Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Влияние анодного напряжения и контактной разности потенциалов на вольт-амперную характеристикуСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Для того чтобы в чистом виде выявить влияние анодного напряжения на ток в цепи, предположим, что контактная разность потенциалов равна нулю (катод и анод сделаны из одного материала), а влияние объемного заряда электронов отсутствует. Он либо нейтрализован в межэлектродном промежутке равным ему по модулю положительным зарядом ионов, либо пренебрежимо мал. Ток в цепи равен току насыщения термокатода jн, если все эмитированные электроны достигают анода. Такой режим работы устанавливается, когда в межэлектродном промежутке нет тормозящего электроны электрического поля. Если такое поле есть (анодное напряжение VA отрицательное), то ток в цепи будет обеспечиваться только теми из эмитированных электронов, которые смогут преодолеть дополнительный потенциальный барьер -eVA. В этом случае плотность тока в цепи будет соответствовать формуле Ричардсона-Дэшмана, но в показателе экспоненты вместо работы выхода ср должно стоять φ - eVA: Если работы выхода катода φк и анода φА не совпадают, то между электродами наряду с приложенным анодным напряжением VA действует контактная разность потенциалов.
При больших напряженностях электрического поля е. Снижение работы выхода электронов определяется следующей формулой:
где напряженность поля е измеряется в В/см.
Источник электронов считается «хорошим», если он обеспечивает высокую плотность тока в фокальной области, сама фокальная область мала. (Фока́льная пло́скость в параксиальной оптике — плоскость, перпендикулярная оптической оси, и проходящая через передний или задний фокус, называется передней или задней фокальной плоскостью соответственно. В кино-, фото- и видеотехнике в задней фокальной плоскости располагается фотоматериал или фотоматрица). Аберрации оптической системы источника электронов минимальны. (Аберра́ция оптической системы — ошибка или погрешность изображения в оптической системе, вызываемая отклонением луча от того направления, по которому он должен был бы идти в идеальной оптической системе. Аберрацию характеризуют различного вида нарушения в структуре пучков лучей, выходящих из оптической системы.). Этот, один из параметров источника электронов, характеризуется понятием яркость источника и обозначается символом β и определяется как плотность тока j в единичном телесном угле. Существует верхний предел для β, определяемый соотношением Где: j – плотность тока на катоде; Т – температура катода; е – заряд электрона; k – постоянная Больцмана. Электроны эмитируемые катодом в свободное пространство, подчиняются закону Ламберта Здесь j(θ) – плотность тока эмиссии в направлении, составляющим угол θ с нормалью; j – полная плотность тока в полусферу. См. рисунок. Если электроны ускоряются однородным электростатическим полем, параллельным оптической оси, составляющие их скорости vZ, параллельные силовым линиям поля, увеличивается, тогда как перпендикулярные составляющие vr остаются неизменными
В этом случае угол расходимости θ уменьшается от π до величины отношения θ ≈ vr/vZ. При ускорении электронов с начальной энергией еVо ≈ кТ до энергии еV новый половинный угол расходимости может быть выражен через энергию θ’ = (кТ/eV)1/2; тогда для яркости получается выражение , которое может быть использовано для любой фокусирующей системы, расположенной после источника. Никакая фокусирующая система не может увеличить яркость сверх значения, соответствующего эмитирующей поверхности. Формирование изображения Использование принципа Мо-пертюи При́нцип наиме́ньшего де́йствия Гамильто́на (также просто принцип Гамильтона), точнее при́нцип стациона́рности де́йствия — способ получения уравнений движения физической системы при помощи поиска стационарного (часто — экстремального, обычно, в связи со сложившейся традицией определения знака действия, наименьшего) значения специального функционала —действия. Назван в честь Уильяма Гамильтона, использовавшего этот принцип для построения так называемого гамильтонова формализма в классической механике. Первую формулировку принципа дал П. Мопертюи (P. Maupertuis) в 1744 году, сразу же указав на его универсальную природу, считая его приложимым к оптике и механике. Из данного принципа он вывел законы отражения и преломления света.
может быть проиллюстрировано на примере преломления пучка электронов. Предположим, что электрон, пролетающий с неизменной скоростью v через пространство с потенциалом V попадает в пространство с другим однороднвм потенциалом V’, так что внезапно меняется направление траектории электрона. Если потенциал V>V’, нормальная составляющая скорости vy электрона возрастает, тогда как тангенциальная составляющая vx остается неизменной vx = v’x/x. Кроме того, sin α = vx/v, sin α’ = v’x/v. Следовательно, sin α’/ sin α = , что выражает закон Снеллиуса для электронной оптики. В световой оптике, согласно закону синусов
преломления для областей объекта и изображения. В электронной оптике, когда объект расположен в области с потенциалом Как в электронной, так и све- Если в аксиально-симметричной оптической системе
|
|||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-07-11; просмотров: 588; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.144.43.194 (0.009 с.) |