Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Дослдження зміни провідності напівпровідникових діодів залежно від температури↑ ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7 Содержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Мета роботи: встановити закон зміни опору діодів у зворотномунапрямівзалежності від зміни температури. Прилади та матеріали: електронагрівальна піч; термоелектричний термометр; германієвий діод типу Д7А, Д7Ж і шайба селенового вимірювального діода; мікроамперметри до 300 мкА — 2 шт.; вольтметр постійного струму до 3 В; амперметр змінного струму до 0,5 А; реостати R1 і R2; джерело е.р.с. Е=5 В. Теоретичні відомості Напівпровідникові діоди — прилади, які мають односторонню провідність. Вона зумовлюється властивостями запірного шару на межі двох напівпровідників, один з яких має електронну провідність, а другий — діркову. Виготовляють германієві, селенові, купроксні та кремнієві діоди. Германієвий діод типу Д302 в одному (прямому) напрямі при спаді напруги на ньому 0,25 В пропускає струм до 1 А, а в другому (зворотному) при напрузі 200 В — не більше 1 мА. Інакше кажучи, опір цього діода в прямому напрямі становить 0,25 Ом, а зворотному — 200 к0м. Однак виявляється, що напівпровідникові діоди зберігають свої властивості односторонньої провідності лише у вузькому інтервалі температур (порядку — 60°С...+125°С). З підвищенням температури опір діода зменшується, а струм у зворотному напрямі швидко зростає. Рис. 8.7.1 Для встановлення закону зміни опору діодів у зворотному напрямі залежно від зміни температури на рис. 8.7.1 подано електричну схему. Селеновий S і германієвий G діоди закріплюють в електричній печі Р разом з термопарою Т, яка в поєднанні з гальванометром G0, проградуйованим в термометричній шкалі, служитиме вимірювачем температури. Піч Р виготовлена з фарфорової трубки, на яку намотана нікелінова спіраль, вкрита шаром глини, розмішаної з азбестовою ватою. Кінці фарфорової трубки закриті слюдяними заслінками. Струм розжарення спіралі регулюють реостатом R2 від 0,2 до 0,5 А. Потенціометром R1 підбирають струми І1 і І2 так, щоб вони не перевищували струми, допустимі для приладів mА1 і mА2. Опір діода визначають із співвідношення: . де U – напруга, що відповідає показам вольтметра V; І – струм через даний діод; r a — внутрішній опір відповідного мікроамперметра. Хід роботи 1. Склавши коло, перевірити повільним збільшенням напруги U і за показами mА1 і mА2 справність основних кіл досліджуваних діодів. Відмітивши покази мікроамперметрів і вольтметра, увімкнути коло розжарення печі. Реостатом R2 підібрати такий струм розжарення, щоб швидкість наростання температури становила близько 5 град/хв. Якщо термопара не проградуйована, то перш ніж перейти до вимірювання, треба проградуювати її за допомогою еталонного термометра. 2. Уважно стежачи за показами приладів і не допускаючи відхилення стрілок за межі шкал, через кожні 10 град. зняти та записати значення U, І1, І2,Т. 3. Довівши температуру до 120...150°С, вимкнути нагрівальну піч і дати остудитися їй до кімнатної температури. При охолодженні системи покази приладів записувати при тих же значеннях температур, що і при нагріванні. 4. За середнім значенням струмів, взятих для відповідних температур при нагріванні і охолодженні, обчислити опори RS і RG вентилів S і G та побудувати графік залежності RS і RG від температури Т. Контрольні запитання 1. Власна і домішкова провідність напівпровідників. 2. Температурна залежність провідності провідників. 3. Принципи роботи напівпровідникового діода. Лабораторна робота № 8.8 Мета роботи: навчитися проводити аналіз речовин за допомогою рентгенівських променів. Прилади та матеріали: рентгенівський спектрограф ДРС-2; мікрофотометр МФ-4. Теоретичні відомості Основними напрямками рентгенівської спектроскопії є визначення вмісту елементів в різних речовинах (рентгеноспектральний аналіз) та дослідження розподілу густини електронних станів за енергіями в твердому тілі (дослідження тонкої структури рентгенівських спектрів). Можливість проведення рентгеноспектрального аналізу випливає із закону Мозлі. Сутність цього закону полягає в тому, що квадратний корінь із числових значень термів для ліній спектрів випускання або для основного краю поглинання є лінійною функцією атомного номера елемента (заряду ядра). В аналітичній формі він записується так: (1) де ; m і n — цілі числа; s — постійна екранування. Отже, знайшовши експериментально енергетичне положення лінії характеристичного спектра елемента, можна визначити його порядковий номер. Зазначимо, що рентгеноспектральному аналізу слід віддавати перевагу перед іншими аналізами в таких випадках: 1. При аналізі рідкісноземельних елементів; 2. При аналізі хімічно збіжних елементів (наприклад, металів групи платини); 3. При аналізі металів, фізичні властивості яких значно змінюються при введенні невеликих кількостей домішок. Крім цього, рентгеноспектральний аналіз має ряд переваг перед іншими методами, в першу чергу методом оптичної спектроскопії: 1. Число ліній в спектрі мале (біля одного десятка, тоді як в оптичному спектрі, наприклад заліза — більше тисячі ліній); 2. Для встановлення наявності елемента достатньо виявити інтенсивні дві — три К- або L- лінії, зокрема Кa1,2- або La1,2- лінії. 3. Відношення інтенсивності ліній одного і того ж елемента є майже постійним, наприклад ; 4. Спектр елементів майже не залежить від хімічного складу зразка. Під якісним аналізом розуміють визначення елементного складу зразка за рентгенівськими спектрами. Для якісного аналізу майже не потрібна попередня підготовка зразків і кількісна інформація про вміст елементів. Рентгеноспектральним методом практично можна визначити всі елементи, починаючи з берилію. Однак рентгенівські спектрометри і квантометри, які є зараз в наявності, забезпечують визначення вмісту хімічних елементів починаючи від 12 Mg. Аналіз елементів від 4 Be до 11 Na потребує використання спеціальної апаратури (спектрометри РСМ-500 та РСЛ-1500), в якій промені розкладаються за допомогою дифракційної ґратки. Елементи від 12 Mg до 47 Ag — 50 Sn визначають переважно за К-серією, від 51 Sb — до кінця періодичної системи — за L – серією. Довжина хвиль цих ліній лежить в області приблизно від до . Ділянку від 1,5 до умовно називають короткохвильовою, а від 20 до — довгохвильовою областю спектра. Чутливість аналізу за спектрами флуоресценції (фотонне збудження) для більшості елементів ~0,04%, для деяких елементів (Ni, Cu, Zn) вона може досягнути 0,005%, а для рідкісноземельних елементів є дещо більшою — 0,1.. 0,2%. Чутливість аналізу за первинними спектрами (електронне збудження) визначається контрастністю ліній, тобто відношенням інтенсивності ліній ІЛ до інтенсивності фону ІФ. Фон складається в основному з неперервного спектра і розсіяного випромінювання. Контрастність ліній залежить від напруги на рентгенівській трубці за квадратичним законом: ІЛ~(U a –Ui)2, (2) де U a — напруга на рентгенівській трубці; Ui — потенціал збудження і-го рівня атома. Інтенсивність неперервного спектра змінюється з напругою приблизно лінійно: ІФ~(U a –U), (3) де U — визначається за умовою U=(hc/el). Закон (2) справедливий при U a <3Ui. При дуже високих напругах інтенсивність ліній починає зменшуватись. Дослідження показали, що для елементів з потенціалом збудження від 10 до 20 кВ найбільш сприятливою напругою на трубці є 40 кВ. Зазначимо, що інтенсивність фону залежить від матеріалу анода; так, при переході від мідного до алюмінієвого аноду контрастність спектра підвищується приблизно в п'ять разів. Для одержання первинного спектра досліджувану речовину розтерту в порошок, втирають у попередньо нарифлену поверхню наконечника анода. Наконечник виготовляють переважно з міді або алюмінію. Для аналізу флуоресцентним методом речовина може бути нанесена таким же способом на мідні або алюмінієві пластинки, або в залежності від конструкції приладу — поміщена в спеціальну кювету. Нехай досліджувана речовина втерта в мідний наконечник. Тоді на спектрограмі (рис. 8.8.1) крім ліній невідомого елемента, одержимо спектр міді (CuKa1,2- і СuКb1- лінії), а також за рахунок чутливості емульсії плівки з короткохвильової сторони спектрограми вийде різка границя, яка відповідає Для невеликої ділянки спектра обернена лінійна дисперсія D мало змінюється вздовж спектра. Зазначимо, що оберненою лінійною дисперсією називається інтервал довжин хвиль, які припадають на одиницю довжини спектрограми. Ця величина може бути знайдена на спектрограмі за двома лініями міді (наприклад, CuKa1- і СuКb1- лінії), які називаються стандартними. Для нашого випадку обернена лінійна дисперсія рівна (4) де Dl0 — інтервал довжин хвиль між СuКb1- і Ka1- лініями; L0 — відстань між ними.
Рис. 8.8.1. Спектрограма, одержана на спектрографі ДРС-2 Обернена лінійна дисперсія вимірюється в . Для знаходження довжини хвилі lх невідомої лінії вибирають найближчу до неї стандарту лінію з відомою довжиною хвилі lст. Такою стандартною лінією, яка наведена на рис. 8.8.1, є лінія СuКb1 з довжиною хвилі . Довжину хвилі невідомої лінії розраховують за формулою lх=lст±DLx (5) де Lx — відстань між стандартною і невідомою лініями спектра. Якщо стандартна лінія знаходиться з короткохвильового боку від невідомої лінії, то формулу (5) використовують із знаком "+", якщо з довгохвильового, то із знаком "–". Формула (5) справедлива при умові, коли довжина невідомої лінії виходить у першому порядку відбиття. Для n-порядку відбиття її слід написати так: nlх=lст±DLx (6) За даною методикою визначаємо довжини хвиль усіх невідомих ліній. Розрахувавши nlх,за допомогою таблиць визначають якому елементу відповідає та чи інша довжина хвилі. Відмітимо, що будь-який елемент, лінії якого вийшли на даній спектрограмі, встановлюється за 2-... 4-ма найбільш інтенсивними лініями. У випадку К-серії це Ka1- і Кb1- лінії. Після закінчення розшифрування спектрограми приступають до оцінювання кількісного вмісту елементів в аналізованій пробі — напівкількісного аналізу. Таке оцінювання приблизного вмісту окремих елементів носить деякою мірою суб'єктивний характер, оскільки воно проводиться за інтенсивністю ліній, оцінених аналітиком візуально. Воно може бути проведено з точністю 25-30% від вмісту даного елемента в аналізованій пробі. Результати якісного аналізу і грубого кількісного оцінювання вмісту того чи іншого елемента використовуються в подальшому при проведенні кількісного аналізу. Порядок виконання робіт 1. Одержати на рентгенівському спектрографі ДРС-2 спектрограму досліджуваної речовини. 2. Знайти розміщення ліній на спектрограмі відносно стандартних (реперних) ліній. 3. Визначити (за стандартними лініями) обернену лінійну дисперсію. 4. Використовуючи обернену лінійну дисперсію, визначити довжини хвиль усіх невідомих ліній. 5. Користуючись відповідними довідниками, провести ідентифікацію розрахованих довжин хвиль, тобто знайти склад елементів, які знаходяться в пробі. 6. Провести напівкількісне оцінювання елементів, які входять до аналізованої проби. Контрольні запитання 1. Механізм виникнення характеристичних рентгенівських спектрів. 2. Закон Мозлі. 3. Перевага рентгеноспектрального аналізу над іншими методами. НАЙВАЖЛИВІШІ ФІЗИЧНІ СТАЛІ Нормальне прискорення падаючих тіл g0=9,81 м/с2 Стала тяжіння g=6,67×10-11 м3/кг×с2 Число Авогадро N=6.025×1023 1/моль Число Лошмідта n0=2,678×1026 1/м3 Універсальна газова стала R=8,317 Дж/моль×К Стала Больцмана k=l,38×10-23 Дж/К Об'єм 1 моля газу при нормальних умовах V0=0,0224 м3/моль Електрична стала системи СІ e0=8.85×10-12 Ф/м Магнетна стала системи СІ m0=4p×10-7 Гн/м Заряд електрона е=1,60×10-19 Кл Маса спокою електрона me=9,1082×10-31 кг Питомий заряд електрона е/me=1,759×1011 Кл/кг Маса спокою протона mр=1,6724×10-27 кг Маса спокою нейтрона mn= 1,6747×10-27 кг Стала Планка h=6,625×10-34 Дж×с Стала Стефана-Больцмана s=5,669×10-8 Вт/м2×К4 Стала Віна С'=0,002898 м×К
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-08; просмотров: 463; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 52.15.241.87 (0.012 с.) |