Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Біполярні транзистори з ізольованим затворомСодержание книги
Поиск на нашем сайте
Біполярні транзистори з ізольованим затвором (БПТІЗ), це структура в якої вхідним транзистором є польовий транзистор з ізольованим затвором, а вихідним являється біполярний n-p-n – транзистор. При виготовленні польових транзисторів з ізольованим каналом, що мають вертикальний канал утворюється паразитний біполярний транзистор, що обмежує його широке використання. Схематично такий транзистор можна представити схемою рис.69 де VT1-польовий транзистор з ізольованим затвором VT2- паразитний біполярний транзистор,
Рисунок 69. Схема заміщення ПТ із вертикальним каналом та його вольт-амперні характеристики.
R1- послідовний опір каналу ПТ, R2- опір шунтування переходу база-емітер біполярного транзистора. Опором R2 біполярний транзистор замкнений і істотно не впливає на роботу польового транзистора. Основним недоліком такого транзистора є те, що він має малу крутість вольт-амперної характеристики і порівняно велику залишкову напругу при роботі в імпульсному режимі. Кращими характеристиками володіють IGВТ – транзистори (Insulated Gate Bipolar Transistor), в яких вдало використовуються особливості польових транзисторів з вертикальним каналом та біполярного транзистора. Щоб отримати IGВТ – транзистор, БПТІЗ доповнили ще одним p-n-p переходом і в схемі заміщення з’явився ще один p-n-p – транзистор VT3 рис.69.
Рисунок 70. Схема заміщення транзистора типу IGВТ і його вольт-амперні характеристики
Структура, що складається із двох транзисторів VT2 та VT3 має глибокий внутрішній позитивний зворотний зв’язок. Струм колектора транзистора VT3 впливає на струм бази транзистора VT2, а струм колектора транзистора Т2 визначає струм бази транзистора VT3. Якщо мати на увазі, що коефіцієнти передачі струму емітера транзисторів VT2 та VT3 мають значення α2 і α3 то можемо знайти струми в схемі Iк3=Ie3 α3 , Iк2=Ie2 α2 Спільний струм емітера структури буде рівний Ie= Iк2+ Iк3+ Iс з цього рівняння можна визначити струм стоку польового транзистора типу IGВТ Iс= Ie(1- α3-α2) Струм стоку польового транзистора залежить від крутості S транзистора та напруги прикладеної між затвором і витоком Iс=SU3 Якщо відомо струм стоку транзистора типу IGWТ, то можна знайти еквівалентну крутість SU3=Ie(1- α3-α2)=Ik=Ie Звідси знаходимо Ik=Ie= Тобто еквівалентна крутість IGWТ біполярного транзистора з ізольованим затвором рівна Se= При умові, що (α3+α2)≈1 еквівалентна крутість біполярного транзистора з ізольованим затвором буде більшою ніж у польового транзистора з ізольованим затвором. Величини α3 і α2 можна регулювати зміною опорів R1 і R2 при виготовленні транзисторів. Із наведених вольт - амперних характеристик очевидно значне збільшення крутості порівняно з ПТІЗ, що особливо важливо при роботі IGВТ в ключовому режимі. Спадання напруги при замкнутому ключі значно менше ніж на ПТІЗ, тому що шунтування опору каналу відбувається двома насиченими транзисторами VT2 і VT3 ввімкненими послідовно. На базі IGВТ виготовляються силові модулі на струми і напруги комутації Ік=10¸2400 А Uк=600¸3300 В, що практично не можливо досягнути на БПТ. До недоліків транзисторів типу IGВТ можна віднести:
ВИПРОМІНЮЮЧІ НАПІВПРОВОДНИКОВІ ПРИЛАДИ (елементи оптоелектроніки)
Випромінюючим напівпровідниковим приладом називають прилад, який призначений для безпосереднього перетворення електричної або світлової енергії в енергію світлового випромінювання. В залежності від того, яке випромінювання утворюється в випромінювальному пристрої, їх можна поділити на дві підгрупи: 1. В пристроях використовується некогерентне випромінювання (світло діоди) 2. Використовується когерентне випромінювання (лазери)
Світло діоди Світло діод – напівпровідниковий прилад з одним або декількома елементарними p-n-переходами та призначений для перетворення електричної енергії в енергію некогерентного світлового випромінювання.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2016-08-01; просмотров: 92; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.16.212.27 (0.007 с.) |