![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
P-N–переход, его свойства, работа. Прямое и обратное включение. Виды пробоев.Вольт-амперная характеристика. P-N–переход образуется между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, а другая – дырочную электропроводность. Образование перехода: допустим, что концентрация электронов в n-области полупроводника равна концентрации дырок в p-области. На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок, вследствие чего происходит диффузия дырок из p-области и электронов из n-области полупроводника. В результате p-область приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, а n-область— нескомпенсированный положительный заряд. Прямое подключение: когда P подключается к ‘+’, а N к ‘-‘. сопротивление уменьшается и ток, протекающий через P-N-переход, увеличивается (это диффузионный ток), дрейфовый ток снижается. Обратное подключение. Возрастает сопротивление P-N-перехода, диффузионный ток уменьшается, дрейфовый ток увеличивается. Св-ва перехода: односторонняя проводимость ( т.е. при прямом включении ток проходит, при обратном практически равен 0 ); св-ва создавать собственное диффузионное поле; св-ва накапливать электрические заряды; переход зарядов из одной области в другую (св-во инжекции ) При достижении обратным напряжением некоторой критической величины Uпроб происходит резкое уменьшение сопротивления P-N-перехода. Это явление называют пробоем. Различают электрический и тепловой пробой. Электрический делится на: Лавинный при котором происходит резкое увеличение обратного тока через переход при почти неизменном обратном напряжении; туннельный возникающий при большой напряженности электрического поля в тонком p-n-переходе между высоколегированными полупроводниками в результате туннелирования электронов из валентной зоны p-слоя в зону проводимости n-слоя. Если температура p-n-перехода возрастает в результате его нагрева обратным током и недостаточного теплоотвода, то происходит дальнейший нагрев перехода и увеличение обратного тока, что может вызвать разрушение перехода. Это тепловой пробой.
1— прямая ветвь 2—обратная ветвь при лавинном пробое 3—обратная ветвь при тепловом пробое
Полупроводниковые диоды. П/п диодом называют прибор с одним P-N-переходом и двумя Полупроводниковые приборы разделяют на 1) точечные; 2) плоскостные. По способу внесения примесей: 1) сплавные; 2) диффузионные. Типы диодов: 1. Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменных токов.
ВАХ диода Основные параметры: Iпр.max ; Uпр = (0,5 − 1,5)B; Uобр. max ; Iобр; Ppac.max; Cмеж.эл; fпред. Обозначения: Г − германий, К − кремний, А − арсенид галлия. 2. Кремниевые стабилитроны − для стабилизации напряжения. Используется работа при обратной полярности.
ВАХ стабилитрона Основные параметры: Uст; Iст.min; Iст.max.
3. Туннельные диоды, в которых используется туннельный эффект (при эл. пробое происходит тоннелирование электронов из зоны P-слоя в зону N-слоя).
ВАХ туннельного диода На ВАХ есть участок с отрицательным Rд. Основные характеристики Iп, Iп/Iв. Применяются в генераторах ВЧ колебаний, в импульсных переключателях. 4. Обращенные диоды − разновидность туннельных диодов. Они обладают вентильными свойствами там, где выпрямительные диоды не обладают. Iп − ток пика. При Iобр имеют наибольшую проводимость.
ВАХ обращенного диода 5. Варикапы − полупроводниковые диоды, у которых ёмкость С с увеличением Uобр уменьшается, т.е. это элемент с управляемой емкостью. Основные параметры: 1) общая емкость Св при U = 2−5 В. 2) Кс = Сmax/Сmin = (5÷20) − коэффициент перекрытия по емкости. Применяется в параметрических усилителях, при дистанционном управлении, в системах автоматической подстройки частоты.
Характеристика варикапа
7. Фотодиоды − используют внутренний фотоэффект.
Схема включения и ВАХ фотодиода
Солнечные фотоэлементы (батареи) на космических кораблях имеют η > 20%. Мощность солнечной батареи 200 вт/кг массы, 1кВт/м2 поверхности. Чувствительность интегральная SI = Iф/Ф (для германиевых SI < 20 mA/лм).
8) Оптроны − в одном корпусе содержат источник излучения (светодиод) и приемник излучения (фоторезистор, фотодиод и т.д.).
фоторезисторный оптрон фотодиодный оптрон Схемы включения оптронов Оптроны – быстродействующие реле, элементы связи в электронных цепях, информация передается оптически. 9. Магнитодиод − ВАХ изменяется под воздействием магнитного поля. 10. Тензодиод − ВАХ изменяется под воздействием механических деформаций. 11. Высокочастотныей диоды. 12. Импульсные диоды.
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-07; просмотров: 1134; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 44.200.168.16 (0.005 с.) |