Условно-графические обозначения полупроводниковых приборов

 

На электрических и радиоэлектронных схемах полупроводниковые диоды обозначаются символом, напоминающим кристаллический детектор с парой кристалл – металлическое острие, использовавшийся в 20-е годы. Вместо ост­рия на схеме рисуется треугольник (анод), вершина, которого упирается в чер­ту, под которой подразумевается плоскость кристалла полупроводника (ка­тод). Эта вершина указывает направление наибольшей проводимости. Этот сим­вол обозначения полупроводникового диода лежит в основе и для обозначения диодов разного назначения.

В таблице 5.12 даны некоторые обозначения различных видов диодов.

 

Таблица 5.12 – Обозначения некоторых видов диодов

Наименование	Обозначение
Диод (общее обозначение)
Диод туннельный
Стабилитрон
Варикап (диод емкостной)
Диод Шотки
Диод светоизлучающий

 

Некоторые обозначения тиристоров приведены в таблице 5.13

 

Таблица 5.13 – Обозначения некоторых видов тиристоров

Наименование	Обозначение
Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении
Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении
Тиристор диодный симметричный
Тиристор триодный

 

Условное графическое обозначение биполярных транзисторов содержит обозначение базы, эмиттера и коллектора. Базу транзистора обозначают короткой черточкой, эмиттер — наклонной линией со стрелкой. Для транзистора структуры p-n-р стрелка направлена к изображению базы, а для транзистора структуры n-p-п — от базы. Кружок на схеме символизирует корпус транзистора. Если транзистор без корпуса или входит в состав интегральной микросхемы, то кружок не ставится. В изображении лавинного транзистора используется дополнительный знак — изображение пря­мого угла между эмиттером и коллектором. Особенностью изображения однопереходного транзистора является то, что символ эмиттера направлен под углом к середине изображения базы, а два вывода от базы смещены к ее краям.

В таблице 5.14 даны некоторые обозначения некоторых видов биполярных транзисторов.

 

Таблица 5.14 – Обозначения некоторых видов биполярных транзисторов

Наименование	Обозначение
Транзистор типа PNP
типа NPN
Транзистор лавинный типа NPN
Транзистор однопереходный с P -базой
Транзистор однопереходный с N -базой
Транзистор двухбазовый типа NPN
Транзистор многоэмиттерный типа NPN

 

При выполнении схем допускается выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например, так, как показано на рисунке 5.12.

 

Рисунок 5.12 – Пример обозначения транзисторов в зеркальном изображении

 

Полевые транзисторы изображают несколько иначе. Они имеют только общее изображение корпуса в виде кружка. У полевых транзисторов с р-п переходом канал изображают в виде черточки, как базу у биполярных транзисторов. Две параллельные линии справа символизируют сток и исток полевого транзистора. Линия, продолжающая исток в противоположном направлении, представляет затвор. Соединение затвора с каналом, управляющим p-n переходом, изображается стрелкой, указывающей электропроводность канала. Стрелка, направленная к общей вертикальной черте, — полевой транзистор с каналом n-типа стрелка, идущая от общей вертикальной черты — с каналом p-типа.

Примеры построения обозначений некоторых полевых транзисторов приведены в таблице 5.15.

 

Таблица 5.15 – Обозначения некоторых видов полевых транзисторов

Наименование	Обозначение
Транзистор полевой с каналом типа N
Транзистор полевой с каналом типа Р
Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: обогащенного типа с Р -каналом
обедненного типа с N -каналом

 

Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов (в модульной сетке) приведены в таблице 5.18.

 

Таблица 5.18 – Размеры условных графических обозначений полупроводниковых приборов

Наименование	Обозначение
Диод
Тиристор диодный
Транзистор биполярный
Транзистор полевой