Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
H-параметры транзистора, включенного по схеме с ОЭ.Содержание книги
Поиск на нашем сайте
h-параметры транзистора, включенного по схеме с ОЭ, могут быть измерены с помощью схемы для снятия статических характеристик тиристора с ОЭ. Для схемы с ОЭ:
- выходное дифференциальное сопротивление транзистора в заданной точке. - коэффициент ОС по напряжению. - коэффициент усиления по току (= ). - выходная проводимость. При любой схеме включения h-параметры связаны с собственными параметрами транзистора. Например, для схемы ОБ:
Для схемы ОЭ: Из этих формул можно определить собственные параметры, если известны h-параметры. В табл.2 для схем ОЭ и ОБ указаны значения h-параметров, причем вместо дано выходное сопротивление . Таблица 2. Значения h-параметров
Формулы, связывающие h-параметры для всех трех схем включения транзистора, даны в табл.3. Таблица 3.
а) б) Рис.21.Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ. Находятся h-параметры транзистора по его статическим характеристикам для заданной точки в соответствии с формулами, приведенными выше. Причем необходимы не менее двух входных и двух выходных характеристик. В справочниках обычно приводятся две входные характеристики, например, и , а также семейство выходных характеристик. В качестве примера найдем h-параметры транзистора для схемы ОЭ. Из выходных характеристик (рис. 21,б) можно найти для заданной точки Т параметры и . По приращениям и между точками А и Б при постоянном напряжении получим: Отношение приращений и между точками В и Г при постоянном токе базы дает возможность определить: , что соответствует выходному сопротивлению 40 кОм. На входной характеристике (рис.21, а) указана точка Т для того же режима, что и на выходных характеристиках. По приращениям и между точками А и Б при постоянном напряжении находим: Для определения необходимо иметь не менее двух входных характеристик, снятых при разных . Для нашего случая: При определении h-параметров для схемы с ОБ следует учитывать, что определение параметров и по семейству выходных характеристик дает большую погрешность из-за наклона последних и как следствие невозможностью точно определить величину , соответствующую выбранному значению при расчете и прироста при изменении при определении . , .
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-19; просмотров: 280; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.128.198.90 (0.008 с.) |