Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Расчет топологии n-p-n транзистора

Поиск

Рис. 4. Параметры топологии и структуры транзистора

Все транзисторы проектируются исходя из минимального размера Dmin, за исключением многоэмиттерных, для которых следует добиваться минимума коэффициента передачи тока базы в инверсном режиме - BR (необходимо получить значение BR < 0.1) этот параметр рассчитывается по формуле [6]:

 

 

где: M – число эмиттеров, SЭ = LЭdЭ, - площадь эмиттера, SБ = LБZБ, - общая площадь базы,

 

.

 

Остальные параметры рассчитываются по следующим формулам:

Ток насыщения:

 

 

Коэффициент усиления тока базы в нормальном режиме:

 

,

 

где η =2...4 – коэффициент, учитывающий градиент примеси в базе.

 

Сопротивление базы:

 

 

Сопротивление коллектора:

 

RC=RC 1 +RC 2

 

 

Время пролета базы:

 

 

Емкости рассчитываются по формуле:

 

; N =min(NД (xj), NА (xj));

- для коллекторного p-n – перехода,

- для эмиттерного p-n – перехода,

 

Cp-n – ёмкость p-n перехода при нулевом смещении, S S - общая площадь p-n – перехода, первое слагаемое – плоское дно, второе слагаемое – цилиндрические боковые части, третье слагаемое – сферические угловые части, значения концентраций NД, NА берутся вблизи p-n перехода, VB - потенциальный барьер p-n – перехода при нулевом смещении.

 

Диоды

 

В качестве диодов в ПИМС используют транзисторные n-p-n структуры в диодном включении. В быстродействующих схемах в качестве диода используют эмиттерный p-n – переход, при этом коллекторный переход закорочен. При необходимости применения диода с более высоким рабочим напряжением (до 60 В) используют коллекторный p-n – переход. Эмиттерную область в такой структуре обычно не формируют, что позволяет существенно уменьшить размеры диода.

На характеристики диода в конкретной схеме существенное влияние могут оказывать паразитные элементы: p-n-p транзистор, емкость диода СД и емкость изоляции СИ. В следующей таблице приведены типовые параметры наиболее часто применяемых диодов при rК = 0.5 Ом×см, rБП = 200 Ом/□, rЭ = 2.2 Ом/□ (поверхностное сопротивление эмиттерной области), SЭ = 300 мкм2, SБ = 2000 мкм2.

 

Параметр Эмиттерный переход Коллекторный переход
Напряжение пробоя UДMAX, В    
Обратный ток IДU, нА 1.7 6.7
Время выключения tВЫКЛ, нс    
Емкость диода CД, пФ (при Uобр = 5 В) 0.17 0.23
Емкость изоляции CИ, пФ (при Uобр = 5 В) 0.97 0.97

 

При расчете диода используются те же исходные данные, что для биполярного транзистора. Топология синтезируется с учетом заданного максимального тока диода IДMAX, или исходя из заданного минимального размера. Затем рассчитывают основные параметры: барьерную емкость CД(UД), максимальное обратное напряжение UДMAX, обратный тепловой ток IД0, прямое падение напряжения UД(IД). Порядок расчета диода следующий:

1. Выбор варианта реализации диода

2. Расчет параметров: La, LД, BN

3. Синтез топологии – определение размеров: M, ZЭ, RБ, ZБ

4. Расчет параметров: CД(UД), UДmax, IД0, UД(IД)

 

Примечание. Поскольку в ПИМС в качестве диодов используются транзисторы в диодном включении (см. выше), то для этого можно использовать один из спроектированных ранее транзисторов, при расчете схемы с помощью SPICE кодируется такое включение транзистора.

 


Резисторы

 

Тонкопленочные резисторы

 

Резисторы тонкоплёночные – тонкие резистивные плёнки, нанесённые на диэлектрическую подложку. Концы плёнки замыкаются на контактные площадки, имеющие высокую проводимость (металлы). Используются в гибридных ИС (резисторы напыляются на подложку, транзисторы – наклеиваются).

 

 

Рис. 5. Сопротивление резистора прямоугольной конфигурации

 

Рис. 6. Тонкая резистивная пленка в форме квадрата

 

Сопротивление двух квадратов одинаковы, т.е. квадрат с любой стороной “ a ” имеет одно и то же сопротивление. Такое сопротивление называется поверхностным (RS), оно зависит только от толщины и материала плёнки:

 

 

Размерность поверхностного сопротивления: Ом×см×(см/см2)=Ом, т.е. просто размерность сопротивления, но, чтобы подчеркнуть, что это – сопротивление пленки квадратной формы, используется название размерности «ом на квадрат», обозначается: Ом/□.

Сопротивление линейного резистора

 

 

определяется количеством квадратов со стороной w, которые уместятся на длине l. Для повышения сопротивления используют более сложную топологию резистора - меандр (змейку). Для изменения толщины d надо менять технологию. В интегральной технологии d по всей площади одинакова, следовательно, можно менять только длину и ширину.

 

Рис. 7. Резистор сложной конфигурации

 

Сопротивление резистора сложной конфигурации:

 

.

 

где: - сопротивление излома; - длина прямоугольных участков.

Можно показать, что .

Резистор, показанный на рис. 7 имеет 6 изломов (N ИЗЛ).

Материалы тонкоплёночных резисторов – сплавы с высоким сопротивлением, например нихром.

 

Диффузионные резисторы

 

Диффузионные резисторы – формируются в полупроводниковой подложке с помощью методов диффузии или ионной имплантации.

 

Рис. 8. Диффузионный резистор

 

Чтобы использовать диффузионную область в качестве резистора, необходимо сместить в обратном направлении отделяющий ее p-n переход. Для этого подложку (n-тип) надо подключить к самому высокому потенциалу в схеме, т.е. к положительному источнику питания Е+. В данной конструкции всегда существует паразитный ток утечки.

При необходимости реализовать сопротивление большего номинала делается контур с изгибами (типа «меандр»).

где - сопротивление контактных площадок. КП = 0,5...1 = - даны в справочниках.

При использовании полупроводниковой технологии нельзя реализовать резисторы произвольного номинала; существуют ограничения сверху и снизу, Rmin и Rmax.

Обычно RS p-слоя меняется от 100...300 Ом/□. Как правило, минимальная ширина резистора w min не менее 2...3 минимальных размеров. Уменьшить w min невозможно из-за несовершенства технологического процесса. Оценим:

 

l min = w min = 10 мкм.

 

Размер кристалла микросхемы (чипа) ~ 2´2 мм => l max=1 мм (меандр).

Для минимального: , Rmin =100 Ом/□ =100 Ом. (Rmin =50...100 Ом). Rmax=RSmax =300 =30 кОм. (Rmax=30...50 кОм).

 

На практике часто надо реализовать сопротивление большего номинала.

1. Сжатый резистор (pinch, пинч-резистор)

 

Рис. 9. Сжатый резистор

 

Поверхностное сопротивление сжатого p слоя, между слоями n и n+: RS =1...3 кОм/□.

 

2. Используется ионная имплантация с тонкими слоями

Рис. 10. Имплантация с тонкими слоями

 

Тонкий p слой (xjp ~ 0,2...0,8 мкм) имеет большое поверхностное сопротивление RS =104 Ом/□.

 

Для малых сопротивлений (1...50 Ом) используются высоколегированные области (эмиттерный n+ - слой):

 

Рис. 11. Высоколегированная (эмиттерная) область

 

В схемах малой степени интеграции используется однослойная металлизация – слой алюминия на поверхности окисла, который формирует контакты к элементам ИС и межсоединения. В этом случае возможны ситуации, когда не удается избежать пересечения проводников. В этом случае используется так называемый «подныр»: один проводник остается алюминиевой шиной, а второй проходит под ним по низкоомному резистору.

Эквивалентная электрическая схема диффузионного резистора, ограниченного обратно смещённым p-n переходом показана на рис. 12.

Емкости рассчитываются по формуле:

 

; N =min(NД (xj), NА (xj));

 

.

 

Cp-n – ёмкость p-n перехода при нулевом смещении, S S - общая площадь p-n перехода, первое слагаемое – плоское дно, второе слагаемое – цилиндрические боковые части, третье слагаемое – сферические угловые части.

 

Рис. 12. Эквивалентная схема резистора

 

Рис. 13. Размеры резистора, 1,2 – контактные окна.

 


МДП транзисторы

 

Рис. 14. Структура МДП транзистора

 

Пороговое напряжение UЗИ ПОР – при котором концентрация электронов в канале около поверхности Si - SiO2 равна концентрации дырок в подложке p-типа, т.е. канал образуется, если UЗ > UПОР.

 

Рис. 15. Выходная характеристика

 

 

В линейной (крутой, триодной) области:

 

 

Формула верна для UЗ >UПОР, UC<UЗ–UПОР, при UC=0 IC=0

Если UC мало и выполняется неравенство , тогда:

т.е. Ic - линейная функция Uc, здесь: W - ширина канала, L - длина канала, µns-подвижность электронов вблизи поверхности(0,5 µn – в глубине). eOX - диэлектрическая проницаемость окисла, l OX - толщина окисла,

- удельная емкость структуры затвор – канал, Ф/м2, .

При UC=UЗ-UПОР канал вблизи стока исчезает и транзистор работает в области насыщения (пологой, пентодной) с перекрытым каналом

Подставим это значение в формулу для IC:

 

 

т.е. в области насыщения ток стока IC от напряжения на стоке UC не зависит.

С увеличением UC канал вблизи стока перекрывается больше и больше: так как расширяется обедненный слой стокового p-n перехода, следовательно, длина канала L уменьшается, следовательно, ток IC растет, характеристики в области насыщения имеют небольшой наклон.

Крутизна:

 

Удельная крутизна: - является параметром транзистора.

Оценим:

 

В PSpice используется параметр, называемый коэффициент крутизны:

 

.

 

kp является параметром микросхемы в целом, а не отдельного транзистора, так как и одинаковы для всей микросхемы, а длина и ширина канала являются параметрами транзистора.

 



Поделиться:


Последнее изменение этой страницы: 2016-08-12; просмотров: 426; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.17.76.163 (0.008 с.)