дірковим переходом або p-n преходом. Припустимо, що дві частини напівпровідника, тобто p і n область проведено в стикання тоді почнеться перехід електродів з n області де їх багато в p область де їх мало (цей процес подібний до дифузії) і переміщення дірок в зворотньому напрямі в результаті n область заряджається позитивно, а p область негативно і між областями виникає поле. І встановлюється різниця потенціалів 1В. Через деякий час настане рівновага електронів і дірок тобто скільки електронів прийде з n області в p область, стільки ж і повернуться. В перехідному шарі майже не має рухомих носіїв зарядів, вони не можуть вдержатись в ньому і пролітають крізь нього. В перехідному шарі майже не має рухомих носіїв зарядів, вони не можуть вдержатись в ньому і пролітають крізь нього. В цьому шарі залишаються лише позитивні іони миш’яку в області ОВ і негативні іони індію в області АО в яких зосереджено заряди p і n областей. Збіднений на носіїв зарядів шар АОВ має дуже великий опір і його називають запірним шаром.
Якщо до p-n переходу приєднати джерело так, щоб позитивний полюс батареї був з’єднаний з n-областю, а негативний полюс батареї з р-областю електрони з n-області в початковий момент будуть прямувати до полюса, а дірки з р-області в початковий момент будуть прямувати до мінуса, а тому через p-n перехід не пройде практично жодної зарядженої частинки. Внаслідок цього товщина запірного шару збільшується і через перехід буде проходити малий струм. Прикладена напруга і струм у цьому випадку називають зворотними. Поміняєм полюси батареї. До р-області під’єднаєм позитивний полюс батареї, а до n-області негативний полюс батареї.
Під дією зовнішнього поля дірки з р-області переміщаються у напрямку до n-області. А електрони з n-області переміщаються в напрямку до р-області, але цьому рухові буде заважати внутрішнє поле запірного шару, якщо напругу джерела збільшувати, то настане момент при якому зовнішнє поле буде сильніше за внутрішнє поле. В цей момент запірний шар зникає і через перехід проходить дуже великий струм. Прикладену напругу і струм у цьому випадку називають прямим. Основна властивість діода пропускати струм тільки в одному напрямку, а тому його використовують для перетворення змінного струму в постійний. Позначення на схемі.
|
||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-12-28; просмотров: 386; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.117.154.217 (0.01 с.) |