Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Параметры и свойства оптических материалов
Для управления оптическими сигналами используется изменение оптических свойств среды, в которой распространяется этот сигнал. В данном разделе приведены основные параметры, характеризующие оптические свойства среды. Диэлектрическая проницаемость (ε)характеризует реакцию среды на воздействие электрической компоненты электромагнитной волны: D = ε E здесь D – вектор электрического смещения в среде; Е – вектор электрического поля. При наличии в среде поглощения, диэлектрическая проницаемость является комплексной величиной: ε = ε’ + i·ε’’ Связь между действительной и мнимой частями диэлектрической проницаемости описывается соотношениями Крамерса-Кронига: здесь ω – круговая частота излучения. Оптические свойства анизотропных сред описываются тензором диэлектрической проницаемости. Магнитная проницаемость (μ)характеризует реакцию среды на воздействие магнитной компоненты электромагнитной волны: В = μ Н здесь В – магнитная индукция; Н – вектор магнитного поля. Показатель преломления (n) характеризует скорость распространения электромагнитной волны в среде: n = c / v здесь с – скорость электромагнитной волны в вакууме; v – скорость электромагнитной волны в среде. Коэффициент поглощения (α) определяет потери излучения в среде за счет поглощения: I = I 0·exp(-α· d) здесь I 0 – интенсивность падающего излучения; I – интенсивность излучения, прошедшего через слой среды, толщиной d. Оптические свойства поглощающих сред удобно описывать с помощью комплексного показателя преломления (n *): n * = n - i · k. Параметр k также называется коэффициентом поглощения и связан с a следующим выражением: α = 4π k /λ здесь λ – длина волны излучения. Связь диэлектрической проницаемости среды с показателем преломления и коэффициентом поглощения задается следующим выражением: ε = n 2 – k 2 + i ·2 nk. При наличии в среде рассеивающих центров происходит уменьшение интенсивности прошедшего излучения за счет светорассеяния. Для описания таких сред вводится коэффициент экстинкции (α*), характеризующий потери излучения как за счет поглощения, так и за счет рассеяния: α* = α + σ· N здесь σ – сечение рассеяния излучения на рассеивающем центре; N – концентрация рассеивающих центров в среде.
Оптические свойства многих сред зависят от интенсивности излучения, то есть обладают нелинейно-оптическими свойствами. Нелинейно-оптические свойства описываются с помощью восприимчивости среды (χ (j)): P = χ(1)· E + χ(2)· E 2+ χ(3)· E 3 + … здесь P – вектор поляризации среды. Линейная восприимчивость среды χ(1) связана с диэлектрической проницаемостью соотношением: ε = 1 + 4π·χ(1) Восприимчивости с j > 1 называются нелинейным восприимчивостями среды. Для описания нелинейно-оптических свойств среды используются также нелинейный показатель преломления (Δ n) и нелинейный коэффициент поглощения (Δ k), зависящие от интенсивности излучения I. Оптические характеристики среды, в этом случае, описываются следующим образом: n = n 0 + Δ n (I), k = k 0 + Δ k (I), здесь n 0 и k 0 - линейный показатель преломления и линейный коэффициент поглощения соответственно. Величины Δ n (I) и Δ k (I) могут быть как положительными, так и отрицательными. Механизмы поглощения оптического излучения в полупроводниках
Для понимания работы полупроводниковых лазеров необходимо рассмотреть механизмы поглощения оптического излучения. Межзонное поглощение. Характерная особенность полупроводников — возрастание на несколько порядков коэффициента поглощения в малом спектральном интервале. Полупроводники, не содержащие примесей, более или менее прозрачны для фотонов, энергия которых меньше ширины запрещенной зоны. Например, в германии коэффициент поглощения в этой области может быть меньше 0,1 см-1. Однако, когда энергия фотонов приближается к ширине запрещенной зоны, значение коэффициента поглощения быстро возрастает до 104......105 см-1 в интервале энергий порядка 0,1 эВ. Это край полосы собственного поглощения, обусловленный оптическими переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости. Различают два типа межзонных оптических переходов: прямые, когда импульс электрона остается практически неизменным, и непрямые, сопровождаемые изменением импульса электрона. Поскольку импульс фотона ничтожно мал по сравнению с импульсом электрона, для реализации непрямых переходов необходимо взаимодействие электрона не только с фотоном, но и с третьей частицей: фононом, примесным атомом, а также с дислокацией и другими дефектами кристалла. Вероятность непрямых переходов обычно на два-три порядка меньше вероятностей прямых оптических переходов, поэтому край собственного поглощения прямозонных полупроводников определяется главным образом прямыми переходами. Непрямые переходы формируют контур краевого поглощения в непрямозонных полупроводниках.
Экситонное поглощение. Опыты показывают, что полупроводниковые кристаллы с небольшой концентрацией дефектов, особенно при низких температурах, характеризуются большим коэффициентом поглощения для энергий квантов света, несколько меньших Eg. Фотопроводимость при этом не возникает. Энергия внешнего излучения расходуется не на создание свободных электронов и дырок, а на образование особых квазичастиц — экситонов. В физике полупроводников наибольшее распространение получила модель экситонов большого радиуса Ванье — Мотта. Экситон представляется как водородоподобный атом, состоящий из положительно заряженной дырки и связанного с ней электрона. Между разноименно заряженными частицами действует сила кулоновского притяжения, ослабленная в e раз, где e— диэлектрическая постоянная кристалла. Обе частицы вращаются вокруг общего центра тяжести и одновременно перемещаются по кристаллу без переноса электрического заряда. Экситон аналогичен атому водорода по квантово-механическому описанию, в то же время между ними имеется принципиальная разница. При испускании квантов света экситон полностью исчезает или аннигилирует, и вся его энергия (внутренняя и кинетическая) передается фотону, если нет взаимодействия с третьими частицами. Поэтому контур экситонных линий излучения воспроизводит максвелловское распределение экситонов по скоростям. Впервые водородоподобный спектр излучения экситонов был обнаружен советскими учеными Е. Ф. Гроссом и Н. А. Карыевым в 1952 г. в кристаллах гемиоксида меди. Эта работа зарегистрирована как открытие нового явления. В дальнейшем аналогичные спектры удалось зафиксировать в селениде и сульфиде кадмия и других кристаллах. Если валентная зона состоит из трех подзон, то в спектрах экситонного поглощения и излучения наблюдаются не одна, а три водородоподобных серии линий, или серии A, B, C. Серия A — наиболее длинноволновая, относится к верхней подзоне (подзоне тяжелых дырок); серия В —к средней подзоне (подзоне легких дырок), а серия С — к самой нижней подзоне (спин-орбитально отщепленной подзоне). В кристаллах CdSe наблюдалось по 12 линий A - и В -серий и две линии С -серии. Наряду со свободными экситонами, перемещающимися по кристаллу, возможно образование связанных экситонов, в которых электрон или дырка локализованы около донорной или акцепторной примеси. Кинетическая энергия связанных экситонов пренебрежимо мала, поэтому ширина линий их излучения, как правило, значительно меньше, чем у свободных экситонов. Примесное поглощение. Введением в кристалл примесей, особенно в больших количествах, можно заметно изменить его энергетический спектр, населенности энергетических состояний и вероятности оптических и неоптических переходов.
В 1953 г. Э. Бурштейн обнаружил значительное смещение края полосы собственного поглощения в коротковолновую область при легировании полупроводника. В кристалле InSb с собственной проводимостью край основной полосы поглощения лежит в области 7,2 мкм. После легирования образца донорами до концентрации 5∙1018 см3 край полосы сместится в область 3,2 мкм. Это явление, наблюдавшееся также Т. С. Моссом и обусловленное заполнением зоны проводимости электронами, называется эффектом Бурштейна — Мосса. Сдвиг края полосы поглощения легко интерпретировать на основе сдвига положения уровня Ферми в зависимости от концентрации носителей. Наряду с изменением спектра межзонного поглощения наличие примесей в кристалле создает новые каналы оптических переходов между примесными уровнями (зонами) и основными зонами, а также переходы примесь — примесь. В зависимости от концентрации примесей различают слабо, сильно и промежуточно (средне) легированные полупроводники. В слабо легированных кристаллах примеси создают локализованные в пространстве резкие энергетические уровни. Волновые функции различных примесных центров практически не перекрываются. В промежуточно легированных полупроводниках образуются примесные зоны, не перекрывающиеся с основными зонами энергетического спектра. В случае их перекрытия полупроводник будет сильно легированным. Вблизи края собственного поглощения иногда наблюдается тонкая структура, обусловленная образованием донорно-акцепторных пар. Донорные и акцепторные примесные центры можно считать невзаимодействующими только в первом приближении. В принципе они испытывают кулоновское и ван-дер-ваальсово взаимодействия. Поскольку примесные атомы занимают в решетке вполне определенные места, то энергия электронно-дырочной пары принимает дискретный ряд значений, определяемых расстоянием между электроном и дыркой, что и проявляется в спектрах поглощения и еще более четко в спектрах люминесценции. Поглощение свободными носителями. Поглощение свободными носителями обусловлено переходами электронов либо в пределах одной зоны проводимости с нижних уровней на более высокие уровни, либо переходами с одной подзоны в другую, а также аналогичными процессами для дырок в валентной зоне. Поскольку оптические переходы электронов и дырок в пределах одной зоны сопровождаются изменением их квазиимпульсов, а импульс фотона пренебрежимо мал, то такие процессы возможны только с участием третьих частиц. Носители взаимодействуют или, как говорят, рассеиваются на различных дефектах, что и обеспечивает изменение их импульса. Поглощение свободными носителями увеличивается с ростом температуры (концентрации фононов) и длины волны.
|
||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2021-03-10; просмотров: 116; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.143.228.40 (0.012 с.) |