Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
H-параметры транзистора, включенного по схеме с ОЭ.Содержание книги
Поиск на нашем сайте
h-параметры транзистора, включенного по схеме с ОЭ, могут быть измерены с помощью схемы для снятия статических характеристик тиристора с ОЭ. Для схемы с ОЭ:
При любой схеме включения h-параметры связаны с собственными параметрами транзистора. Например, для схемы ОБ:
Для схемы ОЭ:
Из этих формул можно определить собственные параметры, если известны h-параметры. В табл.2 для схем ОЭ и ОБ указаны значения h-параметров, причем вместо Таблица 2. Значения h-параметров
Формулы, связывающие h-параметры для всех трех схем включения транзистора, даны в табл.3. Таблица 3.
а)
б) Рис.21.Входные (а) и выходные (б) характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ. Находятся h-параметры транзистора по его статическим характеристикам для заданной точки в соответствии с формулами, приведенными выше. Причем необходимы не менее двух входных и двух выходных характеристик. В справочниках обычно приводятся две входные характеристики, например, Из выходных характеристик (рис. 21,б) можно найти для заданной точки Т параметры Отношение приращений
На входной характеристике (рис.21, а) указана точка Т для того же режима, что и на выходных характеристиках. По приращениям
Для определения
При определении h-параметров для схемы с ОБ следует учитывать, что определение параметров
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-19; просмотров: 365; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.216.152 (0.005 с.) |