Порядок работы на ММР-4 при визуальном наблюдении

1. Включить блок питания 63 (рис.1.9) через розетку в сеть с напряжением 220 В.

2. Установить объект на предметный столик 35.

3. Установить тумблер блока питания в положение ВКЛ, вращением рукоятки добиться необходимого освещения поверхности образца.

4. Выбрать требуемое увеличение в соответствии с таблицей увеличений 2, вращая рукоятку 82.

Таблица увеличений 2

Объектив	Видимое поле в плоскости объекта	Увеличение панкрати-ческой системы	Обозначение на шкале рукоятки пакратической системы	Увеличение при визуальном наблюде- нии и фотографировании на пластинку	Увели-чение при фотогра-фирова- нии на пленку
F=25 мм А = 0,25 F=6,3мм А = 0,60     F=4,0мм А = 0,85 F=2,5мм А = 1,25	2,9 0,9 0,7     0,2 0,15   0,9	0,55 1,09 0,55 0,82 1,09 1,37 1,71   1,71	5/20 10/40 5/20 10/40 100/160   100/160

5. Наблюдая в бинокулярную насадку 68 сфокусировать микроскоп на объект рукояткой грубой настройки 75 (рычажным механизмом подъема предметного столика).

6. Окончательно сфокусировать микроскоп на объект рукояткой тонкой настройки 45.

Рис.1.9. Общий вид микроскопа ММР-4

7. Выбрать место на шлифе, которое следует подвергать анализу, перемещая столик в горизонтальной плоскости рукоятками 71.

8. При необходимости ограничения поля зрения прикрыть диафрагму 51.

9. Для изменения положения шкалы окуляра необходимо аккуратно повернуть окуляр 68.

10.Для проведения других операций на микроскопе необходимо руководствоваться инструкцией по эксплуатации ММР-4.

Оформление результатов

Отчет ведется при выполнении лабораторной работы и заполняется по следующей форме:

1. цель работы;

2. используемые методы;

3. схематические рисунки исследованных шлифов;

4. экспериментальные данные и необходимые вычисления;

5. анализ полученных результатов.

 

6. Контрольные вопросы по лабораторной работе

1. Задачи, решаемые при проведении макро- и микроанализов.

2. Основные элементы структуры, выявляемые с помощью этих методов.

3. Технология приготовления шлифов.

4. Обоснование выбора увеличения.

5. Формирование контраста в металлографических микроскопах.

6. Структура сварного соединения (макрослитка): структура шва, околошовной зоны и основного металла.

7. Причины выявления дислокаций при селективном травлении.

8. Типы дислокаций в кристаллах; плотность дислокаций.

9. Уметь схематично изображать дислокации с указанием контура, вектора Бюргерса и линии дислокации.

10. Природа малоугловых и большеугловых границ.

11. Какие дефекты наблюдали в работе? К каким видам они относятся?

12. Согласуются ли полученные результаты с теорией?

 

Р а б о т а № 2

ДИФРАКЦИОННЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

 

Цель работы

Проведение качественного рентгеноструктурного анализа.

 

Краткая теория

Дифракционные методы исследования являются основным источником сведений об атомарной структуре кристаллов, представляющей собой, как известно, правильную трехмерную периодическую последовательность. Такую последовательность можно рассматривать как дифракционную решетку для электромагнитного излучения, длина которого соизмерима с периодом этой решетки (~10^-8см). Такие длины волн соответствуют рентгеновскому излучению, а также электронам с энергией 100 кэВ и нейтронам с энергией 0,01 эВ. Соответственно существуют три метода исследования структуры материалов – рентгенографический, электронографический и нейтронографический.

Строго говоря, положения дифракционных максимумов, возникающих при рассеянии рентгеновского излучения на узлах трехмерной кристаллической решетки, описываются уравнениями Лауэ [1]. Однако русский ученый Ю.В.Вульф и независимо от него английские физики Брэгги дали простое истолкование результирующей дифракционной картины рентгеновских лучей в кристалле, объяснив это явление интерференцией “зеркально отраженных от атомных плоскостей” рентгеновских лучей (рис.2.1).

Рис.2.1. К выводу формулы Вульфа-Брэгга

Если разность хода равна целому числу длин волн, то наблюдается максимум. Из рисунка видно, что это имеет место при соблюдении особого условия, описываемого формулой Вульфа-Брэгга

n·l=2·d·sinq, (1) где - угол между падающим лучом и атомной плоскостью, - межплоскостное расстояние, - длина волны рентгеновского излучения, - целое число, называемое порядком отражения.