Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

База сигналу - переносника інформації через канал зв’язку.

Поиск

База сигнала — это произведение эффективного значения длительности сигнала и эффективного значения ширины его спектра :

.

В простых случаях за эффективную ширину спектра можно принять ширину главного лепестка спектра. Длительность сигнала и ширина его спектра подчиняются соотношению неопределенности, гласящему, что база сигнала не может быть меньше единицы. Ограничений на максимальное значение базы сигнала не существует. То есть короткий сигнал с узким спектром существовать не может, а бесконечный сигнал с широким спектром — может (так называемый широкополосный сигнал, сигнал с большой базой). Примером такого рода может служить ЛЧМ-сигнал.

2.Функціональна схема, принцип дії, основні співвідношення, які описують роботу лампи біжучої хвилі типу О. Конструктивно-технологічні особливості та застосування.

Принцип дії: тривала взаємодія електронів з біжучою ЕМ хвилею, яка розповсюджується в нерезонансній коливальній системі.

Рис.1 Пристрій ЛБХО показаний на рис.1. У її склад входять: електронна гармата (1, 2, 3), призначена для формування електронного потоку, фокусуюча система (4) у виді соленоїда чи системи кільцевих постійних магнітів, призначена для фокусування електронного потоку у вигляді вузького променя; сповільнююча система (5) типу "спіраль"; поглинач (6) призначений для усунення самозбудження ЛБХО; вхідні та вихідні пристрої хвилевідного чи коаксіального типів для подачі вхідного й вихідного підсиленого сигналів; колектор (7).

Електронний потік на початку уповільнюючої системи модулюється по швидкості, потім по мірі руху електронів відбувається групування ел. у згустки, які попадають в гальмівне НВЧ поле хвилі, гальмують віддаючи свою кінетичну енергію ЕМ хвилі, тобто відбувається підсилення сигналу.

Основні характеристики:

-коефіцієнт підсилення (відношення потужності НВЧ коливань на виході до потужності на вході)

-смуга підсилення .

-фазова чутливість (підчилювачі НВЧ не повинні істотно спотворювати фазову структуру сигналу).

-потужність на виході

-коефіцієнт шуму

За рівнем вихідної потужності та призначенням ЛБХО поділяють на малопотужні (вихідна потужність одиниці міліват; використовуються у вхідних каскадах НВЧ приймачів), середньої потужності (потужність до десятків ват у безупинному режимі; застосовуються для проміжного підсилення) і потужні (потужність до одиниць кіловат у безупинному режимі і десятків мегават в імпульсному; використовуються як широкосмугові підсилювачі в кінцевих каскадах передавачів). ККД потужних ЛБХО доходить до 30...40%. Смуга підсилення в малопотужних ЛБХО складає 40...50%, у потужних – 10...15% від середньої частоти. Коефіцієнт підсилення досягає 30...40 дБ. Якщо ЛБХО використовуються як підсилювачі радіочастоти радіоприймальних пристроїв, то як основний параметр розглядають коефіцієнт шуму. У сучасних ЛБХ цей коефіцієнт складає 2...3.

3.Тонкие пленки не только являются основой тонкопленочных ГИС, но широко используются и в полупроводниковых интегральных схемах. Поэтому методы получения тонких пленок относится к общим вопросам технологии микроэлектроники.Существует три основных метода нанесения тонких пленок на подложку и друг на друга: термическое (вакуумное) напыление, ионно-плазменное напыление и электрохимическое осаждение. Ионно-плазменное напыление имеет две разновидности: катодное напыление и собственно ионно-плазменное.

Термическое(вакуумное напыление)

Главными достоинствами рассмотренного метода являются его простота и возможность получения исключительно чистых пленок (при высоком вакууме). Однако у него есть и серьезные недостатки: трудность напыления тугоплавких материалов и трудность (а иногда невозможность) воспроизведения на подложке химического состава испаряемого вещества. Последнее объясняется тем, что при высокой температуре химические соединения диссоциируют, а их составляющие конденсируются на подложке раздельно. Естественно, имеется вероятность того, что новая комбинация атомов на подложке не будет соответствовать структуре исходной молекулы.

Катодное напыление

Важным преимуществом катодного напыления по сравнению с термическим является то, что распыление катода не связано с высокой температурой. Соответственно отпадают трудности при напылении тугоплавких материалов и химических соединений.

Недостатками катодного напыления в целом являются некоторая загрязненность пленок (из-за использования сравнительно низкого вакуума), меньшая по сравнению с термическим методом скорость напыления (по той же причине), а также сложность контроля процессов.

Ионно-плазменное напыление

Преимущества ионно-плазменного метода по сравнению с катодным состоят в большей скорости напыления и большей гибкости процесса (возможность ионной очистки, возможность отключения рабочей цепи без прерывания разряда и др.). Кроме того, на качестве пленок сказывается более высокий вакуум.

Электрохимическое осаждение

Это метод получения пленок отличается от предыдущих тем, что рабочей средой является жидкость. Однако характер процессов сходен с ионно-плазменным напылением, поскольку и плазма, и электролит представляют собой квазинейтральную смесь ионов и неионизированных молекул или атомов. А главное, осаждение происходит также постепенно (послойно) как и напыление, т.е. обеспечивает возможность получения тонких пленок.

Большое преимущество электрохимического осаждения перед напылением состоит в гораздо большей скорости процесса, которая легко регулируется изменением тока. Поэтому основная область применения электролиза в микроэлектронике – это получение сравнительно толстых пленок (10 – 20 мкм и более). Качество (структура) таких пленок хуже, чем при напылении, но для ряда применений они оказываются вполне приемлемыми.

 

Екзаменаційний білет № 18

 



Поделиться:


Последнее изменение этой страницы: 2016-08-16; просмотров: 240; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.118.255.51 (0.01 с.)