Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Описания источников напряжения

Поиск

Источники постоянного напряжения (источники питания): название начинается с символа "V", далее идут узлы подключения, и величина в вольтах:

 

V1 4 5 15V

 

Эта запись означает, что потенциал 4 узла по отношению к 5-му составляет +15 В.

 

V2 6 7 -15V

 

Эта запись означает, что потенциал 6 узла по отношению к 7-му составляет ‑15 В.

Если один из выводов источника подключен к земле, то в качестве этого узла подключения указывается "0":

 

V3 8 0 5V

 

Источники переменного (синусоидального) напряжения. Как и в предыдущем случае, название начинается с символа "V", далее идут узлы подключения, величина постоянной составляющей в вольтах, амплитуда переменного сигнала в вольтах. Такое описание используется при расчете частотных режимов схемы.

Пример. Источник синусоидального сигнала с амплитудой 1В, включенный между узлом 1 и землей (0):

 

Vsin 1 0 DC 0V AC 1V

 

после DC идет постоянная составляющая сигнала (В), после AC - амплитуда синусоидальной составляющей сигнала (B). Частота задается при описании режима расчета.

 

Источник напряжения импульсной формы. Название начинается с символа "V", далее идут узлы подключения, и описание импульсной функции. Импульсная функция описывается с помощью параметров:

 

Рис. 53. Параметры импульсного источника

 

PULSE(y1 y2 td tr tf tau T), где

у1 - начальное значение, Вольт;

у2 - максимальное значение, Вольт;

td - начало переднего фронта, сек;

tr - длительность переднего фронта, сек;

tf - длительность заднего фронта, сек;

tau- длительность плоской части импульса, сек;

T - период повторения, сек.

Пример. До начала действия импульса амплитуда напряжения составляет 0 Вольт, импульс начинается в 10 наносекунд, возрастает до максимального значения 1 Вольт за 5 наносекунд, плоская часть 50 наносекунд, время спада до 0 составляет 5 наносекунд, период повторения 100 наносекунд:

 

VPULSE 2 5 PULSE(0 1 10NS 5NS 5NS 50NS 100NS)

 

Описание источников тока

Источники постоянного тока. Название начинается с символа "I", далее идут узлы подключения, и величина в амперах, ток источника течет от первого узла ко второму:

 

I1 4 5 1.5mA

I2 6 7 -0.15mA

 

Если один из выводов источника подключен к земле, то в качестве узла подключения указывается "0".

Пpимеp: Источник тока включен между 8 узлом и землей и имеет величину 5 микроампер:

 

I3 8 0 5UA

 

Источники переменного (синусоидального) тока: Как и в предыдущем случае, название начинается с символа "I", далее идут узлы подключения (ток источника течет от первого узла ко второму), величина постоянной составляющей в вольтах, амплитуда переменного сигнала в амперах. Частота задается при описании режима расчета

Пример. Источник синусоидального сигнала с частотой 10 кГц, амплитудой 1мА, включенный между узлом 1 и землей (0);

 

Isin 1 0 DC 0 AC 1mA

 

Источники тока импульсной формы. Название начинается с символа "I", далее идут узлы подключения, описание импульсной функции. Импульсная функция описывается с помощью параметров (см. рис.1):

 

PULSE(y1 y2 td tr tf tau T),

 

где:

у1 - начальное значение, Ампер;

у2 - максимальное значение, Ампер;

td - начало переднего фронта, сек;

tr - длительность переднего фронта, сек;

tf - длительность заднего фронта, сек;

tau- длительность плоской части импульса, сек;

T - период повторения, сек.

Пример. До начала действия импульса амплитуда тока составляет 0, импульс начинается в 10 наносекунд, возрастает до максимального значения 1 Ампер за 5 наносекунд, плоская часть 50 наносекунд, время спада до 0 составляет 5 наносекунд, период повторения 100 наносекунд:

 

IPULSE 2 5 PULSE(0 1 10NS 5NS 5NS 50NS 100NS)

 

Описание диода

Диод D1, включенный между узлами 1 и 2 и имеющий модель D226, будет описан (обратите внимание на порядок подключения узлов!):

 

Рис. 54. Подключение диода

 

D1 2 1 D226

 

Модель диода описывается в виде:

.model D226 D(список параметров)

 

Основные параметры модели диода следующие:

Is - ток насыщения при температуре 270C [A];

Rs - объемное сопротивление [Ом];

N - показатель неидеальности (безразмерный);

Ikf- точка перегиба при высоком уровне инжекции [A];

TT - время переноса заряда [сек];

CJO- барьерная емкость при нулевом смещении [пФ];

Vj - контактная разность потенциалов [B];

M - коэффициент, учитывающий плавность p-n-перехода (безразмерный);

BV - напряжение пробоя (напряжение стабилизации) [B];

IBV- минимальное значение тока, при котором обеспечивается стабилизация [A];

Параметры отделяются друг от друга несколькими пробелами.

Пример:

.model D226(Is=1.e-10 N=1.2 TT=2.2e-9 Cjo=2pF)

 

Неуказанные параметры берутся по умолчанию!

 



Поделиться:


Последнее изменение этой страницы: 2016-08-12; просмотров: 181; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.218.223.84 (0.006 с.)