Полупроводниковые светодиоды

 

Для достижения генерации лазера любого типа (полупроводниковых, газовых, жидкостных и твердотельных) необходимо выполнение трёх основных требований: 1) осуществление возбуждения или накачки электронов с нижнего уровня на верхний; 2) наличие большого числа инвертированных электронов или создание инверсной заселённости для того, чтобы интенсивность стимулированного излучения превышала потери; 3) наличие резонатора для обеспечения положительной обратной связи и квантового усиления.

В отличие от лазеров других типов, в полупроводниковых лазерах используются излучательные переходы между разрешёнными энергетическими зонами, а не между дискретными энергетическими уровнями энергии. В основном, инверсная населённость создаётся с помощью инжекции через p-n переход неравновесных носителей тока, путём приложения внешнего напряжения в прямом направлении.

На рис.2.1. представлено положение уровня Ферми в собственном и примесном полупроводниках. Одно из важных свойств уровня Ферми заключается в том, что в системе, состоящей из полупроводников n- и p-типа и если к ним не приложено напряжение, уровни Ферми (Fn и Fp) у них выравниваются (рис.2.4.а). А если они находятся под разными потенциалами, то уровни Ферми в них сдвигаются на величину разности потенциалов (рис.2.4.б).

 

 

Рис. 2.4. Энергетическая диаграмма инжекционного полупроводникового лазера. а – p-n переход без приложенного внешнего напряжения, б - p-n переход при приложении внешнего напряжения в прямом направлении, d – ширина p-n перехода, l – реальная ширина области, обеспечивающей работу лазера

 

Рис. 2.5. Поперечный разрез светоизлучающего диода (а) и образцы светодиодов синего, зелёного и красного цвета

 

В этом случае в зоне p-n перехода создаётся инверсная заселённость и электроны совершают переход из зоны проводимости в валентную зону (рекомбинируют с дырками). При этом испускаются фотоны с энергией h w. hw.энергией фотоны По такому принципу работает светодиод (Рис. 2.5).

Но если для этих фотонов создать обратную связь в виде оптического резонатора, то в области p-n перехода при больших значениях внешнего приложенного напряжения можно получить лазерную генерацию. При этомбинируют с с дырками).д из зоны проводимости в зонуних сдвигаются на величину разности потенциалова, уровень Фетми один и тот же. ме, состоящей из нескоьлекторонов в валентной зоне) и малых значениях внешнего приложенного напряжения процесс образования и рекомбинации неравновесных носителей происходит хаотично и излучение обладает малой мощностью и является некогерентным и немонохроматическим. Это соответствует светодиодному режиму работы полупроводникового лазера. При увеличении тока выше некоторого порогового значения излучение становится когерентным, его спектральная ширина сильно сужается, а интенсивность резко возрастает – начинается лазерный режим работы полупроводникового лазера. При этом также увеличивается степень линейной поляризации генерируемого излучения.

На рис.2.6 схематично представлена конструкция полупроводникового лазера и распределение интенсивности выходного излучения. Как правило, в таком лазере резонатор создаётся полировкой двух диаметрально противоположных сторон кристалла, перпендикулярных плоскости p-n перехода. Эти плоскости делаются параллельными и полируются с высокой степенью точности. Выходную поверхность можно рассматривать как щель, через которое проходит излучение, и угловая расходимость излучения лазера определяется дифракцией излучения на этой щели. При толщине p-n перехода в 20 мкм и ширине – 120 мкм, угловая расходимость соответствует приблизительно 6⁰ в плоскости XZ и 1⁰ – в плоскости YZ.

 

Рис. 2.6. Принципиальная схема лазера на p-n-переходе. 1-область p-n-перехода (активный слой); 2-сечение лазерного пучка в плоскости Х-Y