Зв’язок довжини кодових посилок з шириною спектру сигналу – носія.

При передаче данных частотный диапазон канала передачи данных ограничивается значимой частью спектра, ширина которого устанавливается по допустимой степени искажения приемных сигналов. Степень искажения сигналов существенно зависит от длительности посылок

· База сигнала есть произведение длительности сигнала на ширину его спектра . Необходимо отметить, что между шириной спектра и длительностью сигнала существует обратно пропорциональная зависимость: чем короче спектр, тем больше длительность сигнала. Таким образом, величина базы остается практически неизменной;

 

База сигнала — это произведение эффективного значения длительности сигнала и эффективного значения ширины его спектра :

.

В простых случаях за эффективную ширину спектра можно принять ширину главного лепестка спектра. Длительность сигнала и ширина его спектра подчиняются соотношению неопределенности, гласящему, что база сигнала не может быть меньше единицы. Ограничений на максимальное значение базы сигнала не существует. То есть короткий сигнал с узким спектром существовать не может, а бесконечный сигнал с широким спектром — может (так называемый широкополосный сигнал, сигнал с большой базой).

Методи настроювання частоти пролітного та відбивного клістронів.

Частота клистрона настраивается на резонансную частоту микроволнового резонатора, в котором находится образец. Мощность клистронов, используемых в спектрометрах ЭПР, обычно составляет несколько сотен милливатт. Отвод тепла, выделяемого клистроном, осуществляется циркулирующей водой.

Частота клистрона при этом скачкообразно падает до значения

Если частота клистрона точно равна частоте резонатора, то выходная мощность оказывается модулированной частотой 26 кгц.

Если частота клистрона стабилизирована по рабочему резонатору, то она будет следовать за его перестройкой. Сигнал дисперсии / из-за стабилизации частоты отсутствует.

Если же частота клистрона несколько отличается от частоты резонатора, то на выходе помимо 26 кгц появляется составляющая 13 кгц. При этом компоненты 13 кгц, возникающие с одной и с другой стороны от резонанса, противоположны по фазе

Если же частота клистрона стабилизируется по опорному резонатору, то при регистрации сигнала от ДФПГ в рабочем резонаторе на частоте / с, как найдено экспериментально, % % зависит от девиации частоты А / fh - / с, как показано на фиг.

Вследствие этого частота клистрона постепенно возрастает. Это же напряжение поступает на автогенератор.

При расстройке частоты клистрона fun относительно fo колебания, поступающие на амплитудный детектор, оказываются модулированными по амплитуде, как это иллюстрируется рис. 22 - 15, где для простоты объяснения периодические смещения резонансной характеристики резонатора заменены модуляцией частоты клистрона.

Для фиксации частоты клистрона на время интервала между импульсами необходимо иметь интегрирующее звено. Функции интегрирования выполняются фиксирующей цепью в виде дифференциального детектора, состоящего из зарядного и разрядного диодов Д и Д2 и интегрирующего конденсатора Си. Эта цепь в принципе не отличается от временного различител

Плазмохімічне та іонно-хімічне травлення матеріалів для створення мікронних і субмікронних структур.

Ионно-химическое травление

Ионно-химическое травление (ИХТ) представляет собой физико-химический процесс, который происходит при достаточно высоком давлении газов и значительной энергии частиц.

Поверхностные слои материала удаляются с помощью физического распыления ионами, а также в результате химической реакции между активными частицами и поверхностными атомами. В этом процессе различают реактивное ионно-плазменное травление (РИПТ), в процессе которого обрабатываемый материал находится в области плазмы, и реактивное ионно-лучевое травление (РИЛТ), при проведении которого материал помещают в вакуумной зоне обработки. В первом случае химически активные частицы могут доставляться к поверхности из плазмы разряда и образовываться на поверхности при ударной диссоциации молекулярных ионов или нейтрализации атомарных ионов. Во втором случае на поверхность воздействуют только молекулярные или атомные ионы, способные образовывать химически активные частицы при ударной диссоциации или нейтрализации. В процессах ИХТ используются различные фреоны: CF4, CClF3, CClF2, CHClF2, C2F6 и т. д. В высокочастотном разряде молекулы фреона переходят в возбужденное состояние и образуют реакционноспособные радикалы, например:

где звездочкой помечен активный радикал.

Взаимодействуя с поверхностными частицами образца, эти радикалы формируют локальные неоднородности, а продукты реакции в виде летучих соединений удаляются из объема. Конструкции реакторов ИХТ различны и зависят от ионного источника бомбардирующих частиц (рис. 1.28). В большинстве систем используется ВЧ-разряд и диодная (рис. 1.28, a), триодная (рис. 1.28, б), планарная магнетронная (рис. 1.28, в)и другие типы систем электродов.

Рис. 1.28. Схемы установок для ионно-химического травления: 1 – камера; 2 – ВЧ-электрод; 3 – заземленный электрод; 4 – третий электрод; 5 – экран, 6 – магнитная система; 7 – натекатели; 8 – откачка; 9 – образец

Процесс физического распыления возникает при энергиях ионов, превышающих 100 эВ. Физическое распыление активизирует поверхность материала, повышает скорость химических реакций, которые в свою очередь ослабляют химические связи поверхностных атомов и увеличивают скорость их физического распыления.

Процессы ИХТ, например РИПТ, обладают высокой анизотропией и используются в качестве универсального процесса травления нитрида кремния, поликремния, фосфоросиликатного стекла, алюминия и других материалов.

Процессы ИХТ обладают способностью воспроизвести с шаблонов субмикронные (0,3 – 0,5 мкм) структуры. Наличие химических реакций позволяет значительно, по сравнению с ИТ, увеличить скорость и селективность травления при одновременном снижении теплового и радиационного воздействия на органические резистивные материалы. В процессе ИХТ удается с большой точностью переносить угловые и линейные размеры с маскирующего материала на рабочий, потому что отсутствует эффект переосаждения удаляемого материала, характерного для ионного травления.

Плазмохимическое травление

Плазмохимическое травление (ПХТ) происходит в результате химических реакций между химически активными частицами и поверхностными атомами материала. Если обрабатываемый материал находится в области плазморазряда, то процесс травления называется плазменным (ПТ). В этом процессе химические реакции травления будут активизироваться низкоэнергетической бомбардировкой как электронов, так и ионов. Если же материал находится в вакуумной (реакционной) зоне обработки, то травление производят только химически активные частицы без дополнительной электронной или ионной бомбардировки. Это так называемый процесс радикального травления (РТ).

Рассматривая процесс ПТ, отметим, что химически активные частицы (свободные атомы и радикалы) вступают в химическую реакцию с поверхностными атомами образца и удаляют поверхностные слои в результате образования летучих продуктов реакции. Роль электронов и ионов, присутствующих в плазме, заключается в увеличении скорости травления. Активирующее действие электронов и ионов определяется их энергией.

Генерация энергетических и химически активных частиц для процесса плазменного травления осуществляется в реакторе диодного типа, типовая конструкция которого приведена на рис. 1.29. Плазменное травление осуществляется при энергиях ниже 100 эВ. В реакторах, использующих процессы радикального травления, подложки вынесены из области плазмы, и обработка идет по механизму гетерогенной химической реакции. При этом реакция не осложняется воздействием загрязненных частиц.

Рис. 1.29. Схема конструкций для плазменного травления: 1 – вакуумная камера; 2 – образцы; 3 – газ-травитель; 4 – газ; 5 – откачка продуктов реакции; 6 – верхний электрод; 7 – нижний электрод и стол; 8 – генератор ВЧ

Современный уровень технологии плазменного травления отличается высокой однородностью и воспроизводимостью. Это возможно только при условии автоматизации управления такими параметрами реактора, как давление, мощность разряда, состав газов, скорость его протекания. С этой целью широко применяются встроенные микропроцессорные системы управления процессом.

Процессы плазмохимического травления могут обеспечить обработку поликремниевых структур, а также удаление масок с фоторезистов. Процессы ПТХ (особенно РТ) обладают наибольшей селективностью и оказывают незначительное тепловое и радиационное воздействие на обрабатываемые структуры по сравнению с процессами ИТ и ИХТ. Это позволяет осуществлять травление толстых слоев материалов (до 10 мкм) через тонкие "незадубленные" резисты. Низкий показатель анизотропии не позволяет с помощью процессов ПТХ получать статические неоднородности субмикронных размеров в слоях рабочих материалов толщиной более 0,3 мкм. Поэтому процессы ПХТ используются в основном для изготовления тонких (0,1 – 0,2 мкм) неорганических масок для процессов ИТ и ИХТ.

В последнее время появилось сообщение о разработке системы сухого плазменного травления с использованием электронного циклотронного резонанса. На этой системе получены локальные неоднородности на кремниевой пластине в виде линий с шириной 0,2 – 0,3 мкм. Эта система предназначена для производства первого поколения интегральных схем.

16Білет(версия2 – господа, это уже не смешно. Смотрите внимательно пожалуйста на ваше задание)

1.Зв’язок довжини кодових посилок з шириною спектру сигналу – носія.!!!

Информационная посылка длительностью Т делится на N бинарных сигналов длительностью ia=T/N с полосой F^I/TO и базой v>2.

При непрерывном излучений нормированная корреляционная функция огибающей шумоподобного сигнала, построенного на основе таких последовательностей, имеет главный максимум, равный единице, в области [—TO, TO], где TO — длительность сигналов S;, и одинаковые до величине боковые лепестки, амплитуда которых равна —1/N.

Рассмотрим особенности анализа АМн сигнала для случая, когда в роли переносчика выступает гармоническое колебание x(t)=Aa sin (о^-НРо), а в роли модулирующего сигнала — периодическая последовательность прямоугольных импульсов где т — длительность импульсов; Т=2т — период последовательности.

При АИМ роль переносчика выполняет периодическая последовательность видеоимпульсов: оо /=-00 где Ай — амплитуда импульсов; xt(t)—функция, описывающая одиночный импульс последовательности; Т — период повторения импульсов; т — длительность •одного импульса.

Длительность т импульсов определяется полосой пропускания каналов.

(t), Атс — интервал корреляции или длительность сигнала, если он рассматривается как детерминированный.

Если сигнал включает ряд спектральных компонент и Дт< — интервал корреляции или длительность i-й компоненты сигнала,, то в зависимости от значения отношения Лтк/Лтг различают общие и селективные мультипликативные помехи (замирания сигналов).

Ширина их спектра, как известно, обратно пропорциональна длительности импульсов.

1, TI — ширина спектра и длительность сигнала.

Длительности прохождения сигналов и коэффициенты Л?

); т — длительность элементарного кодового сигнала.

Общее число кодовых комбинаций длительностью Т, как обычно, равно N(T)~imnK.

Дискретное сообщение представляет конечную последовательность отдельных символов (букв), длительность этой последовательности ограничена.