Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Расчет двухтактных преобразователей напряженияСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Наиболее широкое применение получили двухтактные преобразователи, расчетная схема которого приведена на рисунке 14.9). Преобразователь состоит из трансформатора TV и транзисторов VT1, VT2, включенных по схеме с общим эмиттером. Трансформатор выполнен на магнитопроводе из материала с прямоугольной петлей гистерезиса (79НМ, 34НКМП). Входными зажимами преобразователь включен в цепь постоянного тока с напряжением U0. Напряжение, снимаемое с резистора R2 делителя напряжения, создает на базах транзисторов положительное (относительно эмиттеров) смещение, что обеспечивает надежный запуск преобразователя. Благодаря положительной ОС транзисторы поочередно подключают источник питания к первичным обмоткам трансформатора w'1 и w''1. Во вторичной обмотке трансформатора наводится ЭДС прямоугольный формы. Рисунок 14.9
При преобразовании больших мощностей наибольшее распространение получили преобразователи с использованием усилителя мощности. Усилитель управляется от задающего генератора, в качестве которого можно использовать преобразователь с самовозбуждением. Применение таких преобразователей целесообразно, если требуется обеспечить постоянство частоты и напряжения на выходе, а также неизменность формы кривой переменного напряжения при изменении нагрузки преобразователя. Схема двухтактного усилителя мощности приведена на рисунке 14.10. Рисунок 14.10
Транзисторы усилителя мощности VT1, VT2 работают поочередно. В течение первого полупериода под действием управляющего напряжения один из транзисторов, например VT1, открыт и находится в насыщении, а транзистор VT2 закрыт и находится в режиме отсечки. Во второй полупериод транзисторы переключаются. Напряжение питания поочередно прикладывается к верхней и нижней половинам первичной обмотки трансформатора. Во вторичной обмотке наводится ЭДС прямоугольной формы. Расчет преобразователей Исходные данные: напряжение питания U0, В; выходное напряжение преобразователя U2, В; максимальный ток вторичной обмотки I2, А; частота генерации преобразователя f, Гц. Необходимо знать также вид нагрузки (активная, мостовой выпрямитель, выпрямитель со средней точкой, удвоение напряжения). 1. Определяем ток открытого транзистора Принимаем = 0,72... 0,9. Амплитуда тока вторичной обмотки I2 max = I2, если преобразователь работает на активную нагрузку, на мостовой выпрямитель и цепь удвоения. Если нагрузкой является двухполупериодный выпрямитель со средней точкой, то I2 max = I2 . 2. Максимальное напряжение на закрытом транзисторе равно UКЭ.max = 2,4 U0. 3. По максимальному току IK.maxи максимальному напряжению UKЭmax выбираем тип транзисторов VT1, VT2: IK.max=(2…3)IK.нас (для рисунка 14.9) IK.max=(1,3…1,5)IK.нас (для рисунка 14.10). 4. Ток базы транзистора равен IБ.нас = (1,3 -1.5) IK.нас /h21 Э min-минимальное значение коэффициента передачи тока VT1, VT2 в схеме с ОЭ. 5. Напряжения базовых обмоток UБ = 2,5... 3,5 В. 6. Сопротивления резисторов R1,R2,RБ равны: R1=U0 R2/(0,5…1); R2 = [UБ-(0,5...0,7)]/IБ нac; RБ = (1,4... 2)/IБнас. 7. Расчет параметров трансформатора. Магнитопровод трансформатора у преобразователя с самовозбуждением изготавливается из материала с прямоугольной петлей гистерезиса (50НП, 34НКМП, 79НМ). У преобразователя с усилителем мощности сердечник трансформатора изготавливается из материалов с высокой магнитной проницаемостью (34НКМП, 40НКМП, ферритов 2000НМ1, 2000НМ3). Магнитопровод трансформатора выбирается по произведению SCТ SОК: SCTSOК =SГ 102/2,22 f B j kM kC . SГ = 1,3U2I2 (активная нагрузка преобразователя или мостовой выпрямитель); SГ = 2,l U2I2 (нагрузка - двухполупериодный выпрямитель со средней точкой): В=1,5Т для сплава 50НП; В = 0,85 Т для 79НМ; В = 1,5 для сплава 34НКМП. В преобразователях с самовозбуждением В = BS, а в преобразователях с усилителем мощности В = (0,7... 0,8) BS. При использовании ферритов 2000НМ В = (0,15... 0,2) Т. Величина j, kМ, kC. определяют так же, как при расчете трансформаторов, = 0,8... 0,95. Число витков вторичной, первичной и базовой обмоток преобразователя равно wl = U0104/(4 f B SCT kC);. w2 = (U2/U0)wl; wБ=(UБ/U0)w1. Определяем токи в обмотках трансформатора Диаметры проводов обмоток трансформатора (без учета толщины изоляции) определяем (см. главу «расчет трансформаторов): Выбираем марку провода и определяем диаметры проводов обмоток трансформатора с учетом толщины изоляции d1из, d2из …dn.из. Обмотки маломощных низковольтных трансформаторов выполняются в основном из проводов с эмалевой изоляцией (ПЭ, ПЭВ-1, ПЭВ-2). 15 Устройства непосредственного преобразования различных видов энергии в электрическую энергию постоянного тока Общие положения К устройствам непосредственного преобразования энергии различного рода в электрическую энергию постоянного тока относятся следующие: -гальванические элементы, преобразующие химическую энергию в электрическую; -аккумуляторы, также преобразующие химическую энергию в электрическую, однако в отличие от гальванического элемента способность аккумулятора отдавать электрическую энергию может быть восстановлена путем его заряда от постороннего источника электрической энергии; -термоэлектрические преобразователи, в которых тепловая энергия непосредственно преобразуется в электрическую; -преобразователи (солнечные батареи), в которых энергия светового потока преобразуется в электрическую; -атомные батареи, в которых энергия внутриатомного распада преобразуется в электрическую; -топливные элементы, преобразующие химическую энергию топлива в электрическую. Гальванические элементы Гальванические элементы являются первичными химическими источниками тока (ХИТ), в которых используются необратимые процессы преобразования химической энергии в электрическую. Они широко применяются в качестве источников питания постоянным током малогабаритной и переносной радиоаппаратуры. Гальванические элементы и составленные из них батареи характеризуются следующими основными параметрами. Емкость элемента — количество электричества, отдаваемое элементом при разряде. Емкость элемента измеряется в ампер-часах (А-ч) и определяется выражением Q=IР tР где IР—ток разряда, A; tР — время разряда, ч. Увеличение тока IР или времени разряда tР, а так же уменьшение температуры окружающей среды приводят к уменьшению емкости Q. На каждом элементе или в его паспорте указывается номинальная емкость, значение которой зависит от активных веществ, входящих в состав элемента, от массы электродов и вида электролита. Внутреннее сопротивление элемента зависит от типа элемента, его устройства, условий эксплуатации и т.д. По величине внутреннего сопротивления можно судить о КПД элемента и об изменениях его параметров при перегрузках. Саморазряд элемента — это самопроизвольное уменьшение его емкости при разомкнутой внешней цепи. Главной причиной саморазряда является взаимодействие активных масс электродов и электролита. Саморазряд увеличивается с повышением температуры. В гальванических элементах мерой саморазряда является их сохранность. К удельным характеристикам элемента относятся удельная емкость по объему (А•ч/дм3); удёльная емкость по массе (А•ч/кг); удельная энергия по объему, (Вт ч/дм3); удельная энергия по массе (Вт ч/кг). Указанные параметры позволяют сравнить различные типы гальванических элементов между собой и выбрать оптимальный вариант источника питания. Кроме перечисленных параметров большое значение имеет устойчивость гальванических элементов к механическим и климатическим воздействиям; к последним относят колебания температуры и давления, повышенная влажность. При высоких температурах уменьшается внутреннее сопротивление элемента и значительно возрастает саморазряд. Поскольку повышенная влажность также вызывает увеличение саморазряда, то рекомендуется хранить ХИТ в сухих прохладных помещениях. При низких температурах увеличивается внутреннее сопротивление элемента и уменьшается его емкость, что особенно заметно при больших нагрузках. Поэтому на морозе рекомендуется применять несколько параллельных ХИТ, чтобы уменьшить нагрузку на каждый из них. При параллельном соединении элементов емкость батареи равна сумме емкостей элементов, входящих в нее. При последовательном соединении элементов емкость батареи равна наименьшей емкости элемента, входящего в нее. Марганцово-цинковые элементы (МЦЭ) получили большое распространение благодаря относительно невысокой стоимости, возможности использования в широком диапазоне температур. Недостатком МЦЭ является снижение удельной энергии при увеличении нагрузки.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-09-19; просмотров: 2277; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.117.154.134 (0.009 с.) |