![]()
Заглавная страница
Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь ![]() КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Биполярные транзисторы. Типы, схемы включения, режимы работы. Характеристики, параметры.
Транзистор − это п/п прибор, имеющий 2 электронно-дырочных перехода, образованных слоями N-P или P-N-типа. Имеет 3 или более выводов. Изготавливают на базе германия или кремния. Термин «биполярный» обусловлен наличием 2-х типов носителей зарядов: электронов и дырок. В зависимости от чередования областей различают транзисторы N-P-N и P-N-P-типа.
Структура биполярного транзистора
Центральный слой − называется базой (Б). Наружный слой, являющийся источником зарядов − эмиттер (Э), принимающий заряды − коллектор (К). Источник питания Э-Б Uвх включают в прямом направлении (переход Э-Б имеет малое сопротивление). На переход коллектор-база источник энергии Uвх включают в обратном направлении. Под действием Еэ электроны из эмиттера преодолевают N-P-переход и попадают в область базы, где частично рекомбинируют с дырками (рекомбинация − восстановление и воссоединение электрона и дырки), образуя ток базы Iб Обычно концентрация дырок в базе низкая и не все электроны рекомбинируют, большинство электронов вследствие диффузии и поля Ек преодолевают коллекторный P-N-переход, и в цепи Б-К образуется ток коллектора - Iк0 Когда IЭБ = 0, будет небольшой ток через коллекторный переход Iко. Он обусловлен движением неосновных носителей заряда: электронов из базы в коллектор, дырок из коллектора в базу. Коллектор предназначен для экстракции (изъятия) неосновных носителей заряда из базы. a = ΔIк/ ΔIэ при Uкб = сonst где a – коэффициент передачи тока. a = 0,9 − 0,995(Iб − мал, Iк ≈ Iэ, область n − тонкая, дырок мало и − Iб − мало)./ Транзисторы p-n-р-типа, работают аналогично, отличаются противоположными направлениями Eэ, Eк, Iб, Iэ, Iк.
Схема транзистора с ОБ
Рассмотренная схема - схема с ОБ. Применяется редко, так как мал a и мало дифференциальное входное сопротивление Rвх: Rвх = ΔUвх/ΔIвх = ΔUбэ/ΔIбэ Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) − это основная схема.
Схема транзистора с ОЭ
Эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей, Iэ = Iб + Iк
Коэффициент усиления по току с ОЭ
Так как Δ Iб = Δ Iэ – Δ Iк, то если a = 0,995, то Ki =
Достоинства: малый ток IБ, большой β, коэффициент усиления по мощности достигает нескольких тысяч. Схема с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель, так как напряжение на выходе примерно равно входному по величине и фазе) представлена на рисунке.
Схема транзисторов с ОК: Где IБ – входной ток; IЭ – выходной ток, DІЭ = DІБ – DІК Коэффициент усиления по току K I = Δ Iэ/ Δ Iб = (Δ Iб + Δ Iк)/ Δ Iб
Выходная характеристика транзистора
Используется для построения специальных каскадов, имеет большие Rвх и малое Rвых. Основные характеристики и параметры транзисторов с ОЭ : Iк(Uкэ) при Iб = const – выходные характеристики; Iб(Uбэ) при Uкэ = const – входная характеристика ; Iк(Uбэ) при Uкэ = const – передаточная характеристика.
а б Входная и передаточная характеристики: а - входная; б - передаточная
Параметры: 1) дифференциальное выходное сопротивление (определяется по выходной характеристике)
2) дифференциальное входное сопротивление (определяется по входной характеристике) Rвх =Δ Uбэ/Δ Iб при Uбэ = const;
3) крутизна S = Δ Iк/Δ Uбэ п=Δ Uбэ при Uкэ = const; 4) статический коэффициент усиления μ = SRвых ≈ SRк. Для расчета и анализа цепей с биполярными транзисторами используются h-параметры. Считают Iб и Uкэ независимыми переменными, a UбЭ и Iк − зависимыми, т. е, Uбэ = F1(Iб,Vкэ), Iк = F2(Iб, Uкэ), Обычно h-параметры определяют по характеристикам: h11 = Δ Uбэ/ Δ Iб при Uкэ = const (∆Uкэ = 0) – Rвх, Ом; Безразмерный коэффициент обратной связи по напряжению: h12 = Δ Uбэ/ Δ Uкэ при Iб = const. (h12 = 0,002−0,0002 – мало, можно пренебречь). Коэффициент передачи по току, безразмерный: h21 = Δ Iк/ Δ Iб при Uкэ = const. Выходная проводимость h22 = Δ Iк/ Δ Uкэ при Iб = const. Схема замещения (h12 = 0). Существуют следующие ограничения: Pк = Iк · Uкэ ≤ Pк.max − для предотвращения перегрева коллектора; Uкэ ≤ Uкэ.mах − во избежание пробоя коллекторного перехода, Iк ≤ ≤ Iк.mах − во избежание перегрева эмиттерного перехода. Для повышения Pк.mах делают транзисторные сборки на Iк до 500 А.
Схема замещения транзистора
Биполярные транзисторы широко применяются в усилителях, генераторах, логических и импульсных устройствах. Поможем в ✍️ написании учебной работы
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-07; просмотров: 223; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.205.176.39 (0.018 с.) |