Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Схемы включения полевых транзисторов.Содержание книги
Поиск на нашем сайте
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 5.3.1) является схемой с общим истоком (рис. 5.3.1, а). Схема с общим затвором (рис. 5.3.1, б) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется. Схема с общим стоком (рис. 5.3.1, в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Рисунок 5.3.1. Основные схемы включения полевых транзисторов: а) - с общим истоком; б) – с общим затвором; в) – с общим стоком.
Контрольные вопросы:
1. Опишите принцип работы полевого транзистора с управляющим р-n -переходом. 2. Чем отличаются полевые транзисторы с управляющим р-n -переходом от полевых транзисторов с изолированным затвором? 3. Чем отличаются полевые транзисторы с изолированным затвором с индуцированным каналом от транзисторов со встроенным каналом? 4. Какими характеристиками и параметрами описывают свойства полевых транзисторов? 5. В чем заключается основное отличие полевых транзисторов от биполярных?
Глава 6. Тиристоры.
Особую группу полупроводниковых приборов составляют многослойные приборы с тремя и более p-n -переходами, используемые в качестве электронных переключателей. Они объединяются общим названием – тиристоры. В зависимости от числа наружных выводов различают двухэлектродный тиристор, или динистор, и трехэлектродный – тринистор.
Динисторы.
Структура и условное графическое обозначение динистора приведены на рис. 6.1.1, а, б. Прибор содержит четыре полупроводниковые области с чередующимися типами электрической проводимости: р-п-р-п. Крайняя р -область называется анодом, а крайняя n -область – катодом. Так как между двумя прилегающими друг к другу областями с различными типами электропроводности образуется электронно-дырочный переход, то в динисторе таких переходов оказывается три: 1, 2 и 3.
Рисунок 6.1.1. Структура, условное графическое изображение и вольтамперная характеристика динистора.
Если динистор подключен к источнику напряжения так, что «минус» подается на анод, а «плюс» – на катод, то крайние р-n- переходы оказываются включенными в обратном направлении и через динистор протекает небольшой обратный ток (участок ОГ) – рис. 6.1.1, в. При изменении полярности источника внешнего напряжения переходы 1 и 3 включаются в прямом направлении, а средний переход 2 в обратном. Сопротивление между анодом и катодом динистора в этом случае также велико (сотни килоом), и через него протекает небольшой ток Iзкр, измеряемый при напряжении Uпр.зкр.макс, которое называют максимально допустимым постоянным прямым напряжением на закрытом тиристоре. При некотором значении прямого напряжения, называемого напряжением включения Uвкл, средний переход открывается, сопротивление между анодом и катодом уменьшается до десятых долей ома. Такое состояние динистора называют открытым. Падение напряжения на открытом динисторе составляет всего 1...2 В (участок БВ) и мало зависит от величины тока, протекающего через динистор. В справочных данных обычно указывается значение напряжения открытого тиристора Uоткр при максимально допустимом постоянном токе Iоткр.макс. Напряжение включения для динисторов составляет, как правило, десятки-сотни вольт. В открытом состоянии динистор находится до тех пор, пока через него протекает ток, не меньший, чем ток удержания Iуд. Для перевода динистора из открытого состояния в закрытое следует уменьшить напряжение внешнего источника примерно до 1 В или отключить его. Внешний вид динисторов представлен на рис. 6.1.2.
Рисунок 6.1.2. Внешний вид динисторов.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-07-16; просмотров: 164; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 13.58.62.69 (0.006 с.) |