![]() Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву ![]() Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления
|
Биполярные транзисторы. Типы, схемы включения, режимы работы. Характеристики, параметры.
Транзистор − это п/п прибор, имеющий 2 электронно-дырочных перехода, образованных слоями N-P или P-N-типа. Имеет 3 или более выводов. Изготавливают на базе германия или кремния. Термин «биполярный» обусловлен наличием 2-х типов носителей зарядов: электронов и дырок. В зависимости от чередования областей различают транзисторы N-P-N и P-N-P-типа.
Структура биполярного транзистора
Центральный слой − называется базой (Б). Наружный слой, являющийся источником зарядов − эмиттер (Э), принимающий заряды − коллектор (К). Источник питания Э-Б U вх включают в прямом направлении (переход Э-Б имеет малое сопротивление). На переход коллектор-база источник энергии U вх включают в обратном направлении. Под действием Е э электроны из эмиттера преодолевают N-P-переход и попадают в область базы, где частично рекомбинируют с дырками (рекомбинация − восстановление и воссоединение электрона и дырки), образуя ток базы I б Обычно концентрация дырок в базе низкая и не все электроны рекомбинируют, большинство электронов вследствие диффузии и поля Е к преодолевают коллекторный P-N-переход, и в цепи Б-К образуется ток коллектора - I к0 Когда I ЭБ = 0, будет небольшой ток через коллекторный переход I ко. Он обусловлен движением неосновных носителей заряда: электронов из базы в коллектор, дырок из коллектора в базу. Коллектор предназначен для экстракции (изъятия) неосновных носителей заряда из базы. a = Δ I к/ Δ I э при U кб = сonst где a – коэффициент передачи тока. a = 0,9 − 0,995(I б − мал, I к ≈ I э, область n − тонкая, дырок мало и − Iб − мало)./ Транзисторы p-n-р-типа, работают аналогично, отличаются противоположными направлениями E э, E к, I б, I э, I к.
Схема транзистора с ОБ
Рассмотренная схема - схема с ОБ. Применяется редко, так как мал a и мало дифференциальное входное сопротивление R вх: R вх = Δ Uвх /Δ Iвх = Δ Uбэ /Δ I бэ Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ) − это основная схема.
Схема транзистора с ОЭ
Эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей, I э = I б + I к
Коэффициент усиления по току с ОЭ
Так как Δ I б = Δ I э – Δ Iк, то если a = 0,995, то Ki =
Достоинства: малый ток I Б, большой β, коэффициент усиления по мощности достигает нескольких тысяч. Схема с общим коллектором (ОК) (эмиттерный повторитель, так как напряжение на выходе примерно равно входному по величине и фазе) представлена на рисунке.
Схема транзисторов с ОК: Где I Б – входной ток; I Э – выходной ток, D І Э = D І Б – D І К Коэффициент усиления по току K I = Δ I э/ Δ I б = (Δ I б + Δ Iк)/ Δ I б
Выходная характеристика транзистора
Используется для построения специальных каскадов, имеет большие R вх и малое R вых. Основные характеристики и параметры транзисторов с ОЭ: I к(U кэ) при I б = const – выходные характеристики; I б(U бэ) при U кэ = const – входная характеристика; I к(U бэ) при U кэ = const – передаточная характеристика.
а б Входная и передаточная характеристики: а - входная; б - передаточная
Параметры: 1) дифференциальное выходное сопротивление (определяется по выходной характеристике)
2) дифференциальное входное сопротивление (определяется по входной характеристике) R вх =Δ U бэ/Δ I б при U бэ = const;
3) крутизна S = Δ I к/Δ U бэ п=Δ U бэ при U кэ = const; 4) статический коэффициент усиления μ = SR вых ≈ SR к. Для расчета и анализа цепей с биполярными транзисторами используются h -параметры. Считают I б и U кэ независимыми переменными, a U бЭ и I к − зависимыми, т. е,
U бэ = F 1(I б, V кэ), I к = F 2(I б, U кэ), Обычно h -параметры определяют по характеристикам: h 11 = Δ U бэ/ Δ I б при U кэ = const (∆ U кэ = 0) – R вх, Ом; Безразмерный коэффициент обратной связи по напряжению: h 12 = Δ U бэ/ Δ U кэ при I б = const. (h 12 = 0,002−0,0002 – мало, можно пренебречь). Коэффициент передачи по току, безразмерный: h 21 = Δ I к/ Δ I б при U кэ = const. Выходная проводимость h 22 = Δ I к/ Δ U кэ при I б = const. Схема замещения (h 12 = 0). Существуют следующие ограничения: P к = I к · U кэ ≤ P к.max − для предотвращения перегрева коллектора; U кэ ≤ U кэ.mах − во избежание пробоя коллекторного перехода, I к ≤ ≤ I к.mах − во избежание перегрева эмиттерного перехода. Для повышения P к.mах делают транзисторные сборки на I к до 500 А.
Схема замещения транзистора
Биполярные транзисторы широко применяются в усилителях, генераторах, логических и импульсных устройствах.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-07; просмотров: 302; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 44.200.112.172 (0.021 с.) |