Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Дослідження електрофізичних властивостей легованого кремнію після повного циклу нагрів-охолодження
У роботі проведені вимірювання часу життя неосновних носіїв заряду, питомого електроопору і типу провідності на зразках монокристалічного напівпровідникового кремнію, легованого різними елементами.
Таблиця 2.4 - Електрофізичні властивості легованого напівпровідникового кремнію
Аналіз показує, що високі показники електрофізичних властивостей забезпечуються в нелегованому кремнії, а також, в кремнії, легованому цирконієм - елементом, що підвищує енергію взаємодії атомів кремнію. Порівняльний аналіз підтверджує пряму залежність мікроструктури зразків і електрофізичних властивостей. Наявність двійників, границь двійникування, областей дисперсних виділень другої фази знижує на кілька порядків комплекс електрофізичних властивостей у порівняно з нелегованої кремнієм. У той час, як наявність тільки дислокацій в мікроструктурі зразків кремнію, легованих гафнієм і цирконієм, забезпечує найбільш високий комплекс електрофізичних властивостей, порівняно з іншими дослідженими зразками легованого кремнію. Отже, у відповідності до графіку залежності енергії зв'язку і зарядової щільності кремнію при легуванні вивчені в даній роботі елементи можна розділити на три групи: перша - Мо, Hf, Zr - елементи, що підсилюють енергію взаємодії атомів кремнію; друга - Sn, Ge - елементи, що слабо впливають на енергію взаємодії атомів в гратці кремнію; третя - B, Al, Cu - елементи, що сильно знижують енергію взаємодії в гратці кремнію. Вивчена дислокаційна мікроструктура Cz-Si, легованого досліджуваними елементами. Показано, що легування гафнієм і цирконієм призводить до утворення поодиноких дислокацій і їх ланцюжків, орієнтованих уздовж певних кристалографічних напрямів. Вивчена мікротвердість Cz-Si при введенні легуючих елементів у вихідному стані і після нагріву-охолодження в інтервалі 20°-1000°-20 °С. Показано, що легування алюмінієм і оловом практично не змінює середню мікротвердість Cz-Si. А такі елементи, як B, Cu, Ge, Zr, Hf, B-Sn, B-Мо підвищують її до значень 7000-7500 МПа.
Показано, що найкращі електрофізичні властивості має кремній, легований гафнієм та цирконієм. Економічна частина
Кремній широко поширений в природі і є напівпровідниковим матеріалом. Особливо широке застосування отримав полікристалічний матеріал - карбід кремнію. З карбіду кремнію виготовляють вентильні розрядники для ліній електропередачі - пристрої, що захищають лінію електропередачі від перенапруг. Карбід кремнію знаходить ще застосування в напівпровідникових випрямлячах, що працюють при великих робочих температурах (до 500 ° С). Отримують його штучно - шляхом теплової обробки суміші кварцового піску з вугіллям при високій температурі (2000 ° С). Метою роботи було вивчення структури та властивостей легованого кремнію у вихідному стані та після повного циклу нагрів-охолодження. Вивчена дислокаційна мікроструктура Cz-Si, легованого досліджуваними елементами. Показано, що легування гафнієм і цирконієм призводить до утворення поодиноких дислокацій і їх ланцюжків, орієнтованих уздовж певних кристалографічних напрямів.Вивчена мікротвердість Cz-Si при введенні легуючих елементів у вихідному стані і після нагріву-охолодження в інтервалі 20°-1000°-20 °С. Показано, що легування алюмінієм і оловом практично не змінює середню мікротвердість Cz-Si, останні елементи (B, Cu, Ge, Zr, Hf, B-Sn, B-Мо) підвищують її до значень 7000-7500 МПа. У даному розділі дипломної роботи складено кошторис витрат за економічними елементами: матеріальні витрати; амортизація основних засобів; витрати на оплату праці; нарахування на заробітну плату; накладні витрати.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2020-03-26; просмотров: 76; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.224.32.86 (0.005 с.) |