Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Фізичні основи роботи напівпровідниківСодержание книги
Поиск на нашем сайте
У природі всі речовини за властивостями можуть бути розділені на 3 основні групи: провідники, напівпровідники та діелектрики. Висока концентрація електронів в металах забезпечує їх хорошу провідність і, практично, не залежить від температури. Навіть при найнижчих температурах в металах існує велика кількість рухомих електронів. З підвищенням температури рухомість електронів зменшується, а питомий опір металу зростає. У напівпровідникових матеріалів механізм електропровідності дещо інший. Для них характерною є кристалічна будова, тобто закономірне і впорядковане розміщення їх атомів у просторі. У кристалах напівпровідника атоми, які пов’язані між собою розміщуються у строгій послідовності і на однакових відстанях один відносно одного. В результаті цього утворюється так звана кристалічна градка твердого тіла. Між атомами кристалічної градки існують зв’язки, що утворюються валентними електронами, які взаємодіють не тільки з ядром свого атому, але й з ядрами сусідніх. В кожному атомі напівпровідника існує три типи зон: дозволені, заборонені і провідності. В дозволених зонах електрони перебувають близько біля ядра атома, їхня енергія є незначною, а кількість залишається незмінною внаслідок того, що вони не можуть перейти через заборонені зони. Зони провідності мають валентні електрони, які знаходяться на зовнішніх орбітах атома, мають велику енергію і приймають участь у створенні міжатомних зв’язків. При низьких температурах всі валентні електрони зайняті в міжатомних зв’язках і, оскільки немає вільних електронів, то струм у кристалі напівпровідника не протікає. З підвищенням температури енергія електронів збільшується і деякі валентні зв’язки розриваються, в результаті чого виникають вільні електрони, які створюють електронну провідність. З подальшим підвищенням температури кількість вільних електронів швидко зростає. Але поки відсутня дія зовнішнього електричного поля, то електрони внаслідок теплового руху переміщуються у кристалі хаотично. При цьому струм у напівпровіднику не виникає. Якщо ж на кристал напівпровідника діє зовнішнє електричне поле, то рух електронів становиться впорядкованим. Оскільки електрони покинули зону провідності, то їхнє місце займають електрони з дозволеної зони, яка знаходиться ближче до ядра атома, а місця цих електронів займають дірки. Внаслідок цього дозволена зона стає зоною провідності. У напівпровіднику виникають два типи провідності: електронна і діркова, в результаті чого у кристалі виникає електричний струм. Характерною особливістю напівпровідників є зменшення їх опору при підвищенні температури. Електричні властивості напівпровідників залежать також від наявності домішок. Одні домішки, як правило, збільшують електронну провідність (донорні), а інші – діркову (акцепторні). Внаслідок цього за допомогою введення домішок можна регулювати механізм електропровідності напівпровідника. [3, 4].
Напівпровідникові пристрої До активних елементів радіоапаратури відносяться пристрої, здатні змінювати свої характеристики під дією електричного поля сигналу, або додаткового джерела живлення. Любий активний елемент містить один або декілька р-n-переходів, побудованих на основі напівпровідників з різними типами провідності – дірковою – р та електронною – n [3 - 5]. У р-n-переході існує потенціальний бар’єр, який запобігає переміщенню основних носіїв зарядів (електронів та дірок) при відсутності електричного поля. Розглянемо два випадки подачі зовнішнього електричного поля на р-n-перехід. Спочатку розглянемо випадок, коли напруга зовнішнього електричного поля є протилежною за знаком до контактної різниці потенціалів р-n-переходу. У цьому випадку джерело енергії вмикається так, що поле, яке створюється зовнішньою напругою в р-n-переході, буде направлене на зустріч власному полю р-n-переходу. Таке ввімкнення називається прямим. Воно призводить до зниження висоти потенціального бар’єру. При цьому ширина р-n-переходу зменшується. Частина основних носіїв заряду, які мають найбільшу енергію, зможе перейти через низький потенціальний бар’єр і перейти через межу, що розділяє напівпровідник на області n та р – типів. Це призводить до порушення рівноваги між дрейфовими та дифузійними струмами. Дифузійна складова стає більшою за дрейфову і результуючий прямий струм через р-n-перехід стає більшим за нуль: (1.9) При поступовому збільшенні зовнішньої прямої напруги прямий струм через р-n-перехід може зрости до великих значень, оскільки він зумовлений, в основному, рухом основних носіїв, концентрація яких в обох областях р-n-переходу є великою. Процес введення основних носіїв заряду з однієї області напівпровідника у іншу, де вони є неосновними через р-n-перехід при зниженні висоти потенціального бар’єру називається інжекцією. Розглянемо тепер випадок, коли до р-n-переходу прикладена зворотна напруга від зовнішнього джерела. При цьому електричне поле, що створюється зовнішнім джерелом співпаде за знаком з полем р-n-переходу. Потенціальний бар’єр між р- і n- областю, при цьому, зростатиме. Кількість основних носіїв, які здатні пересилити дію результуючого електричного поля, зменшиться. Відповідно зменшиться і струм дифузії основних носіїв заряду. Під дією електричного поля від зовнішнього джерела, основні носії будуть відтягуватись від приконтактних шарів у глибину кожної області напівпровідника. У результаті цього ширина р-n-переходу збільшиться. Для неосновних носіїв (дірок у n – області і електронів у р – області) потенціальний бар’єр у переході відсутній і вони будуть втягуватись полем у область р-n-переходу. Це явище називається екстракцією. При зворотному включенні основну роль відіграє дрейфовий струм, який має незначну величину, оскільки створений рухом неосновних носіїв заряду. Цей струм називається зворотним: (1.10) Величина зворотного струму практично не залежить від зовнішньої зворотної напруги при сталій температурі. Властивості напівпровідників в повній мірі використовуються активними елементами радіоапаратури – діодами та транзисторами
Діоди
Діод – це активний напівпровідниковий пристрій з одним випростовуючим р-n-переходом і двома зовнішніми виводами, у якому використовується та чи інша властивість переходу. Як матеріал для виготовлення діодів використовується германій, кремній, арсенід галію, індій. Діоди бувають: випростовувальні, високочастотні, імпульсні, стабілітрони, варикапи, тунельні, світло – випромінюючі, світло – приймаючі та ін. У залежності від способу виготовлення р-n-переходів напівпровідникові діоди поділяються на два типи: точкові та площинні. Основною характеристикою напівпровідникових діодів є їх вольт-амперна характеристика (ВАХ). ВАХ випростовувального діода наведена на рис. 1.4. В точці А ВАХ діода вважається, що він повністю відкритий. Випростовувальні діоди призначені для випростовування змінних струмів в діапазоні низьких частот від 50 Гц до 50 кГц. Як випростовувальні використовуються площинні діоди, у яких завдяки великій площі контакту може протікати значний струм [4].
Рисунок 1.4 – ВАХ випростовувального діода
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-07-16; просмотров: 86; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.138.114.140 (0.009 с.) |