Інтегральна мікросхема К142ЕН1

 

Мікросхема має такі основні параметри [6, 10]:

- струм стабілізації 0,15 А;

- вихідна напруга 3...30 В;

- нестабільність вихідної напруги 0,3 %;

- потужність 0,8 Вт;

- коефіцієнт передачі струмів транзисторів 40...60;

- граничні частоти транзисторів – до 300 МГц [8].

Схема увімкнення ІМС К142ЕН1 з зовнішніми елементами, які дозволяють збільшити струм стабілізації і виконувати регулювання вихідної напруги, наведена на рисунку 3.24. Елементи мікросхеми обведені пунктиром. Цифрами позначені номери виводів ІМС.

 

Рисунок 3.24 – Схема принципова увімкнення ІМС К142ЕН1(2)

 

Джерелом опорної напруги є стабілізатор, який виконаний на елементах VD1 та VТ1. Польовий транзистор VТ1 виконує функцію стабілізатора струму. Опорна напруга через емітерний повторював (VT2, R1, R2, VD2) подається на базу транзистора VT4 диференційного підсилювача. Діод VD2 є термокомпенсуючим. На базу VT5 надходить напруга зворотного зв'язку, яка знімається з дільника R4, R5, R6. Резистором R5 встановлюють значення вихідної напруги. Польовий транзистор VT3 має великий диференціальний опір, за рахунок цього досягається велике посилення підсилювача і зменшується вплив зміни вхідної напруги на вихідну.

Працює схема таким чином. При зміні вхідної напруги, наприклад збільшенні, спочатку збільшується напруга на виході. Збільшується напруга на базі VT5, і він більше відкривається. Збільшується його колекторний струм, що веде до змен­шення базових струмів транзисторів VT6, VT7 і VT1. Вони дещо закриваються. Напруга на переході колектор-емітер транзистора VT1 збільшується, а вихідна напруга зменшується, повертаючись до початкового значення.

Транзистор VT8 разом з зовнішніми резисторами R1, R2 і R3 утворює схему захисту від перевантаження за струмом. При перевищенні струмом навантаження максимального значення, яке встановлюється вибором величини резистора R1, зменшується напруга на навантаженні. Зменшується і потенціал емітера транзистора VT8, він відкривається і шунтує базове коло транзистора VT6. Струм через транзистори VT6, VT7, VT1 та навантаження зменшується і обмежується на встановленому рівні. Чим менше величина резистора R1, тим при більших струмах спрацьовує захист.

Транзистор VT9 служить для дистанційного вимикання стабілізатора. Якщо на базу транзистора VT9 подати позитивну напругу, то він відкриється, зашунтує базове коло складеного транзистора VT6, VT7, VT1, і напруга на виході зменшиться до нуля, оскільки напруга насичення транзистора VT9 менша напруги запирання транзистора VT6.

Зовнішні елементи для мікросхеми вибирають за умови забезпечення режимів її функціонування і отримання необхідних параметрів стабілізатора. Струм діль­ника регулювання вихідної напруги повинен приблизно на порядок перевищувати струм бази транзистора VT5.

Конденсатори С1 та С2 забезпечують стійку роботу мікросхеми. При  приймають С1 > 0,1мкФ, С2 = 5...10мкФ [11].

Ємність конденсатора С1 вибирати дуже великою не рекомендується, оскільки це зменшує швидкодію стабілізатора, що особливо помітно при імпульсному характері навантаження.