V1: Биполярные и полевые транзисторы



Мы поможем в написании ваших работ!


Мы поможем в написании ваших работ!



Мы поможем в написании ваших работ!


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

V1: Биполярные и полевые транзисторы



I: {{ 1 }} ; K=А

S:Недостаток полевых транзисторов заключается в

-:отсутствии базы

+: низком быстродействии

-:отсутствии эммиттера

-:изоляции затвора

-:отсутствии коллектора

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Соотношение между основными параметрами полевого транзистора имеет вид:

+: =SRi

-: Ik= Iб

-:Ik= IЭ

-:R=U/I

-:Iб=(1- ) IЭ

I: {{ 3 }} ; K=А

S:В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:

+:h21Э

-: h21б

-:h11Э

-:h11б

-:h22Э

I: {{ 4 }} ; K=А

S:Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с:

+:ОК

-: ОБ

-:ОИ

-:ОЭ

-:ОС

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления транзисторного каскада по мощности

+:КР = Рвых / Рвх

-: КР = Рвх / Рвых

-:КР = Sвых / Sвх

-:КР = Sвх / Sвых

-:КР = Qвых / Qвх

I: {{ 6 }} ; K=А

S:Отрицательная обратная связь в усилителях используется с целью

+:повышения стабильности усилителя

-: повышения коэффициента усилителя

-:повышения размеров усилителя

-:снижения напряжения питания

-:уменьшения тока покоя усилителя

I: {{ 7 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления истокового повторителя по напряжению

+:KU<1

-: KU=0

-:KU>1

-:KU>>1

-:KU=1

I: {{ 8 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ

+:KU>>1

-: KU=1

-:KU<1

-:KU=0

-:KU<0

I: {{ 9 }} ; K=А

S:Какие системы параметров используют для биполярных транзисторов:

+:h, Y, Z

-: A, B, C

-:X, Y, Z

-:

-:

I: {{ 10 }} ; K=А

S:В какой из схем включения биполярного транзистора достигается наибольшее входное сопротивление

+:ОК

-: ОЭ

-:ОБ

-:ОИ

-:ОС

I: {{ 11 }} ; K=А

S:Соотношение между током базы и током эмиттера в усилительном каскаде с ОБ имеет вид:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 12 }} ; K=А

S:Соотношение между током коллектора и током базы транзистора в схеме с ОЭ имеет вид:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 13 }} ; K=А

S:При работе транзистора в ключевом режиме ток коллектора равен нулю:

+:режим отсечки

-: режим насыщения

-:в активном режиме

-:режим А

-:режим В

I: {{ 14 }} ; K=А

S:Для стабилизации рабочей точки усилительного каскада используют:

+:введения отрицательной обратной связи по постоянному току

-: повышение напряжения питания

-:увеличение сопротивления нагрузки

-:положительной обратной связи

-:понижения напряжения питания

I: {{ 15 }} ; K=Б

S:Усилители низкой частоты усиливают сигнал ###

-:в диапазоне частот от 20 до 20 кГц

-: в диапазоне частот от 20 до 20000 Гц

+:все ответы верны

-:от детектора

-:от микрофона

I: {{ 16 }} ; K=А

S:Недостаток полевых транзисторов заключается в ###

-:отсутствии базы

+: низком быстродействии

-:отсутствии эммиттера

-:изоляции затвора

-:отсутствии коллектора

I: {{ 17 }} ; K=А

S:Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?

+:схема включения с ОЭ

-: схема включения с ОБ

-:схема включения с ОК

-:0

-:0

I: {{ 18 }} ; K=А

S:Какая схема включения у транзистора, если электроды база и эмиттер являются входным, а выходным коллектор, база?

+:схема включения с ОБ

-: схема включения с ОК

-:схема включения с ОЭ

-:схема включения с ОИ

-: схема включения с ОС

I: {{ 19 }} ; K=А

S:Какая схема включения у транзистора, если электроды база и коллектор являются входным, а выходным коллектор, эмиттер?

+:схема включения с ОК

-: схема включения с ОБ

-:схема включения с ОЭ

-:0

-:0

I: {{ 20 }} ; K=А

S:Условное обозначение какого прибора дано ГТ115Г?

+:германиевый биполярный транзистор

-: биполярный транзистор большой мощности

-:галлиевый диод

-:кремневый биполярный транзистор

-:кремниевый полевой транзистор

I: {{ 21 }} ; K=А

S:В МДП транзисторе с индуцированным каналом ток стока при нулевом напряжении затвора?

+:отсутствует

-: небольшой

-:большой

-:возрастает

-:переходит в режим насыщения

I: {{ 22 }} ; K=А

S:Какой слой в биполярном транзисторе имеет наименьшую толщину?

+:база

-: эмиттер

-:коллектор

-:все слои одинаковы

-:в зависимости от типа транзистора

I: {{ 23 }} ; K=Б

S:Каково назначения делителя напряжения в усилителях по схеме с ОЭ?

+:задает напряжение смещение базы

-: направляет на выход усиленный сигнал

-:не пропускает постоянную составляющую тока

-:складывает сигналы разных знаков

-: уменьшает выходной сигнал

I: {{ 24 }} ; K=Б

S:Для стабилизации рабочей точки усилительного каскада используют:

+:введения отрицательной обратной связи по постоянному току

-: повышение напряжения питания

-:увеличение сопротивления нагрузки

-:положительной обратной связи

-: понижения напряжения питания

I: {{ 25 }} ; K=А

S:Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:

+:m= d UCU/ d UЗU

-: m= d UЗU / d UСU

-:m= d UСU / d iC

-:m= d UЗU / d iC

-:m= d UСU/ d iЗ

I: {{ 26 }} ; K=А

S:Крутизна стокозатворной характеристики полевого транзистора определяется выражением:

+:S = d iC/ d UЗU

-: S = d UCU/d iC

-:S = d U/d UЗU

-:S = d UЗU / d iC

-:S = d iC/ d UСU

I: {{ 27 }} ; K=Б

S:Коэффициент усиления по току транзистора в схеме ОЭ:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 28 }} ; K=Б

S: Статический коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора:

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 29 }} ; K=Б

S:Наибольшее усиление по мощности на биполярном транзисторе дает схема:

+:ОЭ

-: ОИ

-:ОК

-:ОС

I: {{ 30 }} ; K=А

S:Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители заряда, называется:

+:эмиттером

-: базой

-:коллектором

-:n-переходом

-:р-переходом

I: {{ 31 }} ; K=А

S:Область в полевом транзисторе, через которую проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток, называется:

+:каналом

-: истоком

-:стоком

-:коллектором

-: затвором

I: {{ 32 }} ; K=А

S:Электрод, из которого вытекают основные носители заряда, называют:

+:истоком

-: каналом

-:стоком

-:коллектором

-:затвором

I: {{ 33 }} ; K=А

S:Электрод, к которому проходят основные носители заряда из канала, называют:

+:стоком

-: каналом

-:истоком

-:коллектором

-:затвором

I: {{ 34 }} ; K=А

S:Управляющий электрод, предназначенный для регулирования площади поперечного сечения канала, называют:

+:затвором

-: каналом

-:истоком

-:коллектором

-:истоком

I: {{ 35 }} ; K=Б

S:Электростатический разряд предоставляет наивысшую угрозу элементам в схемах, которые используют:

-:биполярные транзисторы

-:транзисторы n-p-n

-:транзисторы с обратным смещением

+:МОП-транзисторы

I: {{ 36 }} ; K=А

S:Транзистор n-p-n может быть использован как:

-:радиоусилитель

-:усилитель радиочастот

-:переключатель

+:любой из вышеупомянутых способов

I: {{ 37 }} ; K=Б

S:В типичном транзисторе n-p-n источник питания подсоединен таким образом, что:

+:коллектор положительный по отношению к эмиттеру

-:коллектор отрицательный по отношению к эмиттеру

-:коллектор имеет то же напряжение, что и эмиттер

-:положительная клемма подсоединена прямо к базе

I: {{ 38 }} ; K=А

S:Когда биполярный транзистор p-n-p находится в состоянии обратного смещения:

-:большой поток тока проходит через коллектор, когда нет сигнала

-:малый поток тока проходит через коллектор, когда нет сигнала

+:поток тока не проходит через коллектор, когда нет сигнала

-:любое из вышеупомянутых утверждений может быть справедлив

I: {{ 39 }} ; K=Б

S:Когда два или более сигналов объединены в простом канале связи, то они могут быть разделены при помощи:

-:перехода МОП-транзистора

-:МОП-транзистора с режимом усиления

-:таймера.

+:мультиплексора/демультиплексора

I: {{ 40 }} ; K=Б

S:Какова принципиальная разница между схемой, которая использует транзистор p-n-p, и схемой, использующей транзистор n-p-n:

+:полярность приложенного напряжения питания постоянного тока к электродам в транзисторе p-n-p противоположна полярности транзистора n-p-n

-:транзистор p-n-p имеет больший потенциал усиления, чем транзистор n-p-n

-:транзистор n-p-n имеет больший потенциал усиления, чем транзистор p-n-p

-:транзистор p-n-p более стабилен, чем транзистор n-p-n

-: транзистор p-n-p может генерировать, а транзистор n-p-n – нет

I: {{ 41 }} ; K=А

S:Когда переход эмиттер-база биполярного транзистора находится в состоянии нулевого смещения при отсутствии входного сигнала, ток через эмиттер-коллектор теоретически:

-:большой и отрицательный

-:большой и положительный

-:меняющийся

-:пульсирующий

+: нулевой

I: {{ 42 }} ; K=А

S:Заполните пропуск в следующем предложении: «В контуре, расположенном за эмиттером, ### подсоединяется к «подвешенной земле».

-:вентиль

-:база

-:сток

-:исток

+:коллектор

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»



Последнее изменение этой страницы: 2016-04-20; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 35.170.64.36 (0.021 с.)