Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Усилительные каскады на моп – транзисторахСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Усилительные каскады на полевых транзисторах имеют значительно большее входное сопротивление, чем на биполярных транзисторах. Поэтому в настоящее время они получили широкое распространение. В усилительных каскадах применяются полевые транзисторы с управляющим р-n − переходом и МОП-транзисторы с индуцированным и встроенным каналом. Используются три схемы включения транзистора: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ) (рис. 3.19). Они являются аналогами соответствующих усилительных каскадов на биполярных транзисторах: ОЭ, ОК. и ОБ. Рисунок 3.19 − Усилительные каскады на полевых транзисторах
Наибольшее распространение получил усилительный каскад с общим истоком. Он, как и каскад ОЭ, позволяет получить наибольшее усиление по мощности. Схемы усилительных каскадов с общим истоком на МОП-транзисторе со встроенным каналом и на МОП-транзисторе с индуцированным каналом приведены на рис. 3.20, а и рис. 3.20, б соответственно. В схемах усилителей на рисунках 3.19, а и 3.20, а в цепь стока включается нагрузочный резистор RC, на котором выделяется переменная составляющая усиленного напряжения. Рисунок 3.20 − Схемы усилительных каскадов с общим истоком на МОП-транзисторе
Резистор RЗ фиксирует потенциал затвора в режиме покоя на нулевом уровне. Выбор исходного режима транзистора обеспечивается резистором RИ. В режиме покоя напряжение UЗИ = − IИRИ отрицательно относительно затвора. Кроме того, резистор RИ создает отрицательную обратную связь по току и стабилизирует режим транзистора. Конденсатор СИ большой емкости шунтирует резистор RИ по переменному току, исключая отрицательную обратную связь для переменного сигнала в области высоких частот. В каскаде на рис. 3.20, б в качестве нагрузки RС в цепи стока транзистора Т 1используется транзистор Т 2, включенный в режиме двухполюсника. Для отпирания транзистора Т 1 в исходном режиме на его затвор с помощью делителя R’З,R”З подается положительное напряжение
. (3.79)
Режим транзистора в каскадах на рис.3.19, а и рис. 3.20, а можно задать без резистора RИ В каскаде на рис. 3.20, а МОП-транзистор со встроенным каналом открыт при UЗИ =0, а в каскаде на рис. 3.20, б транзистор T 1 открыт напряжением с делителя R’З, R”З. Поэтому исток может соединяться с общей шиной. Однако и в этих каскадах, как правило, включается резистор RИ для стабилизации режима транзистора. Конденсаторы CР1 и СР2 являются разделительными и выполняют те же функции, что и в усилительных каскадах на биполярных транзисторах. Ток стока IC является функцией напряжений UЗИ и UСИ. Вычислив приращение тока стока
, (3.80)
заменив приращения переменными составляющими (∆ IC = iС, ∆ UЗИ = UЗИ = UВХ, ∆ UСИ = UВЫХ) и учитывая, что
и (3.81) получим , (3.82) где S − крутизна, a Ri − выходное сопротивление транзистора. Переменную составляющую выходного напряжения можно определить из выходной цепи каскадов (рис. 3.19, а, 3.20, а)
. (3.83)
Знак «−» в выражении (3.83) показывает, что с увеличением тока iС выходное напряжение уменьшается. Решая совместно (3.82) и (3.83), находят выходное напряжение
. (3.84)
На рис. 3.21 приведена эквивалентная схема выходной цепи усилительного каскада, соответствующая выражению (3.84).
Рисунок 3.21 – Эквивалентная схема выходной цепи усилительного каскада
Из последнего выражения получается коэффициент усиления
. (3.85)
Знак «−» в выражении (3.85) указывает на изменение полярности усиливаемого сигнала. Выходное сопротивление Ri современных полевых транзисторов составляет 104−105 Ом и на практике выполняется неравенство
Ri >> RC (3.86)
С учетом этого коэффициент усиления определяется приближенной формулой . (3.87)
Следует заметить, что крутизна транзистора S не является постоянной, а нарастает приблизительно линейно с ростом напряжения UЗИ (ток IС является квадратичной функцией напряжения UЗИ). Поэтому соотношения (3.85), (3.87) справедливы только для заданной рабочей точки при усилении малых сигналов. Входное сопротивление усилительных каскадов определяется сопротивлением RЗ, так как входное сопротивление полевых транзисторов между затвором и истокам имеет порядок 105 Ом, а сопротивление RЗ = 104−106 Ом, т. е. RВХ ≈ RЗ. Для каскада на рис. 3.20, б
. (3.88)
Выходное сопротивление при выполнении неравенства (3.88) определяется сопротивлением RC . (3.89)
В усилителе на рис. 3.20, б нагрузкой транзистора T 1является выходное сопротивление Ri2 транзистора T 2 (сопротивление между стоком и истоком при UЗИ = UСИ).Оно выражается приближенным соотношением Ri2, ≈ 1/S2, где S2 − крутизна транзистора Т 2 при UЗИ = UСИ. Тогда с учетом (3.89) коэффициент усиления
. (3.90)
Для получения Ки >1 необходимо, чтобы S1>S2. Поскольку крутизна МОП-транзистора определяется отношением ширины канала Z к его длине L, можно заключить, что усиление сигнала в каскаде на рис. 3.20, б возможно лишь тогда, когда нагрузочный транзистор Т 2 имеет значительно более узкий и более длинный канал, чем транзистор Т 1. Коэффициент усиления усилительных каскадов на МОП-транзисторах не превышает нескольких единиц. Частотные характеристики усилительных каскадов в области низких частот определяются емкостью разделительного конденсатора СP 1 при условии, что конденсатор СР 2 отнесен к последующему каскаду и сопротивлением RЗ, т. е. постоянной времени τН = CpRЗ. Нижняя граничная частота ω = 1 /τН. В области высоких частот характеристики определяются паразитными емкостями транзистора (СЗИ, ССИ, ССЗ, ССП) и нагрузки СН. Суммарная паразитная емкость выходной цепи усилительного каскада Со=ССИ + ССП + СН, постоянная времени τВ = С0RC, а верхняя граничная частота ω = 1 /τВ. Наряду с усилительными каскадами с общим истоком в электронных устройствах применяют усилительный каскад с общим стоком (ОС), который является аналогом эмиттерного повторителя и называется истоковым повторителем (рис. 3.19, б) В этом каскаде нагрузочный резистор RИ включен в цепь истока, а по переменным составляющим через источник ЕС соединен с общей шиной. Если сопротивление резистора RИ удовлетворяет неравенству RИ << Ri, то коэффициент передачи напряжения и выходное сопротивление определяются приближенными формулами:
. (3.91)
Входное сопротивление определяется резистором RЗ т. е. RВХ = RЗ. Истоковый повторитель имеет большое входное и малое выходное сопротивления, не меняет полярность входного сигнала, его коэффициент передачи близок к единице. Усилительный каскад с общим затвором (рис. 3.19, в) является аналогом каскада ОБ и применяется тогда, когда надо снизить уровень шумов, создаваемых затвором, а также в составе каскадного усилителя.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-01; просмотров: 155; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.145.72.55 (0.006 с.) |