Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Оборудование для проведения термический диффузии в технологии изготовления ИМССодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
При проведении диффузионного процесса обычно используется нечистые легирующие элементы, а их соединения, обладающие более высоким коэффициентом диффузии, обеспечивающие больший поток легирующей примеси и являющиес более технологичным. Такие соединения получили название диффузантов. В зависимости от агрегатного состояния в котором диффузанты находятся при комнатной температуре различают твердые, жидкие и газообразные. Наибольшей технологичностью обладают газообразные диффузанты, которые легко достигают легирование примесей к поверхности п/п. Рассмотрим упрощенную схему диффузионной печи.
В качестве основного носителя газового потока в данной установке используется Ar. О2 используется для смягчения режима диффузии путем незначительного окисления поверхности п/п пластины. Постановка диффузанта в диффузионные печи обеспечивается путем продувки Ar через жидкость, температура которой поддерживается в заданном диапазоне. Кварцевая труба имеет длину порядка 4-5м, причем рабочая зона, в которой происходит процесс диффузии составляет порядка 2-3 м. В районе рабочей зоны обеспечивается поддержание температуры с точностью до (диапазон Т°С до 1250°С). Для обеспечения групповой обработки пластин их загрузка в диффузионную печь осуществляется с помощью специальной технологической оснастки - лодочки.
Для повышения равномерности легированияпо площади пластины и по лодочки в процессе диффузии лодочка с пластинами обычно совершает возвратно-поступательные движения внутри рабочей зоны кварцевой трубы. Для обеспечения хорошей воспроизводимости технологического процесса диффузию примеси обычно проводят при полной загрузке лодочки. В случае небольшого количества легируемых пластин свободное место в лодочке заставляет балластом (нерабочими пластинами).
Упрощенный цикл диффузионного процессаможно представить в следующем виде:
Управление диффузионной печью(измерение t°С, вкл. и выкл. газов) автоматизировано и устанавливаются с помощью специального программатора. Для повышения производительности одна диффузионная печь обычно содержит 3 или 6 кварцевых труб, каждая из которых имеет автономное управление. Присутствие О2 во время диффузионного процесса значительно повышает стабильность легирования, но при этом приводит к росту на поверхности п/п пластины тонкий окисной пленки, которая снижает коэффициент диффузии. В настоящее время для проведения диффузионных процессов на п/п пластинах большого Ø стали применяться диффузионные печи с вертикальным расположением каналов. Применение таких печей дает возможность улучшать равномерность легирования по всей площади пластины. Ионное легирование
Рассмотренные ранее процессы термической диффузии имеют ряд недостатков и существующих ограничений:
Для устранения недостатков был разработан метод ионного легирования, который заключается в следующем. Поток ионов, легируемого элемента, ускоряется до энергии от 103 до 106 В, затем осуществляется сепарирование ионного пучка и бомбардировка ионным пучком поверхности п/п пластины. В результате происходит внедрение (имплантация) ионов легирующего элемента в приповерхностную область п/п. Очевидно, что плотность и профиль распределения легирующей примеси зависит от типа легирующего элемента, энергии ионов и количества ионов, прошедших через поперечное сечение. Для прояснения принципа ионного легирования рассмотрим упрощенную схему ионного ускорения, применяемого в технологии производства ИМС.
Источник ионов (1) за счет использования материала мишени обеспечивает перевод легирующего элемента в газо или парообразное состояние последующей ионизацией. Заряженный пучок ионов вытягивается электрическим полем (не менее 10КэВ), создаваемый электродом (2). Полученный пучок ионов фокусируется электростатической линзой (3). Затем с помощью каскадного ускорителя (4) конечный пучок ускоряется до энергии, необходимых для осуществления легирования. С помощью корректирующих пластин (5) обеспечивается прохождение ионного пучка через диафрагму (6) и попадания его в электромагнитный сепаратор (7). В электромагнитном сепараторе происходит разделение ионов в соответствии с их массой. В результате на выходе сепаратора получается только ионный пучок, легируемого элемента. С помощью пластин (8) можно обеспечить сканирование ионным пучком поверхности п/п пластины (10), которая размещается на специальном держателе (9). Вся система ионного легирования находится в вакууме (107-108 Па) начиная с (2) и кончая держателем п/п пластины. В качестве держателя (9) п/п пластин, обычно используется специальный барабан, обеспечивающий вращение пластин. В результате за счет механического перемещения пластин и электрического сканирования ионным пучком поверхности всех пластин облучается равномерно. В некоторых установленных для производительности облучения проводят в расфокусированным ионным пучком.
При ионном легировании необходимо определить 2 основных факта:
Падающий ионный пучок можно разделить на 2 составляющие 1 – составляющая часть рассеивается в приповерхностной области п/п за счет взаимодействия, как с ядрами, находящиеся в узлах кристаллической решетки, так и с электрическими оболочками атомов. Для этой составляющей структуру п/п можно считать аморфной. 2-я составляющая пучка после преломления на поверхности кристалла, начинает двигаться в направлении параллельном узлам кристаллической решетки.
Движение ионов в междоузлием пространстве без столкновения с узлами кристаллической решетки, называют каналированием. При каналировании торможение ионов осуществляется только за счет взаимодействия с электрическими оболочками атомов и длина свободного пробега значительно превосходит длину пробега ионов в пространственной области. При ионном легировании каналированиесчитается нежелательным эффектом и его стремящиеся минимизировать путем подбора угла падения ионов на поверхность пластины. В случае отсутствия каналирования, можно считать что ионы рассеиваются в аморфном теле. Для этого случая распределение ионов по глубине кристалла носит случайный характер и определяется распределение Гаусса. , где - проекция вектора среднего пробега ионов на направление первоначального распределения ионного пучка. - средняя длина пробега - среднее квадратичное отклонение - повышенная концентрация ионов легируемого элементов
Рассчитанный с помощью данной формулы и рассчитанный экспериментально профиль распадения легируемой примеси от энергетических ионов. Как видно из рисунка с ↑ энергии ионов max концентрация смещается в глубь кристалла, причем для любой энергии ионов max концентрация примеси начинается не на поверхности, на в объёме п/п. Обычно глубина имплантации ионов ограничивается глубиной в 1 микрон. Однако при большой энергии ионов (около 1 МэВ) max концентрация легирующей примеси может сместиться в глубь кристалла, в результате чего в п/п возникает скрытый слой. Основным приемом ионного легирования является возможность прецизионнымм управлением концентрацией и профилем распределения легируемой примеси, а так же min уход легирующей примеси за край маски. (практическое отсутствие боковой диффузии). В результате метод ион легирования является основным в технологии производства СБИС для получения мелких pn переходов п/п приборов с малыми проектными нормами. Ионное легирование часто используется при необходимости введения малых доз примесных элементов, например, при управлении пороговым напряжения МДП тр. путем введения в канал примеси с небольшой концентрацией. После введения примеси ионным легированием для активации примеси и устранения радиационного эффекта проводят термический отжиг пластин. Для минимизации используют фотонный отжиг, при котором нагрев пластины обусловлен ее освещением.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-19; просмотров: 1146; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.135.206.19 (0.009 с.) |