Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Схема включения с общим коллектрором (ОК)
Статические характеристики ОЭ и ОК примерно одинаковые. В отличие от схемы с ОЭ в схеме с ОК нагрузочный резистор включают не в цепь К, а в цепь Э и выходное напряжение снимают не с К VT, а с указанного нагрузочного резистора в цепи Э (рис. 12). Особенность данной схемы состоит в том, что входные и выходные напряжения сигнала действуют в одной цепи Б-Э. Причём приросты напряжения, создаваемые источником с-ла, вызывают близкие по значению приросты падения напряжения на нагрузочном резисторе Rэ, но противоположной полярности. Поэтому непосредственно между Б и Э будет приложена разность указанных приростов напряжения, которая во много раз меньше прироста напряжения источника с-ла, поступающего на Б VT в отсутствие Rэ, то есть в схеме с ОЭ. Соответственно будут меньшими и приросты токов в VT, в частности тока Б. Последним объясняется то, что схема с ОК имеет наибольшее из всех схем включение VT дифференциальное входное сопротивление (Rвх.к. может при Uкэ=const. составлять десятки кОм.).Выходное сопротивление схемы с ОК наименьшее из всех схем включения VTа (десятки-сотни Ом.). Очевидно, что в данной схеме прирост падения напряжения на Rэ, то есть Uвых всегда меньше Uвх. Это означает, что схема с ОК не даёт усиления по напряжению. В то же время схема с ОК даёт усиление по току и мощности. Статические характеристики VT снимаются при отсутствии нагрузочного резистора (Rк=Rэ=0). Но в этом случае схема с ОК превращается в схему с ОЭ. Поэтому статические характеристики для схемы с ОК те же, что и для схемы с ОЭ.
Выводы: 1.Схема с ОК вносит усиление по I и P, но не даёт усиление по напряжению. 2.Схема с ОК имеет наибольшее из всех схем включения VT входное и наименьшее выходное сопротивление.
Для удобства сравнения основные свойства всех трёх схем включения транзисторов сведены в таблицу 1. Таблица 1. Важнейшие параметры основных схем включения транзисторов.
§4 Влияние температуры на статические характеристики VTа.
Изменения температуры окружающей среды влияют на температуру р-n-переходов VTов. Это приводит к изменению токов VTов (т.к. изменяется число носителей заряда в р- и n- областях) и, следовательно, влияет на статические характеристики VTов. Так, при изменении температуры окружающей среды от tн до t входная характеристика сдвигается примерно на ΔUэб= 0,002 (tн- t) (В),
где tн – температура, при которой снималась приводимая в справочнике характеристика (обычно +20 или +25 °С). Влияние температуры окружающей среды на входные характеристики VTа изображено на рис.16.
Рис. 16. Влияние температуры окружающей среды на входные характеристики VTa.
При повышении температуры одному и тому же значению тока соответствует меньшее значение напряжения (и наоборот). Столь большое увеличение прямого тока через р-n-переход можно объяснить следующим образом. Значительное повышение температуры вызывает усиленную ионизацию атомов n/na, в результате чего резко возрастает число носителей заряда в каждой из областей р-n-перехода. В частности, в р-области возрастает число свободных электронов, и они переходят в n-область, где компенсируют положительные заряды атомов донорной примеси. В обратном направлении переходит большее число дырок, компенсирующих отрицательные заряды атомов акцепторной примеси. В результате резко снижается потенциальный барьер и возрастает прямой ток через р-n-переход. Изменения температуры оказывают влияние и на выходные характеристики. Причиной этого влияния является температурные изменения обратного тока К IКБО, являющегося составной частью и тока К и тока Б. Степень влияния температурных изменений тока IКБО на выходные характеристики в схемах с ОБ и с ОЭ различна. В схеме с ОБ выходные характеристики снимаются при фиксированных значениях тока Э, которые не зависят от тока Б и его составляющей IКБО. Поэтому влияние температурных изменений тока IКБО на выходные характеристики в схемах с ОБ проявляется лишь в том, что к управляемому току К добавляется ток IКБО. Т.к. ток К у VTов малой мощности имеет порядок единиц и десятков мА, относительное изменение его за счет температурного прироста тока IКБО получается настолько незначительным, что им в большинстве случаев можно пренебречь.
Посмотрим теперь, как температурный прирост тока IКБО повлияет на выходные характеристики в схеме с ОЭ. При температуре 20°С IКБО ≈ 5мкА IК ≈ IЭ = IКОБ / (1 - α) = 5 / (1 – 0.98) = 250 мкА При повышении температуры до 70°С IКБО увеличивается до 160 мкА следовательно IК ≈ IЭ = 160 / (1 - 0,98) = 8 мА
Таким образом, все выходные характеристики семейства сместятся вверх на 8 мА (рис.17), т.е. влияние температуры на выходные характеристики в схеме с ОЭ достаточно большое.
Рис.17. Влияние температуры о.с. на выходные характеристики VT при включении с ОЭ.
В VTых усилителях и других устройствах принимаются меры по температурной стабилизации режима работы VTов, о чем будет сказано далее.
Выводы: 1. Изменения t° о.с. влияют на статические характеристики VTа: на входные – за счет изменения количества носителей заряда р-и n-областях, на выходные – из-за изменения величины обратного тока К. 2. Входная характеристика сдвигается примерно на 2 мВ на 1°С. 3. Выходные характеристики в схеме с ОЭ намного сильнее подвержены температурному влиянию, чем в схеме с ОБ.
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-19; просмотров: 249; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 13.58.151.231 (0.007 с.) |