Фототранзистор и фототиристор.

Внешний вид и условные обозначения фототранзистора представлены на рив 9.5.1 и рис. 9.5.2.

а) б)

Рисунок 9.5.1. Внешний вид фототранзисторов.

Рисунок 9.5.2. Условное изображения фототранзистора.

Выходные характеристики фототранзистора подобны выходным характеристикам обычного биполярного транзистора, в котором положение характеристик определяется не током базы, а уровнем освещенности (или величиной светового потока). Свойства фототиристора подобны свойствам обычного тиристора, однако с той лишь особенностью, что включение тиристора осуществляется не с помощью импульса тока управления, а с помощью светового импульса.

а) б)

Рисунок 9.5.3, а) – внешний вид фототиристора, б) – условное обозначение двухвыводного фототиристора.

 

Фотоэлектронный умножитель.

 

Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) – электронный прибор в котором ток фотоэмиссии усиливается за счет электронной эмиссии. Внешний вид прибора представлен на рис. 9.6.1 ФЭУ помимо катода и анода содержит несколько дополнительных электродов, называемых динодами (см. рис. 9.6.2). Их наличие позволяет усиливать фототок. Между катодом и анодом подключают источник питания. Диноды подключают к делителю напряжений так, чтобы напряжение между соседними электродами составляло 50…150 В. Фотоны попадающие на катод выбивают с его поверхности, вследствие внешнего фотоэффекта, первичные электроны, которые притягиваются динодами, из-за разности потенциалов между ними. Движение электронов, от катода к аноду сопровождается образованием вторичных электронов (см. рис. 9.6.2 б), которые выбиваются с поверхности динодов первичными электронами и притягиваются последующим динодом вследствие разности потенциалов между ними. Отношение числа вторичных электронов к первичным называется коэффициентом вторичной электронной эмиссии σ. Энергетическая характеристика ФЭУ линейна в широком диапазоне световых потоков.

Достоинства прибора - высокая чувствительность.

Недостаток - сложность конструкции и необходимость высоковольтных источников питания (около 1000 В). ФЭУ применяют в качестве приемников в спектральной аппаратуре.

 

 

 

Рисунок 9.6.1. Фотоэлектронные умножители.

 

 

 

Рисунок 9.6.2 а) схема включения ФЭУ в цепь: 1 – катод, 2 – диафрагма, 3 – диноды, 4 – анод; б) электронная эмиссия.

 

 

Контрольные вопросы:

 

1. В чем проявляется внешний фотоэффект?

2. В чем проявляется внутренний фотоэффект?

3. Может ли фоторезистор работать на переменном токе?

4. Что такое фототок?

5. Что такое энергетическая характеристика фоторезистора?

6. Что такое вольтамперная характеристика фоторезистора?

7. Что такое спектральная характеристика фоторезистора?

8. Какие применения фотодиода вы знаете?

9. В каких режимах работает фотодиод?

10. Что такое фотоэлектронный умножитель?

11. Какие применения фотоэлектронного умножителя Вы знаете?

12. Какими недостатками обладает фотоэлектронный умножитель?

13. Какими электродами обладает фотоэлектронный умножитель?

14. Что такое темновой ток?

 

Глава 10. Интегральные микросхемы.

Общие сведения.

Интегральная микросхема (ИМС ) - это изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов, которые могут рассматриваться как единое целое, выполнены в едином технологическом процессе и заключены в герметизированный корпус. Внешний вид микросхем представлен на рисунке 10.1.1.

а)

б)

Рисунок 10.1.1. Внешний вид некоторых микросхем.

 

Электронная аппаратура на ИМС обладает следующими большими преимуществами:

 

1. Высокой надежностью и технологичностью, поскольку ИМС изготовляют на специализированных предприятиях на основе хорошо автоматизированной современной технологии. При создании аппаратуры на ИМС резко снижаются затраты труда на сборку и монтаж аппаратуры, уменьшается число паяных соединений, которые являются одним из наименее надежных элементов, электронных узлов. Поэтому аппаратура на ИМС намного надежнее, чем аппаратура на дискретных элементах, меньше вероятность ошибок при монтаже. Только ИМС обеспечили высокую надежность, необходимую для создания систем управления космическими аппаратами и современных больших вычислительных систем.

2. Аппаратура на ИМС обладает малыми массой и габаритами.

3. При создании аппаратуры из готовых ИМС резко сокращается время на разработку изделия, так как используются готовые узлы и блоки, упрощается внедрение в производство.

4. Применение аппаратуры на ИМС массового выпуска снижает стоимость изделия, так как уменьшаются расходы на монтаж и наладку устройства, да и сами микросхемы стоят дешевле заменяемых ими схем на дискретных компонентах, так как выпускаются по наиболее совершенной и производительной технологии.

5. Создание аппаратуры на ИМС упрощает организацию производства за счет уменьшения числа операций и сокращения числа комплектующих изделий.

 

В силу этих преимуществ практически все современные устройства информационной электроники создаются с применением ИМС. Можно отождествить современную информационную электронику и микросхемотехнику. В последние годы наметилась тенденция внедрения достижений микроэлектроники и в энергетическую электронику.

Интегральные микросхемы делятся на два сильно отличающихся друг от друга класса:

 

1) полупроводниковые ИМС;

2) гибридные ИМС.

 

Полупроводниковая ИМС — полупроводниковый; кристалл, в толще которого выполняются все компоненты схемы: полупроводниковые приборы и полупроводниковые резисторы. Поверхность полупроводника покрывается изолирующим слоем окисла, по которому в нужных местах расположен слой металла, обеспечивающий соединения между элементами схемы (см. рис. 10.1.2).

 

 

 

Рисунок 10.1.2. Полупроводниковая микросхема.

 

Полупроводниковые ИМС обладают следующими особенностями:

 

1. В кристалле полупроводника могут быть выполнены полупроводниковые приборы (диоды, транзисторы, поле­вые транзисторы) и полупроводниковые резисторы. В качестве конденсаторов с емкостью до 200—400 пФ используют емкости полупроводниковых диодов, смещенных в обратном, направлении. Наиболее предпочтительными элементами являются те, которые занимают наименьшую площадь на кристалле; это, в первую очередь, полевые транзисторы МДП-типа, затем другие полупроводниковые приборы. Конденсаторы большей емкости и магнитные элементы (дроссели, трансформаторы) в составе полупроводниковых ИМС невыполнимы.

2. Точность воспроизведения параметров компонентов полупроводниковой ИМС невелика, но одинаковые элементы на одном кристалле имеют практически идентичные параметры.

3. Технология ИМС очень сложна, и их выпуск может быть налажен лишь на крупном специализированном предприятии.

4. Затраты на подготовку выпуска нового типа ИМС велики, поэтому экономически оправдан выпуск этих изделий только очень крупными сериями (10⁴ экземпляров и выше). Чем выше тираж изделия, тем дешевле оно обходится изготовителю.

5. Масса и габариты полупроводниковых ИМС очень малы, на одном кристалле кремния (размером несколько квадратных сантиметров) могут располагаться десятки и сотни тысяч отдельных элементов схемы.

 

Гибридные ИМС. Основу гибридной ИМС состав­ляет пленочная схема: пластина диэлектрика, на поверхности которого нанесены в виде пленок толщиной порядка 1 мкм компоненты схемы и межсхемные соединения (см. рис. 10.1.3). Этим способом легко выполнимы пленочные проводниковые соединения, резисторы, конденсаторы. Резисторы больших номиналов выполняют в виде меандра (рис. 10.1.4, а), что обеспечивает минимальную площадь, занимаемую элементом. Сопротивление таких резисторов может достигать 10⁵ Ом. Пленочные конденсаторы имеют структуру, разрез которой показан на рис. 10.1.4, б. Конденсатор состоит из трех пленочных слоев: металл — диэлектрик—металл. За счет малой толщины диэлектрика емкость пленочных

 

 

 

Рисунок 10.1.3. Гибридная микросхема.

 

Рисунок 10.1.4. Компоненты пленочных интегральных микросхем: а) – резистор; б) – конденсатор; в) – индуктивность.

 

 

конденсаторов достигает 10 000 пФ и более. Дроссели могут быть выполнены в виде спирали (рис. 10.1.4, в); они имеют небольшую индуктивность, не более 10 мкГн. Бескорпусные полупроводниковые приборы, конденсаторы больших номиналов и магнитные элементы в гибридных ИМС выполняются навесными: эти элементы приклеиваются в определенных местах к плате, осуществляется их контактирование с элементами пленочной схемы, затем плата с пленочной, схемой и навесными элементами помещается в герметизированный корпус, имеющий определенное количество выводов.

 

Гибридные ИМС обладают следующими основными свойствами:

 

1. Наиболее предпочтительными элементами являются пассивные компоненты (резисторы и конденсаторы), число навесных элементов в ИМС должно быть небольшим, так как их установка и монтаж требуют больших затрат труда.

2. Точность воспроизведения параметров в гибридных ИМС значительно выше, чем полупроводниковых. Возможна подгонка номиналов резисторов и конденсаторов (например, путем соскабливания части пленки).

3. Технология гибридных ИМС значительно проще технологии полупроводниковых. Гибридные ИМС делятся на тонкопленочные, в которых пленки создаются методом термовакуумного напыления, и толстопленочные, в которых пленки получают путем нанесения пасты через трафарет

с последующим спеканием в печи. Технология толстопленочных ИМС сравнительно проста, и их выпуск может быть налажен в стенах лаборатории или производственного участка.

4. Стоимость подготовки к выпуску нового типа гибридных ИМС меньше, чем полупроводниковых, поэтому экономически оправдан выпуск гибридных ИМС малыми сериями (сотни и даже десятки экземпляров).

5. Массогабаритные показатели гибридных ИМС хуже, чем у полупроводниковых, и число компонентов в одной схеме обычно не больше нескольких десятков.

 

Полупроводниковые ИМС в основном являются ИМС общего применения, т. е. выпускаются в виде типовых элементов для различных областей использования, обладают универсальными достоинствами, что обеспечивает их высокий тираж. Гибридная технология особенно предпочтительна при разработке ИМС частного применения, т. е. для решения какой-то определенной задачи. В этом случае ти­раж ИМС обычно невысок, и экономически выгоднее выпуск гибридных ИМС.

Число компонентов, заключенных в одном корпусе ИМС, Называют степенью интеграции N.

 

Контрольные вопросы:

 

1. Что такое интегральная микросхема?

2. Какими преимуществами обладает аппаратура на интегральных микросхемах?

3. Как влияет применение микросхем на организацию производство по изготовлению электронной техники?

4. Какими свойствами обладают полупроводниковые микросхемы?

5. Какими свойствами обладают гибридные микросхемы?

6. В каких случаях целесообразно применять полупроводниковые микросхемы?

7. В каких случаях целесообразно применять гибридные микросхемы?

8. Что такое степень интеграции микросхемы?