Арифметические команды микропроцессоров Intel 8080/8085.

 

Арифметические команды предназначены для выполнения операций сложения, сложения с переносом, вычитания, вычитания с заемом, инкрементирования, декрементирования, десятичной коррекции аккумулятора. Результат всех арифметических операций остается в аккумуляторе.

ADD r (Add register). Сложение содержимого регистра (А) (А) + (r). Содержимое регистра r складывается с содержимым аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 1; периодов Т – 4; адресация – регистровая; индикаторы – Z, S, P, CY, AC.

ADD M (Add memory). Сложение данных памяти (А) (А) + М(HL). Содержимое ячейки памяти, адрес которой содержится в регистрах Н и L, складывается с содержимым аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 2; периодов Т – 7; адресация – косвенная регистровая; индикаторы – Z, S, P, CY, AC.

ADI data 8 (Add immediate). Непосредственное сложение (А) (А) + data. Содержимое байта 2 команды складывается с содержимым аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов - 2; периодов Т - 7; адресация - непосредственная.

ADC r (Add register with carry). Прибавление содержимого регистра и переноса (А) (А) + (r) + (CY). Содержимое регистра r и индикатора переноса (бит переполнения) складывается с содержимым аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 1; периодов Т – 4; адресация – регистровая; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

ADC M (Add memory with carry). Прибавление содержимого памяти и переноса (А) (А) + M(HL) + (CY). Содержимое ячейки памяти, адресом которой является содержимое пары регистров HL, и индикатора переноса складывается с содержимым аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 2; периодов Т – 7; адресация – косвенная регистровая; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

ACI data 8 (Add immediate with carry). Непосредственное сложение с учетом переноса (А) (А) + data 8 + (CY). Содержимое байта 2 команды и индикатора переноса складывается с содержимым аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 2; периодов Т – 7; адресация – непосредственная; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

 

SUB r (Subtract register). Вычитание содержимого регистра (А) (А) – (r). Содержимое регистра r вычитается из содержимого аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 1; периодов Т – 5; адресация – регистровая; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

SUB М (Subtract memory). Вычитание содержимого памяти (А) (А) – М(HL). Содержимое ячейки памяти, адрес которой является содержимым пары HL, вычитается из содержимого аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 2; периодов Т – 7; адресация – косвенная регистровая; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

SUI data 8 (Subtract immediate). Непосредственное вычитание данных (А) (А) – data 8. Содержимое байта 2 команды вычитается из содержимого аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 2; периодов Т – 7; адресация – непосредственная; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

SBB r (Subtract register with borrow). Вычитание содержимого регистра и переноса (А) (А) – (r) – (CY). Содержимое регистра r и индикатора переноса CY вычитается из содержимого аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 1; периодов Т – 5; адресация – регистровая; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

SBB М (Subtract memory with borrow). Вычитание содержимого памяти и переноса (А) (А) – М(HL) – (CY). Содержимое ячейки памяти, адрес которой является содержимым пары HL, и индикатора переноса CY вычитается из содержимого аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 2; периодов Т – 7; адресация – косвенная регистровая; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

SBI data 8 (Subtract immediate with borrow). Непосредственное вычитание данных и переноса (А) (А) – data 8 – (CY). Содержимое байта 2 команды и индикатора переноса CY вычитается из содержимого аккумулятора. Результат помещается в аккумулятор.

Циклов – 2; периодов Т – 7; адресация – непосредственная; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

INR r (Increment register). Инкремент содержимого регистра (r) (r) + 1. Содержимое регистра r увеличивается на 1. Устанавливаются все индикаторы состояния, за исключением CY.

Циклов – 1; периодов Т – 5; адресация – регистровая; индикаторы - Z, S, P, AC.

INR М (Increment memory). Инкремент содержимого памяти M(HL) M(HL) + 1. Содержимое ячейки памяти, адрес которой содержится в паре HL, увеличивается на 1. Устанавливаются все индикаторы состояния, за исключением CY.

Циклов – 3; периодов Т – 10; адресация – косвенная регистровая; индикаторы - Z, S, P, AC.

DCR r (Decrement register). Декремент содержимого регистра (r) (r) - 1. Содержимое регистра r уменьшается на 1. Устанавливаются все индикаторы состояния, за исключением CY.

Циклов – 1; периодов Т – 5; адресация – регистровая; индикаторы - Z, S, P, AC.

DCR М (Decrement memory). Декремент содержимого памяти M(HL) M(HL) - 1. Содержимое ячейки памяти, адрес которой содержится в паре HL, уменьшается на 1. Устанавливаются все индикаторы состояния, за исключением CY.

Циклов – 3; периодов Т – 10; адресация – косвенная регистровая; индикаторы - Z, S, P, AC.

INX rp (Increment register pair). Инкремент содержимого пары регистров (rp) (rp) + 1. Содержимое пары регистров rp увеличивается на 1. Не устанавливаются никакие индикаторы состояния.

Циклов – 1; периодов Т – 5; адресация – регистровая; индикаторы не изменяются.

DCX rp (Decrement register pair). Декремент содержимого пары регистров (rp) (rp) - 1. Содержимое пары регистров rp уменьшается на 1. Не устанавливаются никакие индикаторы состояния.

Циклов – 1; периодов Т – 5; адресация – регистровая; индикаторы не изменяются.

DAD rp (Add register pair to hand L). Сложить содержимое пары регистров с содержимым пары HL (HL) (HL) + (rp). Содержимое пары регистров rp складывается с содержимым пары HL. Устанавливается только индикатор CY. Он устанавливается в 1, если есть перенос при сложении с удвоенной точностью, если нет – сбрасывается в 0.

Циклов – 3; периодов Т – 10; адресация – регистровая; индикаторы - CY.

DAA (Decimal adjust accumulator). Десятичный корень аккумулятора. 8-ми разрядное число в аккумуляторе разбивается на два 4-х разрядных двоично-десятичных. Далее выполняются следующие действия:

1) если значение младшей тетрады больше 9 или устанавливается индикатор АС, то к содержимому аккумулятора добавляется 6;

2) если значение старшей тетрады аккумулятора больше 9 или устанавливается индикатор переноса CY, то 6 добавляется к значению старшей тетрады аккумулятора.

 

Циклов – 1; периодов Т – 5; индикаторы - Z, S, P, CY, AC.

 

 

Методические указания к лабораторной работе №1 «Изучение лабораторного микропроцессорного комплекта и выполнение простых программ» по дисциплине «Микропроцессорные системы автоматизации и управления», «Основы микропроцессорных систем» для студентов очной и заочной форм обучения

 

 

Составители: старший преподаватель Попова Надежда Владимировна

 

 

Подписано к печати Заказ № Формат 60/84 1/16 Отпечатано на RISO GR 3750

Бум.писч. №1 Уч.изд.л. Усл.печ.л. 1,5 Тираж 150 экз.

Издательство «Нефтегазовый университет»

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

«Тюменский государственный нефтегазовый университет»

625000, г. Тюмень,ул.Володарского,38

Отдел оперативной полиграфии издательства «Нефтегазовый университет»

625039, г. Тюмень, ул. Киевская,52