Эксперименты с использованием ионных микропучков

Данные эксперименты позволяют не только определить параметры чувствительности исследуемых ИС и ПП к эффектам ОС, но и выявить локализацию и размеры чувствительных областей на кристалле, ответственных за тот или иной вид ОС. Такая информация особенно важна при разработке ИС и ПП, стойких к эффектам ОС, и при выборе технологических и схемотехнических методов повышения стойкости к данным эффектам. Данные эксперименты как правило дорогостоящие и технически сложные. Обычно здесь приходится разрабатывать специальные технические средства, обеспечивающие изменение размера пятна ионного пучка, а также сканирование ионного пучка по поверхности кристалла.

Эксперименты с использованием имитаторов

В ряде случаев возможна оценка параметров чувствительности ИС и ПП к эффектам ОС с помощью экспериментов с использованием импульсного сфокусированного лазерного излучения пикосекундного диапазона. При проведении таких экспериментов необходимо обеспечить сканирование лазерного пучка по поверхности кристалла и изменение размера светового пятна. Существенным недостатком, ограничивающим применение лазерных имитаторов, является то, что лазерный луч отражается от слоев металлизации, расположенных на поверхности кристалла. Поскольку по мере уменьшения топологической нормы проектирования ИС и повышения степени интеграции доля поверхности кристалла, закрытая слоями металлизации, увеличивается (и стремится к 100 %), возможности использования данного метода исследований существенно сокращаются. Однако на этапе отработки конструкции и технологии ИС, стойких к эффектам ОС, данные методы могут быть весьма полезными (особенно при их использовании применительно к специально подготовленным тестовым образцам), и кроме того, они могут быть легко внедрены в технологический процесс изготовления ИС и ПП.

ЛИТЕРАТУРА

1. Mazur J. The Radiation Environment Outside and Inside the Spacecraft // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. II-1 – II-69.

2. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980.

3. Ладыгин Е.А. Радиационная технология твердотельных электронных приборов. М.: ЦНИИ «Электроника», 1976.

4. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М.: Радио и связь, 2004.

5. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М.: Радио и связь, 1994.

6. Улимов В.Н., Кононенко А.И. и др. Методические указания по определению состояния и продлению срока службы кабелей атомных станций с учетом воздействия на них повреждающих факторов проектных аварий. РД ЭО 0496-03. Концерн «Росэнергоатом», 2003.

7. Физические величины: Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Михайлова.
М.: Энергоатомиздат, 1991.

8. Таперо К.И. Кинетика накопления и отжига радиационных дефектов в активных областях кремниевых МОП и КМОП структур. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1997.

9. Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Горюнов Н.Н. и др. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Первичные процессы образования радиационных центров в полупроводниковых кристаллах. М.: МИСиС, 1994.

10. Ладыгин Е.А., Паничкин А.В., Горюнов Н.Н. и др. Основы радиационной технологии микроэлектроники. Механизмы образования и физическая природа радиационных центров в полупроводниковых структурах. М.: МИСиС, 1994.

11. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Науки и техника, 1978.

12. Weatherford T. From Carriers to Contacts, a Review of SEE Charge Collection Processes in Devices // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. IV-1 – IV-53.

13. Schwank J. Total Dose Effects in MOS Devices // Radiation Effects — From Particles to Payloads. IEEE NSREC Short Course, 2002. P. III-1 – III-123.

14. Киреев П.С. Физика полупроводников: Учебное пособие для ВТУЗов. М.: Высшая школа, 1969.

15. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов Г.М. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М.: Энергоатомиздат, 1988.

16. Helms C.R., Poindexter E.H. The Silicon–Silicon-Dioxide Sistem: Its Microstructure and Imperfections // Rep. Prog. Phys. 1994. N 57. P. 791–852.

17. Паничкин А.В. Управление электрофизическими параметрами кремниевых МДП- и КМДП-структур при радиационно-термической обработке. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. 1987.

18. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т. М.: Мир, 1984.

19. Conley J.F., Lenahan P.M., Roitman P. Electron Spin Resonance Study of E’ Trapping Centers in SIMOX Buried Oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. Vol. 38, N 6. P. 1247–1252.

20. Herve D., Leray J.L., Devine A.B. Comparative Study of Radiation-Induced Electrical
and Spin Active Defects in Buried SiO₂ Layers // J. Appl. Phys. 1992. Vol. 72, N 8.
P. 3634–3640.

21. Boesch H.E. Jr., McGarrity J.M., McLean F.B. Temperarure- and Field-Dependent Charge Relaxation in SiO₂ Gate Insulators // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1978. Vol. 25, N 3. P. 1012–1016.

22. Boesch H.E. Jr., McLean F.B., McGarrity J.M., Winokur P.S. Enhanced Flatband Voltage Recovery in Hardened Thin MOS Capasitors // IEEE Trans. Nucl. Sci. P. 1239–1245.

23. Warren W.L., Shaneyfelt M.R., Fleetwood D.M. et al. Microscopic Nature of Border Traps in MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. Vol. 41, N 6. P. 1817–1827.

24. Shaneyfelt M.R., Schwank J.R., Fleetwood D.M. et al. Field Dependence of Interface-Trap Buildup in Polysilicon and Metal Gate MOS Divices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. Vol. 37. P. 1632–1640.

25. Dozier C.M., Brown D.B. Photon Energy Dependence of Radiation Effects in MOS Structures // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. Vol. 27, N 6. P. 1694–1699.

26. Dozier C.M., Brown D.B. Effects of Photon Energy on the Response of MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1981. Vol. 28, N 6. P. 4137–4141.

27. Brown D.B., Dozier C.M. Electron-Hole Recombination in Irradiated SiO₂ from a Microdosimetry Viewpoint // IEEE Trans. Nucl. Sci. P. 4142–4144.

28. Dozier C.M., Fleetwood D.M., Brown D.B., Winokur P.S. An Evaluation of Low-Energy X-Ray and Cobalt-60 Irradiations of MOS Transistors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34, N 6. P. 1535–1539.

29. Srour J.R., Curtice O.L. Jr., Chiu K.Y. Charge Transport Studies in SiO₂: Procesing Effects and Implications for Radiation Hardening // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1974. Vol. 21, N 6. P. 73–80.

30. Fleetwood D.M., Winokur P.S., Schwank J.R. Using Laboratory X-Ray and Co-60 Irradiations to Predict CMOS Device Response in Strategic and Space Environments // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. Vol. 35, N 6. P. 1497–1505.

31. Fleetwood D.M., Winokur P.S., Meisenheimer T.L. Hardness Assurance for Low-Dose Space Applications // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. Vol. 38, N 6. P. 1552–1559.

32. Schwank J.R., Winokur P.S., McWhorter P.J. et al. Physical Mechanisms Contributing to Device Rebound // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1984. Vol. 31, N 6. P. 1434–1438.

33. Derbenwick G.F., Sander H.H. CMOS Hardness for Low-Dose-Rate Environments // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1977. Vol. 24, N 6. P. 2244–2247.

34. Kuboyama S., Goka T., Tamura T. A Bias Voltage Dependence of Trapped Hole Annealing and Its Measurement Technique // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. Vol. 38, N 6. P. 1140–1144.

35. Lelis A.J., Boesch H.E. Jr., Oldham T.R., McLean F.B. Reversibility of Trapped Hole Charge // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. Vol. 35, N 6. P. 1186–1191.

36. Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Reiwe L.C. et al. The Role of Border Traps in MOS High-Temperature Postirradiation Annealing Response // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993. Vol. 40, N 6. P. 1323–1334.

37. Fleetwood D.M., Miller S.L., Reber R.A. et al. New Insights into Radiation-Induced Oxide-Trap Charge Through Thermally-Stimulated-Current (TST) Measurement and Analysis // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. 39, N 6. P. 2192–2203.

38. McWhorter P.J., Miller S.L., Miller W.M. Modeling the Anneal of Radiation-Induced Trapped Holes in a Varying Thermal Environment // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. Vol. 37, N 6. P. 1682–1689.

39. Oldham T.R., Lelis A.J., McLean F.B. Spatial Dependence of Trapped Holes Determined from Tunneling Analysis and Measured Anneaking // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. Vol. 33, N 6. P. 1203–1209.

40. McWhorter P.J., Miller S.L., Dellin T.A. Modeling the Memory Retention Characteristics of SNOS Transistors in a Varying Thermal Environment // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68, N 4. P. 1902–1908.

41. Schwank J.R., Winokur P.S., Sexton F.W. et al. Radiation-Induced Interface-State Generation in MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. Vol. 33, N 6. P. 1178–1184.

42. Saks N.S., Dozier C.M., Brown D.B. Time Dependence of Interface Trap Formation in MOSFETs Following Pulsed Irradiation // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. Vol. 35, N 6.
P. 1168–1177.

43. Boesch H.E. Jr. Time-Dependent Interface Trap Effects in MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. Vol. 35, N 6. P. 1160–1167.

44. Shaneyfelt M.R., Schwank J.R., Fleetwood D.M. et al. Interface Trap Buildup Rates in Wet and Dry Oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. 39, N 6. P. 2244–2251.

45. Saks N.S., Brown D.B., Rendell R.W. Effects of Switched Bias on Radiation-Induced Interface Trap Formation // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. Vol. 38, N 6. P. 1130–1139.

46. Winokur P.S., Boesch H.E. Jr., McGarrity J.M., McLean F.B. Field- and Time-Dependent Radiation Effects at the Si/SiO₂ Interface of Hardened MOS Capacitors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1977. Vol. 24, N 6. P. 2113–2118.

47. Schwank J.R., Sexton F.W., Fleetwood D.M. et al. Temperature Effects on the Radiation Response of MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. Vol. 35, N 6. P. 1432–1437.

48. Schwank J.R., Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R. et al. Latent Interface-Trap Buildup and Its Implications for Hardness Assurance // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. 39, N 6. P. 1953–1963.

49. Griscom D.L. Diffusion of Radiolytic Molecular Hydrogen as a Mechanism for the Post-Irradiation Buildup of Interface States in SiO₂-on-Si Structures // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 58, N 7. P. 2524–2533.

50. Fleetwood D.M. Border Traps in MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. 39, N 2. P. 169–271.

51. Winokur P.S., Sexton F.W., Schwank J.R. et al. Total-Dose Radiation and Annealing Studies: Implications for Hardness Assurance Testing // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. Vol. 33, N 6. P. 1343–1351.

52. Lelis A.J., Oldham T.R., DeLancey W.M. Response of Interface Traps During High-Temperature Anneals // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. Vol. 38, N 6. P. 1590–1597.

53. Fleetwood D.M., Thome F.V., Tsao S.S. et al. High-Temperature Silicon-On-Insulator Electronics for Space Nuclear Power Systems: Requirements and Feasibility // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1988. Vol. 35, N 5. P. 1099–1112.

54. Winokur P.S., Sokoloski M.M. Comparison of Interface State Buildup in MOS Capacitors Subjected to Penetrating and Nonpenetrating Radiation // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 28, N 10. P. 627–630.

55. Winokur P.S., McGarrity J.M., Boesch H.E. Jr. Dependence of Interface-State Buildup on Hole Generation and Transport in Irradiated MOS Capacitors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1976. Vol. 23, N 6. P. 1580–1585.

56. Powell R.J., Derbenwick G.F. Vacuum Ultraviolet Radiation Effects in SiO₂ // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1971. Vol. 18, N 6. P. 99–105.

57. Winokur P.S., Boesch H.E. Jr., McGarrity J.M., McLean F.B. Two-Stage Process for Buildup of Radiation-Induced Interface States // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, N 5. P. 3492–3495.

58. McLean F.B. A Framework for Understanding Radiation-Induced Interface States in SiO₂ MOS Structures // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1980. Vol. 27, N 6. P. 1651–1657.

59. Brown D.B., Saks N.S. Time-Dependence of Radiation-Induced Interface Trap Formation in Metal-Oside-Semiconductor Devises as a Function of Oxide Thickness and Applied Field // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70, N 7. P. 3734–3747.

60. Schwank J.R., Fleetwood D.M., Winokur P.S. et al. The Role of Hydrogen in Radiation-Induced Defect Formation in Polysilicon Gate MOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1987. Vol. 34, N 6. P. 1152–1158.

61. Rashkeev S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Defect Generation by Hydrogen at the Si-SiO₂ Interface // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87, N 16. 165506/1–4.

62. Rashkeev S.N., Fleetwood D.M., Schrimpf R.D., Pantelides S.T. Proton-Induced Defect Generation at the Si-SiO₂ Interface // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2001. Vol. 48, N 6. P. 2086–2092.

63. Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R., Schwank J.R. Simple Method to Estimate Oxide-Trap, Interface-Trap and Border-Trap Charge Densities in Metal-Oxide-Semiconductor Transistors // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64, N 15. P. 1965–1967.

64. Schwank J.R., Dawes W.R. Jr. Irradiated Silicon Gate MOS Device Bias Annealing // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1983. Vol. 30, N 6. P. 4100–4104.

65. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах / Под ред. Т.М. Агаханяна. М.: Энергоатомиздат, 1989.

66. Boesch H.E. Jr. Interface-State Generation in Thick SiO₂ Layers // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. Vol. 29, N 6. P. 1446–1451.

67. Boesch H.E. Jr., McLean F.B. Hole Transport and Trapping in Field Oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1985. Vol. 32, N 6. P. 3940–3945.

68. Shaneyfelt M.R., Dodd P.E., Draper B.L., Flores R.S. Challenges in Hardening Technologies Using Shallow-Trench Isolation // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1998. Vol. 45, N 6. P. 2584–2592.

69. Мещуров О.В., Таперо К.И., Емельянов В.В. и др. Дозиметрический контроль на борту космических аппаратов с помощью МДП-дозиметров // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2003. Вып. 4. С. 34–38.

70. Мещуров О.В., Емельянов В.В., Таперо К.И., Филимонов А.В., Артемов А.Д. Исследование радиационной стойкости оптоэлектронных приборов // Н.-техн. сб. «Радиационная стойкость электронных систем». 2005. Вып. 8. С. 169–170.

71. Романенко А.А. Влияние ионизирующего излучения низкой интенсивности на биполярные изделия электронной техники // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2002. Вып. 4. С. 121–132.

72. Pease R.L., Cohn L.M., Fleetwood D.M. et al. A Proposed Hardness Assurance Test Methodology for Bipolar Linear Circuits and Devices in Space Ionizing Radiation Environment // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1997. Vol. 44, N 6. P. 1981–1988.

73. Малышев М.М., Малинин В.Г., Ванин В.И. Оценка ресурса изделий электронной техники в условиях низкоинтенсивного облучения // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1998. Вып. 1–2. С. 25–130.

74. Johnston A.H., Swift G.M., Rax B.G. Total Dose Effects in Conventional of Bipolar Transistors and Linear Microcircuts on Applied Dose Rate // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. Vol. 41, N 6. P. 2544.

75. Witczak S.C., Schrimpf R.D., Galloway K.F. et al. Accelerated Tests for Simulating Low Dose Rate Gain Degradation of Lateral and Substrate pnp Bipolar Junction Transistors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 6. P.3151–3160.

76. Witczak S.C., Schrimpf R.D., Fleetwood D.M. et al. Hardness Assurance of Bipolar Junction Transistors at Elevated Irradiation Temperatures // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1997. Vol. 44, N 6. P. 1989–2000.

77. Насибуллин В.Ш., Емельянов В.В., Жуков Ю.Н. Корреляция радиационных повреждений при низкоинтенсивном облучении и облучении при повышенной температуре // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1998. Вып. 3–4. С. 30–36.

78. Johnston A.H., Lee C.I., Rax B.G. Enhanced Damage in Bipolar Devices at Low Dose Rates: Effects at Very Low Dose Rates // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 6. P. 3049–3059.

79. Carriere T., Ecoffet R., Poirot P. Evaluation of Accelerated Total Dose Testing of Linear Bipolar Circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2000. Vol. 47, N 6. P. 2350–2357.

80. Зольников В.К. Исследование деградации электропараметров ИС биполярного технологического исполнения при воздействии гамма-излучения малой мощности // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 1998. Вып. 1-2. С. 53–55.

81. Witсzak S.С., Lacoe R.C., Shaneyfelt M.R. et al. Implications of Radiation-Induced Dopant Deactivation for npn Bipolar Junction Transistors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2000. Vol. 47, N 6. P. 2281–2288.

82. Colinge J.P. Hardening Integrated Circuits against Radiation Effects // RADECS-97 Short Course. 1997.

83. Koga R. et al. On the Suitability of Non-Hardened High Density SRAMs for Space Applications // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1991. Vol. 38. P. 1507.

84. Dufour C. et al. Heavy-Ion Induced Single Hard Errors on Submicronic Memories // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. 39. P. 1693.

85. Oldham T.R. et al. Total-Dose Failures in Advanced Electronics from Single Ions // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1993. Vol. 40. P. 1820.

86. Duzellier S. et al. Protons & Heavy Ions Induced Stuck Bits on Large Capacity RAMs // RADECS-93 Proceedings. 1994. P. 468.

87. Swift G.M. et al. A New Class of Single Event Hard Errors // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. Vol. 41. P. 2043.

88. Test Procedures for the Measurement of Single-Event Effects in Semiconductor Devices from Heavy Ion Irradiation, Electronic Industries Association, Engineering Department, Standard EIA/JESD57, December 1996.

89. Таперо К.И., Емельянов В.В., Удалов А.В. и др. Разработка и апробация методики испытаний мощных МДП-транзисторов на чувствительность к одиночным необратимым событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов // Вопросы атомной науки и техники. Сер.: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2004. Вып. 3-4. С. 65-70.

90. Ronald J.L., Schrimpf D., Massengill L. et al. Circuit-Level Model for Single Event Burnout in N-channel Power MOSFEET’s // RADECS’99 Workshop. 1999. P. 173–179.

91. Waskiewics A.E., Groninger J.W., Strahan V.H. Burnout of Power MOS Transistors with Heavy Ions of Californium-252 // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. Vol. 33. P. 1710.

92. Carley D.R., Wheatley C.F., Titus J.L., Burton D.I. Power MOSFET’s Hardened for Single Event Effects in Spase // RADECS’96 Proceedings. 1997. P. 253.

93. Johnson G.H., Palau J.M., Dachs C. et al. A Review of the Techniques Used for Modeling Single-Event Effects in Power MOSFET’s // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 2. P. 546.

94. Sexton F.W., Fleetwood D.M., Shaneyfelt M.R. et al. Single-Event Gate Rupture in Thin Gate Oxides // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1997. Vol. 44, N 6. P. 2345.

95. Mouret I., Calvet M.C., Calvet P., et al. Experimental Evidence of the Temperature and Angular Dependence in SEGR // RADECS’95, Third European Conf. Radiation and Its Effects on Components and Systems, 1995.

96. Titus J.L., Weatley C.F. Experimental Studies of SEGR and SEB in Vertical Power MOSFETs // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43. N 2. P. 533–545.

97. Mouret I., Allenspach M., Schrimpf R.D. et al. Temperature and Angular Dependence of Substrate Response in SEGR // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1994. Vol. 41, N 6. P. 2216.

98. Titus J.L., Weatley C.F., Burton D.I. et al. Impact of Oxide Tthickness on SEGR Failure in Vertical Power MOSFETs; development of a semi-empirical expression // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1995. Vol. 42, N 6. P. 1928.

99. Koga R. Kolasinski W. Heavy Ion Induced Snapback in CMOS Devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1989. Vol. 36. P. 2367.

100. Dodd P.E. et al. Single-Event Upset and Snapback in Silicon-on-Insulator Devices and Integrated Circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 2000. Vol. 47. P. 2165.

101. Turflinger T.L. Sengle-Event Effects in Analog and Mixed-Signal Integrated Circuits // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 2. P. 594.

102. Xapsos M.A. Applicability of LET to Single Events in Microelectronic Structures // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. Vol. 39, N 6. P. 1613.

103. РД В 319.03.38–2000. 22 ЦНИИИ МО, 2000.

104. Pickel J.C. Single-Event Rate Calculations // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 2. P. 483.

105. Petersen E.L. Approaches to Proton Single-Event Rate Calculations // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1996. Vol. 43, N 2. P. 496.

106. Klein C.A. Bandgap Dependance and Related Features of Radiation Ionization energies in Semiconductors // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39, N 4. P. 2029–2038.