Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная проводимости полупроводников.Содержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Полупроводники — это вещества, удельное сопротивление которых убывает с повышением температуры, наличия примесей, изменения освещенности. По этим свойствам они разительно отличаются от металлов. Обычно к полупроводникам относятся кристаллы, в которых для освобождения электрона требуется энергия не более 1,5 — 2 эВ. Типичными полупроводниками являются кристаллы германия и кремния, в которых атомы объединены ковалентной связью. Природа этой связи позволяет объяснить указанные выше характерные свойства. При нагревании полупроводников их атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены соседними атомами, так как все их валентные связи насыщены. Свободные электроны под действием внешнего электрического поля могут перемещаться в кристалле, создавая ток проводимости. Удаление электрона с внешней оболочки одного из атомов в кристаллической решетке приводит к образованию положительного иона. Этот ион может нейтрализоваться, захватив электрон. Далее, в результате пере- ходов от атомов к положительным ионам происходит процесс хаотического перемещения в кристалле места с недостающим электроном. Внешне этот процесс хаотического перемещения воспринимается как перемещение положительного заряда, называемого «дыркой». При помещении кристалла в электрическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — ток дырочной проводимости. В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. При повышении температуры (или освещенности) собственная проводимость проводников увеличивается. На проводимость полупроводников большое влияние оказывают примеси. Примеси бывают до-норные и акцепторные. Донорная примесь — это примесь с большей валентностью. При добавлении донорной примеси в полупроводнике образуются лишние электроны. Проводимость станет электронной, а полупроводник называют полупроводником n-типа. Например, для кремния с валентностью п = 4 донорной примесью является мышьяк с валентностью п = 5. Каждый атом примеси мышьяка приведет к образованию одного электрона проводимости. Акцепторная примесь — это примесь с меньшей валентностью. При добавлении такой примеси в полупроводнике образуется лишнее количество «дырок». Проводимость будет «дырочной», а полупроводник называют полупроводником p-типа. Например, для кремния акцепторной примесью является индий с валентностью n = 3. Каждый атом индия приведет к образованию лишней «дырки». Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на свойствах р-п перехода. При приведении в контакт двух полупроводниковых приборов р-типа и n-типа в месте контакта начинается диффузия электронов из n-области в p-область, а «дырок» — наоборот, из р- в n-область. Этот процесс будет не бесконечный во времени, так как образуется запирающий слой, который будет препятствовать дальнейшей диффузии электронов и «дырок». р-п контакт полупроводников, подобно вакуумному диоду, обладает односторонней проводимостью: если к р-области подключить «+» источника тока, а к n-области «-» источника тока, то запирающий слой разрушится и р-п контакт будет проводить ток, электроны из области n- пойдут в р-область, а «дырки» из p-области в n-область (рис. 23). В первом случае ток не равен нулю, во втором ток равен нулю. Т. е., если к p-области подключить «-» источника, а к n-области — «+» источника тока, то запирающий слой расширится и тока не будет. Полупроводниковый диод состоит из контакта двух полупроводников р- и n-типа. Достоинством полупроводникового диода являются малые размеры и масса, длительный срок службы, высокая механическая прочность, высокий коэффициент полезного действия, а недостатком — зависимость их сопротивления от температуры. В радиоэлектронике применяется также еще один полупроводниковый прибор: транзистор, который был изобретен в 1948 г. В основе триода лежит не один, а два р-п перехода. Основное применение транзистора — это использование его в качестве усилителя слабых сигналов по току и напряжению, а полупроводниковый диод применяется в качестве выпрямителя тока. После открытия транзистора наступил качественно новый этап развития электроники — микроэлектроники, поднявший на качественно иную ступень развитие электронной техники, систем связи, автоматики. Микроэлектроника занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения. Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа взаимосвязанных компонентов — транзисторов, диодов, резисторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе. В результате этого процесса на одном кристалле одновременно создается несколько тысяч транзисторов, конденсаторов, резисторов и диодов, до 3500. Размеры отдельных элементов микросхемы могут быть 2—5 мкм, погрешность при их нанесении не должна превышать 0,2 мкм. Микропроцессор современной ЭВМ, размещенный на кристалле кремния размером 6х6 мм, содержит несколько десятков или даже сотен тысяч транзисторов. Однако в технике применяются также полупроводниковые приборы без р-п перехода. Например, терморезисторы (для измерения температуры), фоторезисторы (в фотореле, аварийных выключателях, в дистанционных управлениях телевизорами и видеомагнитофонами). Билет № 25 1. Ядерные реакции. Цепные ядерные реакции. Ядерный реактор. Ядерными реакциями называют превращения атомных ядер при взаимодействии их между собой, с элементарными частицами (например, протонами, нейтронами или электронами) и квантами g-излучения. Для ядерной реакции необходимо, чтобы участвующие в ней ядра или частицы подошли друг к другу на расстояние, сравнимое с размером ядра (10-15 м). Нейтроны, даже не обладая большой скоростью, могут подойти к самому ядру, т.к. они электронейтральны. Наоборот, положительно заряженные частицы должны изначально обладать большой кинетической энергией, чтобы оказаться так близко к положительно заряженному ядру. Источниками таких высокоэнергетичных частиц могут быть радиоактивные препараты и ускорители заряженных частиц. В лабораторных условиях ядерная реакция впервые была проведена Резерфордом, когда он бомбардировал ядра азота a-частицами, в результате чего эти ядра превращались в ядра кислорода, что можно записать в виде: . Ядерные реакции могут происходить как с поглощением, так и с выделением энергии. Энергию, освобождающуюся или поглощаемую при ядерной реакции, называют энергетическим выходом ядерной реакции. Согласно закону сохранения энергии и теории относительности, устанавливающей связь между массой покоящегося ядра и его энергией, энергетический выход DЕ ядерной реакции равен: DЕ = Dmc2, (39.1) где Dm – разность между суммарной массой частиц и ядер, вступающих в реакцию и продуктов реакции. Если Dm >0, то ядерная реакция проходит с выделением энергии, а если Dm <0, то - с поглощением. Примером ядерной реакции, идущей с выделением энергии, является деление ядер изотопа урана при облучении их «медленными» нейтронами, т.е. с кинетической энергией порядка 0,1 МэВ. Такую ядерную реакцию с образованием ядер ксенона и стронция можно записать в виде: Используя формулу (39.1), можно вычислить, что энергетический выход реакции (39.2) составляет около 184 МэВ. Таким образом, при делении всех ядер, содержащихся в 1 г этого изотопа урана, выделится энергия около 7,5.1010 Дж, что эквивалентно энергии, получаемой при сжигании 2,5 тонн угля. Выделение такой огромной энергии при делении атомных ядер с массовым числом около 200 связано с тем, что удельная энергия связи этих ядер примерно на 1 МэВ меньше удельной энергии связи ядер с массовым около 100 (см. рис. 37). Механизм деления тяжелого ядра под действием нейтрона можно объяснить, считая ядро капелькой заряженной жидкости (рис. 39а). В отсутствии внешних воздействий ядерные сил притяжения удерживают ядро от распада, придавая ему сферическую форму. Однако, поглотив нейтрон, ядро деформируется, принимая продолговатую форму, и сразу «короткодействующие» ядерные силы притяжения между областями R и L (см. рис. 39а) становятся меньше кулоновских сил их отталкивания, в результате чего ядро разрывается на две части. Нейтроны, как показывает уравнение деления ядра (39.2), не только вызывают эту реакцию, но и являются её продуктами. А это значит, что любой из двух образовавшихся вторичных нейтронов или нейтронов 2-го поколения (рис. 39б) может вызвать деление соседних ядер , при делении которых возникнут нейтроны 3-го поколения и т.д., в результате чего число делящихся ядер очень быстро увеличивается. Ядерные реакции, в которых частицы, вызывающие их, образуются как продукты этих реакций, называют цепными ядерными реакциями.
Рис. 39. (а) – различные моменты деления ядра (сверху-вниз, капельная модель); (б) – схема цепной ядерной реакции (слева-направо). При коэффициенте размножения нейтронов близким к единице, цепная ядерная реакция становится управляемой, а энергию, освобождающуюся в этой реакции, можно использовать для получения электрической энергии При делении каждого ядра урана освобождается огромная энергия. Эта цепная реакция будет протекать и являться источником энергии до тех пор, пока число порождаемых ею нейтронов не начнёт уменьшаться. Отношение числа нейтронов в одном каком-либо поколении цепной реакции к числу нейтронов предшествующего поколения называют коэффициентом размножения нейтронов, k. Если k > 1, то число делящихся ядер урана лавинообразно возрастает, температура урана и других близлежащих веществ резко увеличивается, достигая миллионов градусов, в результате чего образуется раскалённый газообразный шар, который, расширяясь, всё сжигает и разрушает вокруг. Это явление называют ядерным взрывом. Для осуществления ядерных взрывов изготовляют атомные бомбы. Первые атомные бомбы были сделаны в США и применены в 1945 году, когда их взрывы уничтожили японские города Хиросима и Нагасаки. Если коэффициент размножения нейтронов равен 1, то число делящихся ядер урана остаётся постоянным, а значит, энергия, освобождаемая в единицу времени, при этой реакции тоже постоянна, и ядерного взрыва не происходит. Такую цепную реакцию называют управляемой, а устройство, в котором она осуществляется - ядерным реактором. Ядерный реактор позволяет использовать цепную реакцию деления тяжёлых ядер в мирных целях. Рассмотрим работу ядерного реактора на медленных нейтронах, предназначенного для ядер , которые гораздо эффективнее делятся под действием, именно, медленных нейтронов. Энергия у большинства нейтронов, образовавшихся при делении ядер урана, составляет 1-2 МэВ, что гораздо больше, чем должно быть у медленных нейтронов. Поэтому, чтобы цепная реакция протекала, образующиеся при реакции нейтроны замедляют с помощью специальных веществ, называемых замедлителями. Хорошими замедлителями являются ядра атомов с малым массовым числом, не способные поглощать нейтроны. В качестве замедлителей в ядерном реакторе используют обычную воду, тяжёлую воду (D2O) и графит. Чтобы коэффициент размножения нейтронов в ядерном реакторе был близок к единице, используют поглотители - специальные вещества, поглощающие лишние нейтроны. В качестве поглотителей обычно применяют стержни, сделанные из соединений бора и кадмия. Устройство ядерного реактора на медленных нейтронах, приводящего в движение турбину и электрогенератор атомной электростанции, показано на рис. 40. Управляемая цепная ядерная реакция протекает в активной зоне 1 реактора, заполненной замедлителем и ядерным горючим. Чтобы увеличить коэффициент отражения нейтронов, активную зону окружают отражателем нейтронов 2. Изменяя глубину погружения регулирующих стержней 3, сделанных из поглотителя нейтронов, поддерживают коэффициент размножения нейтронов, близким к единице. Защитой от радиоактивности, мощным источником которой является ядерный реактор, служит толстая оболочка из железобетона 4. Отвод энергии, образующейся при ядерной реакции, осуществляется путём циркуляции теплоносителя 5 (воды или металла с низкой температурой плавления) между активной зоной и парогенератором 6. В парогенераторе эта энергия превращает воду в пар высокого давления 7, который затем вращает турбину 8 и электрогенератор 9. Из турбины пар поступает в конденсатор К, где превращается в воду, которую насос Н закачивают обратно в парогенератор. Первая в мире атомная электростанция была построена в г. Обнинске (СССР) в 1954 г. Разработка и конструирование ядерных реакторов было проведено под руководством советского физика И.В. Курчатова. Вопросы для повторения: Что называют коэффициентом размножения нейтронов? Какую цепную ядерную реакцию называют управляемой, и где она идёт? Что называют замедлителями и поглотителями нейтронов? Опишите устройство и работу реактора на медленных нейтронах.
Рис. 40. Схема устройства ядерного реактора атомной электростанции.
Билет № 26
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-06-22; просмотров: 492; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.118.195.30 (0.008 с.) |