Будова та принцип дії польових транзисторів

Польові транзистори з керуючим n-p переходом

 

Широке поширення отримали польові транзистори, які називають також канальними або уніполярними. Головна перевага польових транзисторів - високий вхідний опір, який може бути таким же, як і в електронних лампах, і навіть більший. У цей час біполярні транзистори все частіше і частіше витісняються польовими.

Принцип роботи і ввімкнення польового транзистора з керуючим n-p -переходом, а також його умовне графічне позначення показані на рис. 2.14. Пластинка з напівпровідника, наприклад, n -типу має на протилежних кінцях електроди, за допомогою яких вона ввімкнена у вихідне (кероване) коло підсилювального каскаду. Це коло живиться від джерела E ₂, і в нього ввімкнене навантаження R_н. Вздовж транзистора проходить вихідний струм основних носіїв. У нашому прикладі це електронний струм. Вхідне (керуюче) коло транзистора утворене за допомогою третього електрода, що являє собою область з другим типом електропровідності. У нашому випадку це р -область. Джерело живлення вхідного кола Е ₁ створює на єдиному п-р -переході даного транзистора зворотну напругу.

Рисунок 2.14 - Структура і умовне графічне позначення польового транзистора з керуючим п-р -переходом і каналом п -типу

Напругу іншої полярності, тобто пряму напругу, на п-р -перехід не подають, оскільки тоді вхідний опір буде дуже малим. У вхідне коло ввімкнене джерело підсилюваних коливань ДК.

Фізичні процеси в польовому транзисторі відбуваються таким чином. При зміні вхідної напруги змінюється зворотна напруга на n-р -переході, і від цього змінюється товщина закриваючого (збідненого) шару, обмеженого на рис.2.14 штриховими лініями. Відповідно цьому змінюється площа поперечного перетину області, через яку проходить потік основних носіїв заряду, тобто вихідний струм. Ця область називається каналом.

Електрод, з якого в канал витікають основні носії заряду, називають витоком (В). З каналу носії проходять до електрода, який називається стоком (С). Витік і стік аналогічні катоду і аноду електронної лампи відповідно. Керуючий електрод, призначений для регулювання площі поперечного перетину каналу, називається затвором (3), і в якійсь мірі він аналогічний сітці вакуумного тріода або базі біполярний транзистора, хоч, звичайно, за фізичним принципом роботи затвор і база цілком різні.

Якщо збільшувати напруги затвора U_з-в, то закриваючий шар n-р -переходу стає товстіший і площа поперечного перетину каналу зменшується. Отже, його опір постійному струму R ₀ зростає і струм стоку і_с стає меншим. При деякому значенні закриваючої напруги u_{з-в.зап.} площа поперечного перетину каналу стане рівною нулю і струм i_с буде дуже малим. Транзистор закривається. А при U_з-в = 0 перетин каналу найбільший, опір R ₀ найменший, наприклад декілька сотень ом, і струм i_с виходить найбільшим. Для того, щоб вхідна напруга можливо більш ефективно керувала вихідним струмом, матеріал основного напівпровідника, в якому створений канал, повинен бути високоомним, тобто з невисокою концентрацією домішок. Тоді закриваючий шар в ньому виходить більшої товщини. Крім того, початкова товщина самого каналу (при U_з-в = 0) повинна бути досить малою. Звичайно вона не перевищує декількох мікрометрів. Закриваюча напруги U _{(з-в).зак.} при цих умовах складає одиниці вольт.

Оскільки, вздовж каналу потенціал підвищується по мірі наближення до стоку, то ближче до стоку зворотна напруга n-р -переходу збільшується і товщина закриваючого шару збільшується.

Польові транзистори з керованим n-р -переходом можуть бути виготовлені сплавленням або дифузією. Кращими є дифузійні транзистори. На рис. 2.15 зображений принцип побудови дифузійного польового транзистора, виготовленого за планарно-епітаксіальною технологією [3, 4].

Рисунок 2.15 - Структура і умовне графічне позначення планарно-епітаксіального польового транзистора з каналом р-типу

 

Для прикладу показаний на рис. 2.23 канал р -типу (очевидно, він може бути і n -типу). Області витоку і стоку звичайно виготовляють з напівпровідникового матеріалу з підвищеною провідністю (електропровідність p⁺ -типу), щоб зменшити некорисний спад напруги і втрату потужності в цих областях. Підвищену провідність має і область затвора (електропровідність n⁺-типу). Це забезпечує збільшення товщини закриваючого шару головним чином у бік каналу, тобто підсилює керуючу дію затвора. Кристал транзистора (підклад) є областю n -типу, від якої часто роблять окремий вивід. Тоді кристал може бути використаний як додатковий затвор. Подаючи, наприклад, на нього деяку постійну напругу, встановлюють початкову товщину каналу.

Сплавні польові транзистори є низькочастотними, а дифузійні можуть працювати на частотах до десятків і навіть сотень мегагерц. Потрібно зазначити, що саме переміщення основних носіїв по каналу відбувається під дією прискорюючого поля дуже швидко, і тому гранична частота визначається не цим процесом, а впливом власних ємностей транзистора.