Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Электронная и ионная эмиссииСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Виды электронной и ионной эмиссий
Ранее были рассмотрены основы физики твердого тела. Квантовомеханическое описание состояния электронов в различных системах с учетом принципа Паули позволило дать объяснение различным явлениям в полупроводниках, рассмотреть свойства контактов полупроводник — металл, диэлектрик — металл. Далее эти понятия будут применены для понимания физических основ эмиссионной электроники, т. е. яв лениям испускания (эмиссии) электронов и ионов, происходящим на границе твердого тела с вакуумом или газом при воздействии на поверхность эмиттера постоянного или высокочастотного электрического поля, светового излучения, электронной или ионной бомбардировки, теплового нагрева, механической обработки и т. д. Самопроизвольной (спонтанной) эмиссии электронов из твердого тела препятствует наличие на границе потенциального порога U0, обусловленного силами взаимодействия между электронами, вылетающими из вещества на расстояния, превышающие атомные размеры, и оставшимся нескомпенсированным положительным зарядом ионов решетки (рис. 10.1). Максимально возможная кинетическая энергия электронов проводимости в металле при температуре абсолютного нуля равна ЕF (энергия Ферми). Для вырывания с уровня ЕF одного электрона за пределы эмиттера необходима дополнительная энергия qφ > = U0 — ЕF, равная работе выхода электрона из данного металла. Спонтанная, эмиссия Спонтанная, или автоэлектронная эмиссия, возможна только при условии превращения потенциального порога в потенциальный барьер, сквозь который электроны могут «просачиваться», «туннелировать» за счет чисто квантовомеханического эффекта, подобного туннельному эффекту при спонтанном испускании альфа-частиц из радиоактивных ядер. Термин «автоэлектронная эмиссия» означает, что выход электронов за пределы твердого тела происходит самопроизвольно, т. е. не связан с затратой дополнительной энергии.
Электроны, «просочившиеся» за пределы барьера, приобретают энергию от электрического поля Е лишь в вакуумном промежутке эмиттер — анод. Чем больше напряженность внешнего электрического поля Е, тем круче с изменением расстояния х от поверхности изменяется потенциальная энергия электрона U(x) = — q Eх в этом поле, тем уже потенциальный барьер, а следовательно, выше плотность тока автоэлектронной эмиссии jА, зависящая от квантовомеханического коэффициента прозрачности барьера. Внешнее электрическое поле не только приводит к трансформации потенциального порога в барьер, но и уменьшает высоту барьера (эффект Шоттки), что также способствует росту автоэмиссионного тока. Зависимость jA(E) носит экспоненциальный характер: jА ~ eхр(- C/E), где С —постоянная, определяемая работой выхода электрона из эмиттера. Согласно расчетам для появления значительных токов автоэлектронной эмиссии необходимы напряженности поля E ~ 108…109 В/м. Электрическое поле у поверхности твердого тела может быть образовано не только за счет внешней разности потенциалов, ускоряющей электроны между катодом и анодом, но также за счет поля положительных ионов, находящихся у поверхности катода. Такой слой ионов может появиться у катода, например, за счет испарения части вещества автоэмиссионного катода при его разогреве собственно автоэмиссионным током. Последующая ионизация испарившихся атомов приводит к созданию у поверхности катода слоя плотной неравновесной газоразрядной плазмы. Сильное электрическое поле в пограничной области эмиттер — плазма локализуется в пределах так называемого радиуса Дебая, зависящего от концентрации плазмы. Возникновение этого поля вызывает дополнительное усиление автоэлектронной эмиссии. Этот процесс перехода от обычной автоэлектронной эмиссии к аномально высоким плотностям эмиссионного тока носит резкий, взрывной характер и, как правило, заканчивается вакуумным пробоем (дугой). Стадия испускания автоэлектронов из металла или полупроводника в промежутке между окончанием нормальной автоэлектронной эмиссии и началом вакуумной дуги получила название взрывной эмиссии. Спонтанная, эмиссия из полупроводников
В случае полупроводников электрическое поле может проникать в глубь эмиттера. Это обусловливает, во-первых, изменение характера зонной структуры в приповерхностной области (изгиб зон) и, во- вторых, разогрев электронного газа в зоне проводимости полупроводника в связи с тем, что электроны, отбирая энергию от поля на длине свободного пробега, затем испытывают квазиупругое рассеяние на колебаниях атомов решетки (фононах). При таком рассеянии резко изменяется направление импульса электрона (рассеяние носит, как правило, сферически симметричный характер), а энергия электрона изменяется мало. Очевидно, при этом средняя энергия электронов будет возрастать, т. е. температура электронного газа будет «отрываться» от температуры решетки. В результате можно наблюдать эмиссию «горячих» электронов из холодного полупроводникового катода. Ток этой эмиссии будет тем больше, чем меньше сродство эмиттера к электрону χ, поскольку выйти в вакуум смогут лишь те электроны, энергия Ех = рх2/2me которых, связанная с нормальной к поверхности составляющей импульса, окажется больше χ. При достаточно больших значениях χ (порядка нескольких электрон-вольт) и не слишком высоких напряженностях поля E ≤ 105…107 В/м ток эмиссии «горячих» электронов пренебрежимо мал, так как на длине свободного пробега (Le ~ 10-8 м) электрон не может набрать энергию, превышающую 0,1 — 1 эВ. Очевидно, эмиссия «горячих» электронов из полупроводника принципиально невозможна при температуре решетки, близкой к температуре абсолютного нуля, когда в зоне проводимости нет свободных электронов. Лишь при тепловом или световом возбуждении носителей заряда с донорных уровней в полупроводнике n-типа или из валентной зоны в собственном полупроводнике можно наблюдать эмиссию. Для того чтобы ток эмиссии не нагревал решетку, электрическое поле должно воздействовать на эмиттер в течение коротких, редко следующих импульсов. Поэтому эмиссия «горячих» электронов возможна только в импульсном режиме. Поскольку процесс нагревания электронного газа за счет энергии электрического поля происходит практически безынерционно, поле может как носить характер импульсов постоянного тока, так и быть промодулированным сверхвысокой частотой. Особым классом эмиттеров являются полупроводниковые катоды, у которых дно зоны проводимости в объеме эмиттера оказывается расположенным выше уровня вакуума. Это — эмиттеры с отрицательным электронным сродством, получаемым, например, за счет напыления на поверхность полупроводника p-типа (с изгибом зон вниз) мономолекулярных слоев атомов Cs или молекул Cs20 с большими электроположительными дипольными моментами. Из таких эмиттеров возможно испускание не только «горячих», но и термолизованных («холодных») электронов. Их возбуждение в зону проводимости может быть осуществлено не только за счет светового облучения или электронной бомбардировки, но и за счет инжекции электронов из приповерхностного р-n-перехода.
Эмиссия электронов под действием СВЧ поля
Эмиссия под действием света
В области частот электромагнитного поля, соответствующих световому. диапазону (v ~ 1015…1016 Гц), энергия одного кванта hv может оказаться больше работы выхода электрона из металла qφ. Явление испускания твердыми телами электронов под воздействием энергии световых квантов называется внешним фотоэффектом или фотоэлектронной эмиссией. Соотношение hv0 ≥ qφ определяет красную границу фотоэффекта из металла. В собственных полупроводниках и диэлектриках фотоэлектронная эмиссия наблюдается лишь в случае, если hv0 ≥ Eg + χ, где Eg—ширина запрещенной зоны. Кроме выбивания электронов из валентной зоны возможна фотоэлектронная эмиссия с донорных уровней, а также из заполненных электронами поверхностных состояний. Особый интерес представляет фотоэлектронная эмиссия из систем с отрицательным (или близким к нулю) электронным сродством χ, когда в вакуум могут выходить термолизованные электроны Явление фотоэлектронной эмиссии характеризуется числом эмиттированных электронов, приходящихся в среднем на один поглощенный фотон. Эту величину называют квантовым выходом фотоэффекта и обозначают через Y. Для эмиттеров с отрицательным электронным сродством квантовый выход достигает максимально возможных значений. С повышением напряженности поля световой волны (плотности фотонов, падающих на эмиттер) вероятность поглощения электроном твердого тела одновременно двух или более фотонов может оказаться весьма заметной, что соответствует многофотонному фотоэффекту. При достаточно низких частотах из-за малости энергии одного кванта (например, на СВЧ hv ~10-5…10-6 эВ) взаимодействие электромагнитной волны с электронами твердого тела следует рассматривать чисто классически, г с. как непрерывный процесс ускорения электрона в поле СВЧ - волны. Именно так описывается процесс эмиссии «горячих» электронов на СВЧ из полупроводников и «островковых» пленок..
Эмиссия под действием электронов
Бомбардируя твердое тело электронами с энергией ЕР > qφ (в металлах) или Ep ≥ Eg (в диэлектриках и полупроводниках), можно наблюдать эмиссию вторичных электронов, т. е. выбивание из твердого тела электронов за счет передачи им энергии от падающих на вещество первичных электронов. При энергиях Ер, меньших указанных пороговых значений, наблюдается лишь упругое или квазиупругое (с возбуждением фононов) отражение первичных электронов от мишени. Явление испускания электронов твердыми телами при бомбардировке пучком первичных электронов называется вторичной электронной эмиссией. Отношение числа испущенных мишенью за некоторый интервал времени вторичных электронов к числу первичных электронов, упавших на мишень за тот же интервал, называют коэффициентом вторичной электронной эмиссии и обозначают через σ. Величина σ существенно зависит от энергии Ер первичных электронов. Вторичные электроны могут испускаться как с лицевой стороны мишени, бомбардируемой первичным электронным пучком, так и с ее тыльной стороны, если мишень простреливается первичным пучком насквозь. Очевидно, последнее возможно лишь для тонких пленок. В первом случае говорят о вторичной электронной эмиссии на отражение, во втором — о вторичной электронной эмиссии на просвет. Коэффициент вторичной электронной эмиссии на просвет обозначают через Σ. Зависимость Σ(Ер) может существенно отличаться для одного и того же эмиттера от зависимости σ(Ер). Это связано прежде всего с тем, что вплоть до значений Ер, начиная с которых первичные электроны простреливают мишень, величина Σ равна нулю (или пренебрежимо мала).
Эмиссия в результате нагрева твердого тела.
При нагревании твердого тела возрастают амплитуды колебаний атомов кристаллической решетки (на квантовом языке это соответствует увеличению плотности фононов). Передача энергии от фононов электронному газу приводит к расширению энергетического спектра электронов. Например, в металлах это вызывает появлениие максвеллообразного «хвоста» у фермиевской функции распределения электронов по энергиям (см. рис. 5.3). С повышением температуры все большее число электронов приобретает энергию, достаточную для преодоления работы выхода на границе твердого тела с вакуумом. Явление испускания в вакуум электронов нагретым телом называют термоэлектронной эмиссией. В полупроводниках при температуре, близкой к температуре абсолютного нуля, электроны в зоне проводимости отсутствуют. Нагревание тела обусловливает при этом забрасывание электронов в зону проводимости с донорных уровней и из валентной зоны. При взаимодействии с фононами электроны термолизуются, спектр их приобретает максвелловский характер. Плотность тока термоэлектронной эмиссии jт определяют из формулы Ричардсона—Дэшмана: jт = (1 — <R>) АТ2 ехр (— qφ/kT), где <R>— усредненное по спектру термоэлектронов значение коэффициента отражения электронов от потенциального порога; А - термоэлектронная постоянная, равная 120,4 А/(град2-м2). Энергия, необходимая для выбивания из твердого тела электронов, может быть сообщена им также ионами, обладающими достаточной для этого кинетической энергией. Это явление называется кинетической ионно-электронной эмиссией и характеризуется коэффициентом yk, определяемым как отношение эмиссионного тока испускаемых электронов ie к току ионов ii, бомбардирующих эмиттер.
Физические принципы ТЭЭ
Термоэлектронной эмиссией (ТЭЭ) называется испускание электронов поверхностью нагретых проводящих тел. Впервые явление термоэлектронной эмиссии обнаружил на опыте ТА. Эдисон (1883 г.). Простейший прибор для наблюдения ТЭЭ (термоэлектронный диод) состоит из двух металлических электродов, помещённых в объем с низким давлением остаточных газов (рис. 3.1а). Электрод, эмитирующий электроны, обычно называется катодом, хотя в зависимости от вида эмиссии применяются и другие термины (термоэмиттер, фотоэмиттер, автоэмиттер). Получающий электроны электрод обычно называется анодом или коллектором. Независимо от употребляемого названия и знака потенциала, поданного на
а) принципиальная схема термоэлектронного диода; б) ВАХ идеального диода при условии, что работы выхода электронов для материалов катода и анода равны: участок 1 — область ограничения тока пространственным зарядом, участок 2 — ток насыщения
электроды, работа выхода электронов катода будет обозначаться φк, а работа выхода электронов анода — φА. Прикладывая разность потенциалов VA между катодом и анодом и измеряя ток, протекающий между электродами, получим вольтамперную характеристику (ВАХ) диода, т.е. зависимость анодного тока от анодного напряжения Для электронов проводимости твердое тело представляется в виде энергетической потенциальной ямы с плоским дном, а на границе раздела (твердое тело-вакуум) имеется — потенциальный барьер — ступенька прямоугольной формы. Из рисунка видно что, при отличной от нуля температуре среди электронов проводимости в твердом теле есть такие, энергия которых выше уровня вакуума. Эти электроны могут попадать в вакуум, двигаясь над потенциальным барьером на границе. Потенциальный барьер характеризуется двумя параметрами: 1) расстоянием по оси энергии от уровня Ферми в кристалле до уровня вакуума — эта величина называется термоэлектронной работой выхода φ; а) представление твердого тела в виде прямоугольной потенциальной ямы с плоским дном и потенциальными барьерами на границе тела; б) плотность распределения электронов по энергии в металле 2) средним значением коэффициента надбарьерного отражения R для электронов, вылетающих из катода в вакуум. Формула Ричардсона-Дешмана
Для прямоугольного потенциального барьера Ричардсон и Дэшман (1928 г.) рассчитали максимальную плотность тока (тока насыщения) термоэлектронной эмиссии, которую может обеспечить при температуре Т термокатод с работой выхода электронов ср (формула Ричардсона-Дешмана)насыщения ТЭЭ где А0 = Апmек2/h3 = 120,4 А/см2К2 — термоэмиссионная постоянная Зоммерфельда; T — температура катода по абсолютной шкале Кельвина (К); R — коэффициент отражения электронов на границе тело-вакуум (обычно не превосходит 0,07 и при оценочных расчетах им можно пренебречь); φ — работа выхода электронов из катода; к — постоянная Больцмана, к = 1,38-10-23 Дж/К = (11600)-1 эВ/К. Далее везде вместо полного наименования «работа выхода электронов материала катода», будет использоваться более распространенное сокращенное название — работа выхода катода (соответственно — анода). Для расчетов уравнение (3.1) используется чаще всего в следующем виде: j = 120,4 Т2 ехр (А/см2), где работа выхода φ выражается в электронвольтах. Сила тока ТЭЭ определяется выражением: I=jS, где S — площадь эмитирующей поверхности катода. Так как точное значение R в общем случае не известно, вместо истинной работы выхода электронов φист, которая стоит в уравнениях, вводят эффективную работу выхода φэФФ такую, что
Это приводит к тому, что эффективная работа выхода срэ несколько выше истинной работы выхода <рист, а именно:
В общем случае работа выхода зависит от температуры, поэтому приведенные выше уравнения не описывают в явном виде зависимость плотности тока ТЭЭ от температуры. Связь между истинной И эффективной и ричардсоновской работами выходов электронов задается выражением
|
||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-07-11; просмотров: 673; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.188.130.151 (0.009 с.) |