Розрахунок ціни науково-дослідної роботи

 

Найбільш поширеним методом ціноутворення в даний час є витратне ціноутворення, що приймає як відправну точку фактично витрати установи на виробництво, реалізацію і пост-супровід роботи.

Суть цього методу: підсумовування сукупних витрат (змінних з постійними) і прибутку, який фірма розраховує отримати.

Основними причинами популярності витратного методу ціноутворення є:

• прив`язка ціни до витрат на виробництво послуги спрощує рішення задачі;

• при використанні даного методу ціни виявляються схожими, а конкуренція внаслідок цього зводиться до мінімуму;

У основі методу лежить облік витрат і встановлення таких цін на послуги, які б забезпечили окупність витрат і нормативний рівень прибутковості.

Як основні переваги витратних методів зазвичай розглядаються гарантований рівень прибутковості і простота. Проте простота тут - поняття вельми умовне, оскільки методи припускають наявність достовірної і повної інформації про витрати, що доводяться на одиницю послуги.

Ціна розраховується, виходячи із суми постійних і змінних витрат. Витратний метод не враховує ринкових факторів, а ціна, визначена за таким методом, практично завжди завищена і в конкурентній ситуації можлива негативними наслідками для продавця. Однак є й позитивні оцінки цієї моделі: якщо в рамках однієї галузі всі виробники використовують витратний метод ціноутворення, цінова конкуренція мінімальна, а ціни більш реальні.

Метод витратного ціноутворення найбільш поширений на підприємствах з чітко вираженою товарною диференціацією для розрахунку цін традиційних товарів, а також для встановлення цін на абсолютно нові товари, що не мають цінових прецедентів, а також найбільш ефективний при розрахунку цін на товари зниженої конкурентоспроможності.

Метод, орієнтований на визначення повних витрат, був основним методом встановлення ціни в плановій економіці. В умовах ринкової економіки цей метод доцільно використовувати в комбінації з ринковими методами.

Ціна науково-дослідницької роботи визначається з використанням витратного методу ціноутворення за формулою.

 

Ц_НДР=3*(1+R)                                               (3.6)

 

де: 3 - сума всіх витрат, грн.;- рентабельність роботи, %.

Рентабельність приймаємо на рівні 20%

Ц_НДР = (1 +0,2)* 28138,32=33766 грн.

Ціна науково-дослідницької роботи з ПДВ визначається за формулою.

 

Ц_{НДР з ПДВ} = Ц_НДР*1,2                                    (3.7)

 

Ц_{НДР з ПДВ} = 33765,98*1,2 = 40519,2 грн.

 

Список літератури

напівпровідниковий кремній мартенситний легований

1. Глазов В.М., Тимошина Г.Г., Михайлова М.С. Принципы легирования кремния для повышения его термостабильности. // ДАН, 1996, №3, т. 347, с, 352-355.

. Таран Ю.Н., Глазов В.М., Регель А.Р., Куцова В.З., Кольцов В.Б., Тимошина Г.Г., Узлов К.И., Фалькевич Э.С. Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния. // ФТП, 1991, т. 25, в. 4. с. 588-595.

. Кольцов В.Б., Зубков A.M., Тимошина М.И. «Методика исследований электрофизических свойств монокристлов кремния в широком интервале температур». // Тезисы докладов Всероссийская научная конференция «Физика полупроводников и полуметаллов» г. Санкт-Петербург, 2002 г.

. Кожитов Л.В., Ботавин В.В., Шепель П.Н., Тимошина Г.Г., Тимошина М.И. «Исследование кинетики распада кремния, легированного переходными и редкоземельными элементами». // Тезисы докладов. Международная конференция «Кремний-2002», Новосибирск, с. 129.

. Новохатский И.А., Кисунько В.З., Ладьянов В.И. Особенности проявлений различных типов структурних превращений в металлических расплавах. - Изв. вузов. Черная металургія, 1985, Т.5, С. 1-9.

. Kutsova V.Z., Nosko O.A. Timoshina M.J. Alloving effect on structure and properties of semiconductor silicon // Silicon 2006, vol. 11, p. 450-459. The Tenth Scientific and Bisiness Conference.

. Новиков И.И., Захаров М.В. Термическая обработка металлов и сплавов. М., «Металлургиздат». 1962 г.

. Куцова В.З., Носко O.A., Тимошина М.И. Влияние легирующих элементов на структуру и свойства полупроводникового кремния. // Тезисы докладов. Четвертая российская конференция с международным участием по физике, материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе «Кремний - 2007», Москва, ГТУ «Московский институт стали и сплавов», стр. 109.

. Глазов В.М., Земсков B.C. «Физико-химические основы легирования полупроводников» М., Наука, 1967, с. 372.

. Глазов В.М., Земсков B.C. «Физико-химические основы легирования полупроводников» М., Наука, 1967, с. 372.

. Приходько Э.В. Металлохимия комплексного легирования. // М., Металлургия, 1983, с. 184.

. Таран Ю.Н., Глазов В.М., Регель А.Р., Куцова В.З., Кольцов В.Б., Тимошина Г.Г., Узлов К.И., Фалькевич Э.С. Структурные превращения при нагреве монокристаллов кремния. // ФТП, 1991, т. 25, в. 4. с. 588-595.

. Савицкий Е.М., Бурханов С.С. Металловедение тугоплавких метал лов и сплавов. - М.: Наука. - 1967. - 324 с.

. Полупроводниковый кремний: теория и технология производства Ю.Н. Таран, В.З. Куцова, И.Ф. Червоный, Е.Я. Швец, Э.С. Фалькевич. - Запорожье: ЗГИА, 2004. - 344 с.

. Таиров, Ю.М. Рост кристаллов и политипизм карбида кремния Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков // Рост кристаллов. - М.: Наука, 1980. - Т. 13. - С. 104-111.