Проверка катушек индуктивности.

 

 

При проверке катушек индуктивности омметром контролируется только отсутствие в них обрыва. Сопротивление однослойных катушек должно быть равно нулю, сопротивление многослойных катушек близко к нулю. Иногда в пас­портных данных аппарата указывается сопротивление многослойных катушек постоянному току и на его величину можно ориентироваться при их проверке. При обрыве катушки омметр показывает бесконеч­но большое сопротивление. Если катушка имеет отвод, нужно про­верить обе секции катушки, подключая омметр сначала к одному из крайних выводов катушки и к ее отводу, а затем—ко второму крайнему выводу и отводу.

 

 

Проверка низкочастотных дросселей и трансформаторов.

 

 

Как правило, в паспортных данных аппаратуры или в инструкциях по ее ремонту указываются значения сопротивлений обмоток постоян­ному току, которые можно использовать при проверке трансформа­торов и дросселей. Обрыв обмотки фиксируется по бесконечно большому сопротивлению между ее выводами. Если же сопротивле­ние значительно меньше номинального, это может указывать на на­личие короткозамкнутых витков. Однако чаще всего короткозамкнутые витки возникают в небольшом количестве, когда происходит за­мыкание между соседними витками, и сопротивление обмотки изменяется незначительно. Для проверки отсутствия короткозамкнутых витков можно поступить следующим образом. У трансформато­ра выбирается обмотка с наибольшим количеством витков, к одному из выводов которой подключается омметр с помощью зажима «кро­кодил». Ко второму выводу этой обмотки прикасаются слегка влаж­ным пальцем левой руки. Держа металлический наконечник второго щупа омметра правой рукой, подключают его ко второму выводу обмотки, не отрывая от него пальца левой руки. Стрелка омметра отклоняется от своего начального положения, показывая сопротивле­ние обмотки. Когда стрелка остановится, отводят правую руку с щу­пом от второго вывода обмотки. В момент разрыва цепи при исправ­ном трансформаторе чувствуется легкий удар электрическим током за счет ЭДС самоиндукции, возникающей при разрыве цепи. В связи с тем что энергия разряда мизерна, никакой опасности такая про­верка не представляет. При наличии короткозамкнутых витков в проверяемой обмотке или в других обмотках трансформатора ЭДС самоиндукции резко падает и электрического удара не ощущается. Омметр при этом нужно использовать на самом меньшем пределе измерения, который соответствует наибольшему току измерения.

 

 

Проверка диодов.

 

Полупроводниковые диоды характеризуются резко нелинейной вольтамперной характеристикой. Поэтому их пря­мой и обратный токи при одинаковом приложенном напряжении различны. На этом основана проверка диодов омметром. Прямое сопротивление измеряется при подключении плюсового вы­вода омметра к аноду, а минусового вывода—к катоду диода. У пробитого диода прямое и обратное сопротивления равны нулю. Если диод оборван, оба сопротивления бесконечно велики. Указать заранее значения прямого и обратного сопротивлений или их соотно­шение нельзя, так как они зависят от приложенного напряжения, а это напряжение у разных мультиметров и на разных пределах изме­рения различно. Тем не менее, у исправного диода обратное сопро­тивление должно быть больше прямого. Отношение обратного со­противления к прямому у диодов, рассчитанных на низкие обратные напряжения, велико (может быть более 100). У диодов, рассчитанных на большие обратные напряжения, это отношение оказывается не­значительным, так как обратное напряжение, приложенное к диоду омметром, мало по сравнению с тем обратным напряжением, на ко­торое диод рассчитан. Методика проверки стабилитронов и варикапов не отличается от изложенной. Как известно, если к диоду при­ложено напряжение, равное нулю, ток диода также будет равен нулю. Для получения прямого тока необходимо приложить к диоду какое-то пороговое небольшое напряжение. Любой омметр обеспечи­вает приложение такого напряжения. Однако если соединено после­довательно и согласно (в одну сторону) несколько диодов, пороговое напряжение, необходимое для отпирания всех диодов, увеличивается и может оказаться больше, чем напряжение на клеммах омметра. По этой причине измерить прямые напряжения диодных столбов или селеновых столбиков при помощи омметра оказывается невозможно.

 

 

Проверка тиристоров.

 

Неуправляемые тиристоры (динисторы) могут быть проверены таким же образом, как диоды, если напря­жение отпирания динистора меньше напряжения на клеммах оммет­ра. Если же оно больше, динистор при подключении омметра не отпирается и омметр в обоих направлениях показывает очень боль­шое сопротивление. Тем не менее, если динистор пробит, омметр это регистрирует нулевыми показаниями прямого и обратного со­противлений. Для проверки управляемых тиристоров (тринисторов) плюсовой вывод омметра подключается к аноду тринистора, а ми­нусовой вывод—к катоду. Омметр при этом должен показывать очень большое сопротивление, почти равное бесконечному. Затем замыкают выводы анода и управляющего электрода тринистора, что должно приводить к резкому уменьшению сопротивления, так как тринистор отпирается. Если после этого отключить управляющий электрод от анода, не разрывая цепи, соединяющей анод тринистора с омметром, для многих типов тринисторов омметр будет продол­жать показывать низкое сопротивление открытого тринистора. Это происходит в тех случаях, когда анодный ток тринистора оказы­вается больше так называемого тока удержания. Тринистор остается открытым обязательно, если анодный ток больше гарантированного тока удержания. Это требование является достаточным, но не необходимым. Отдельные экземпляры трннисторов одного и того же типа могут иметь значения тока удержания значительно меньше гаранти­рованного. В этом случае тринистор при отключении управляющего электрода от анода остается открытым. Но если при этом тринистор запирается и омметр показывает большое сопротивление, нельзя счи­тать, что тринистор неисправен.

 

 

Проверка транзисторов.

 

Эквивалентная схема биполярного тран­зистора представляет собой два диода, включенных навстречу один другому. Для р-n-р транзисторов эти эквивалентные диоды соедине­ны катодами, а для n-р-n транзисторов — анодами. Таким образом, проверка транзистора омметром сводится к проверке обоих р-n пере­ходов транзистора: коллектор—база и эмиттер—база (смотрите рис.11.9.1).

 

 

 

Рисунок 11.9.1. Биполярный транзистор, условно представленный диодами.

 

Для проверки прямого сопротивления переходов р-n-р транзистора минусовой вывод омметра подключается к базе, а плюсовой вывод омметра— поочередно к коллектору и эмиттеру. Для проверки обратного со­противления переходов к базе подключается плюсовой вывод оммет­ра. При проверке n-р-n транзисторов подключение производится наоборот: прямое сопротивление измеряется при соединении с базой плюсового вывода омметра, а обратное сопротивление—при соеди­нении с базой минусового вывода. При пробое перехода его прямое и обратное сопротивления оказываются равными нулю. При обрыве перехода его прямое сопротивление бесконечно велико. У исправных маломощных транзисторов обратные сопротивления переходов во много раз больше их прямых сопротивлений. У мощных транзисто­ров это отношение не столь велико, тем не менее омметр позволяет их различить. Из эквивалентной схемы биполярного транзистора вытекает, что с помощью омметра можно определить тип проводи­мости транзистора и назначение его выводов (цоколевку). Сначала определяют тип проводимости и находят вывод базы транзистора. Для этого один вывод омметра подключают к одному выводу тран­зистора, а другим выводом омметра касаются поочередно двух дру­гих выводов транзистора. Затем первый вывод омметра подключают к другому выводу транзистора, а другим выводом омметра касаются свободных выводов транзистора. Затем первый вывод омметра под­ключают к третьему выводу транзистора, а другим выводом касаются остальных. После этого меняют местами выводы омметра и повто­ряют указанные измерения. Нужно найти такое подключение оммет­ра, при котором подключение второго вывода омметра к каждому из двух выводов транзистора, не подключенных к первому выводу омметра, соответствует небольшому сопротивлению (оба перехода открыты). Тогда вывод транзистора, к которому подключен первый вывод омметра, является выводом базы.

 

Если первый вывод омметра является плюсовым, значит, транзистор относится к n-р-n проводи­мости, если — минусовым, значит,— р-n-р проводимости. Теперь нужно определить, какой из двух оставшихся выводов транзистора является выводом коллектора. Для этого омметр подключается к этим двум выводам, база соединяется с плюсовым выводом оммет­ра при n-р-n транзисторе или с минусовым выводом омметра при р-n-р транзисторе и замечается сопротивление, которое измеряется омметром. Затем выводы омметра меняются местами (база остается подключенной к тому же выводу омметра, что и ранее) и вновь замечается сопротивление по омметру. В том случае, когда сопро­тивление оказывается меньше, база была соединена с коллектором транзистора. Полевые транзисторы проверять не рекомендуется.

 

 

Проверка микросхем.

 

 

При помощи омметра можно производить проверку тех микросхем, которые представляют собой набор диодов или биполярных транзисторов. Таковы, например, диодные сборки и матрицы КДС111, КД906 и микросхемы К159НТ, К198НТ и другие. Проверка диода, транзистора производится по уже описанной методике. Если неизвестно назначение выводов сборки или микросхемы, оно также может быть определено, хотя из-за наличия нескольких транзисторов в одном корпусе приходится проводить более громозд­кие измерения. При этом нужно установить систему подключения омметра к выводам, чтобы выполнить все возможные комбинации.

 

 

Контрольные вопросы:

 

1. Как проверить исправность диодов?

2. Как проверить работоспособность конденсаторов?

3. Как проверить работоспособность транзисторов?

4. Что такое мультиметр?

5. Где погрешность стрелочного мультиметра минимальна: в начале шкалы, в середине или в конце шкалы?

6. Как проверить работоспособность резисторов?

7. Как проверить работоспособность дросселя?

8. Как проверить работоспособность трансформатора?

9. Как проверить работоспособность тиристоров?

10. Возможно ли с помощью мультиметра проверить работоспособность микросхемы любого типа?

 

Заключение.

Электроника играет ведущую роль в научно-технической революции. Внедрение электронных приборов в различные сферы человеческой деятельности в значительной мере способствует успешному решению сложнейших научно-технических проблем, повышению производительности физического и умственного труда, улучшению экономических показателей производства. В настоящее время, на основе достижений электроники развивается все отрасли промышленности и сельское хозяйство. В то же время, технология изготовления электронных приборов, их конструирование, создание новой элементной базы, базируются на использовании разнообразных свойств материалов и физико-химических процессов. При изготовлении электронной техники используется электроннолучевая, ультразвуковая и лазерная обработки материалов и сварка; фотолитография, электронная и рентгеновская литография и многое другое. Поэтому развитие электроники не мыслимо без создания новых материалов, способов из обработки и совершенствования технологий изготовления электронной аппаратуры. Дальнейший прогресс электроники тесно связан с достижениями в других областях науки и техники.

 

 

Литература:

 

1. Винокуров Е.Б. Электроника. Учебное пособие. Тамбов: Тамб. гос. тех. ун-т, 2004, 80 с.

2. Горошков Б.И., Горошков А.Б.Электронная техника. Учебное пособие. – 2-е изд., стер. – М.: Академия, 2008, 320 с.

3. Гусев В. Г. Электроника и микропроцессорная техника. Учебник для студентов высших учебных заведений. - М.: Высшая. школа, 2006. - 425с.

4. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Учебник для студентов энергетических и электромеханических специальностей вузов. - М.: Альянс, 2008, - 342с.

5. Игумнов Д. В., Костюнина Г. П. Основы полупроводниковой электроники. Учеб. пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности 351400 - "Приклад. Информатика». - М.: Горячая линия-Телеком, 2005. - 325с.

6. Марченко А. Л. Основы электроники. Учебное пособие для вузов. — М.: ДМК Пресс, 2008. — 296 с.

7. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. /Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1985. – 904 с.

8. Основы промышленной электроники. Учебное пособие. / Под редакцией В.Г. Герасимова. – 3-е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1986. – 336 с.

9. Основы электроники. Гершунский Б. С. Киев. Вища школа, 1977. - 344 с.

10. Новиков Ю. Н., Усов В.С. Электроника и схемотехника. Полупроводниковые приборы: устройство, принцип действия, применение в усилителях: учебное пособие. – СПб.: Издательство Политехнического университета, 2010. - 387с.

11. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. Учеб. пособие для вузов. - СПб: Лань, 2006. - 453с.

12. Розеншер Э., Винтер Б., Оптоэлектроника. / Перевод с французкого под ред. О.Н. Ермакова. – М.: Техносфера, 2004. – 592 с.

13. Шаньгин Е.С. Основы электроники: Учеб. пособие. – Уфа, изд-во УГАТУ, 2007, – 168 с.

14. ГОСТ 25529 - 82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

15. ГОСТ 20332-84. Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

16. ГОСТ 20003-74. Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

17. ГОСТ 19095-73. Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.

18. ГОСТ 19480-89. Микросхемы интегральные. Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров.