Параметри випростовувальних діодів

 

Основними параметрами випростовувальних діодів є:

- найбільший випростаний струм - найбільше допустиме середнє значення випростаного струму за період;

- пряме падіння напруги U_пр – падіння напруги на діоді при протіканні через нього встановленого значення струму;

- найбільша зворотна напруга U_{звор.макс} – напруга, що може бути тривалий час прикладена до діода у зворотному напрямку без порушення його роботи;

- найбільший зворотний струм - струм через діод у зворотному напрямку при прикладенні до нього найбільшої зворотної напруги;

- діапазон частот Df – смуга частот, у межах якої випростаний діодом струм не зменшується нижче за заданий рівень [1].

 

Інші типи діодів

 

Високочастотні діоди – це пристрої універсального призначення: для випростання струмів в широкому діапазоні частот (до 300 мГц), для модуляції, детектування та інших нелінійних перетворень. Як високочастотні використовуються точкові діоди.

Імпульсні діоди призначені для перетворення імпульсних сигналів (генерації, змішування і т. ін.). В основному як імпульсні використовуються точкові діоди.

Стабілізатори напруги (стабілітрони) – це напівпровідникові діоди, які підтримують напругу на собі з певною точністю при протіканні через них струмів у заданому діапазоні. Робочим у стабілітронів є зворотна (пробійна) ділянка вольт – амперної характеристики (рис. 1.5).

Варикапи - це діоди, ємність переходу яких змінюється із зміною постійної напруги.

Тунельні діоди – це діоди з від’ємним опором на вольт– амперній характеристиці.

Світлодіоди – це світловипромінюючі напівпровідникові прилади з одним чи кількома р – n – переходами, які призначені для перетворення електричної енергії в світлову.

Позначення діодів наноситься на їхніх корпусах, або у супроводжуючій документації і складається з кількох елементів.

Перший елемент визначає матеріал, на основі якого виготовлено діод:

Г або 1 – германій,

К або 2 – кремній,

А або 3 – арсенад галію,

И або 4 - фосфад індію.

Другий елемент – буква, що визначає підклас приладів:

Д – діоди випростовувальні, імпульсні;

Ч – випростовувальні блоки;

В – варикапи;

И – тунельні діоди;

А – СВЧ – діоди;

С – стабілітрони;

Г – генератори шуму;

Л – світлодіоди;

О – оптопари;

Н – діодно тиристори;

У – тріодні тиристори.

 

Умовні графічні позначення діодів на електричних принципових схемах наведені на рис 1.6.

Рисунок 1.5 – ВАХ стабілітрона

 

Третій елемент – цифра, що визначає основні функціональні властивості приладу.

Приклад: третій елемент для випростовувальних діодів: (підклас Д):

1. Для діодів з середнім прямим струмом до 0,3А;

2. Для діодів з середнім прямим струмом від 0,3 до 10А.

Четвертий і п’ятий елементи – це порядковий номер розробки розбраковка за параметрами приладів [1, 4].

 

- діод випростовувальний, високочастотний, імпульсний,

 

- стабілітрон,

- варикап,

 

- світлодіод

 

Рисунок 1.6 – Умовні графічні позначення діодів

 

 

Транзистори

 

Транзистори поділяються на біполярні і польові.

Біполярний транзистор – це прилад з двома p – n – переходами і трьома (чотирма) виводами, який має здатність підсилювати напругу і струм при наявності джерела живлення. Особливостю транзистора є те, що його p – n – переходи взаємозв’язані: струм одного переходу може керувати струмом іншого.

Польовий транзистор – це прилад, підсилювальні властивості якого зумовлені потоком основних носіїв через провідний канал, що керується електричним полем.

 

Позначення, що наноситься на корпусах транзисторів, або у супроводжуючій документації складається з кількох елементів.

Перший елемент – визначає матеріал, на основі якого виготовлено транзистори:

Г або 1 – германій,

К або 2 – кремній,

А або 3 – арсенід галію,

И або 4 – фосфат індію.

Другий елемент – підклас приладу:

Т – транзистор біполярний,

П – транзистор польовий.

Третій елемент – цифра, що визначає функціональні можливості транзистора (табл.1.2).

Четвертий елемент – це порядковий номер розробки транзистора та його технологічного типу (цифри від 00 до 99).

П’ятий елемент – поділ технологічного типу транзистора за параметрами (букви від А до Я) [1, 2, 4].

 

Таблиця 1.2 – Функціональні можливості транзисторів

Потужність розсіювання, Вт	Позначення при граничній частоті передачі струму
до 3 Мгц (низько-частотні)	до 30 МГц (середньо-частотні)	більше за 30 МГц (високо-частотні)
До 0,3 (низька)	101…199	201…299	301…399
Від 0,3 до 1,5 (середня)	401 …499	501…599	601…699
Вище 1,5 (висока)	701…799	801…899	901…999