V1: Электромагнитные устройства и электрические машины. Синхронные машины.

I: {{ 1 }}; K=А

S: По какой формуле рассчитывается момент взаимодействия магнитных полей якоря и индуктора синхронной машины?

-:

+:

-:

-:

I: {{ 2 }}; K=В

S: Какие из перечисленных требований являются обязательными при подключении синхронного генератора к трёхфазной сети?

-: высокий электромагнитный момент и малая частота вращения

-: разная частота переменного тока, но одинаковое напряжение

+: одинаковая частота и фаза переменного тока

-: одинаковая частота и противоположная фаза переменного тока

I: {{ 3 }}; K=В

S: Какой режим применяется для разгона мощных синхронных двигателей?

-: быстрый пуск

-: синхронный пуск

-: прямой пуск

+: асинхронный пуск

I: {{ 4 }}; K=В

S: Какой из перечисленных параметров определяет основную область применения синхронных импульсных микродвигателей?

+: возможность поддержания высокой стабильности частоты вращения

-: высокая мощность

-: высокий пусковой момент

-: высокая частота вращения

I: {{ 5 }}; K=А

S: Какой из перечисленных типов двигателей применяют в качестве компенсаторов реактивной мощности?

-: коллекторный двигатель

-: асинхронный двигатель

+: синхронный двигатель

-: двигатель постоянного тока

I: {{ 6 }}; K=А

S: От какого параметра зависит характер нагрузки синхронного двигателя?

-: характер нагрузки двигателя независим

-: от вращающего момента

-: от частоты вращения

+: от тока возбуждения

I: {{ 7 }}; K=В

S: По какой формуле рассчитывается частота вращения ротора синхронного двигателя?

-:

-:

+:

-:

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Основы электроники

I: {{ 1 }}; K=А

S: В каких электронных приборах осуществляется преобразование электрического сигнала в световой и затем снова в электрический:

-: электросветовые

-: фотоэлектронные

-: электромеханические

+: механоэлектрические

+: оптопары

I: {{ 2 }}; K=Б

S: Вид рабочей среды и тип носителей заряда в полупроводниковых приборах

-: вакуум, электроны

+: полупроводник, электроны и дырки

-: разреженный газ, электроны и ионы

-: жидкость, электроны и ионы

I: {{ 3 }}; K=А

S: Параметры режима электронного прибора:

-: совокупность условий, определяющих состояние или работу электронного прибора

+: ток, напряжение

-: количественные сведения о свойствах прибора

-: статические и динамические

I: {{ 4 }}; K=Б

S: Математическая модель электронного прибора:

-: статическая

+: система дифференциальных уравнений

-: эквивалентная схема

-: схема замещения

-: мощность P

I: {{ 5 }}; K=А

S: Какую функцию выполняет конденсатор в источниках питания?

+: сглаживание

-: стабилизация

-: выпрямление

-: понижение

-: повышение

I: {{ 6 }}; K=Б

S: Модуляция это ###

+: изменение одного из параметров ВЧ сигнала под воздействием сигнала

-: изменение фазы сигнала под воздействием резонанса

-: увеличение частоты ВЧ сигнала

-: изменение всех параметров ВЧ сигнала

-: изменение одного из параметров с помощью конденсатора

I: {{ 7 }}; K=Б

S: Амплитудная модуляция это ###

+: изменение амплитуды несущего сигнала изменяется прямо пропорционально изменениям амплитуды модулирующего сигнала

-: изменение фазы сигнала с помощью модулируемого сигнала

-: изменение амплитуды с помощью частоты сигнала

-: изменение частоты с помощью амплитуды сигнала

-: изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала

I: {{ 8 }}; K=Б

S: Частотная модуляция это ###

+: изменение частоты несущего сигнала пропорционально мгновенным значениям модулирующего сигнала при постоянной амплитуде несущей

-: изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала

-: изменение амплитуды с помощью частоты сигнала

-: изменение фазы сигнала с помощью модулируемого сигнала

-: изменение частоты с помощью амплитуды сигнала

I: {{ 9 }}; K=Б

S: Фазовая модуляция это ###

+: изменение фазы несущего сигнала пропорционально амплитуде информационного сигнала

-: изменение амплитуды с помощью частоты сигнала

-: изменение частоты с помощью амплитуды сигнала

-: изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала

-: изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала

I: {{ 10 }}; K=А

S: Детектирование это ###

+: процесс, обратный модуляции

-: изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала

-: изменение амплитуды и частоты сигнала

-: изменение фазы сигнала модулируемого сигнала

-: изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала

I: {{ 11 }}; K=А

S: Колебательный контур состоит только из ###

+: индуктивности и емкости

-: катушки индуктивности с отводами

-: катушки индуктивности с сердечником

-: катушек вариометра

-: конденсатора переменной емкости

I: {{ 12 }}; K=А

S: Колебательный контур состоит из ###

-: конденсаторов постоянной и переменной емкости

-: электронной лампы и индуктивности

-: транзистора и конденсатора

+: все ответы не верны

-: катушки вариометра с переменным сердечником

I: {{ 13 }}; K=Б

S: Колебательный контур применяется для получения ###

+: резонанса

-: детектирования

-: модулированного сигнала

-: умножения частоты

-: все ответы неверны

I: {{ 14 }}; K=А

S: Колебательный контур служит ###

-: выделения сигнала по амплитуде

-: выделения сигнала по фазе

-: выпрямления сигнала

-: кодирования сигнала

+: генерирования сигнала определенной частоты

I: {{ 15 }}; K=А

S: Достоинство каскада усиления на полевом транзисторе ###

+: высокое входное сопротивление

-: малые габариты

-: высокий кпд

-: все ответы неверны

-: все ответы верные

I: {{ 16 }}; K=А

S: Закон Ома

+: U=IR

-: U=I/r

-: R=I/R

-: I=UR

-: I=U₂R

I: {{ 17 }}; K=А

S: Скважностью импульсов называют соотношение (Т – период, Т_u – длительность импульса):

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 18 }}; K=А

S: Амплитудно-частотной характеристикой усилителя называют зависимость ###

+: коэффициента усиления от частоты входного сигнала

-: входного сопротивления от частоты входного сигнала

-: выходного сопротивления от частоты входного сигнала

-: выходной мощности от частоты входного сигнала

-: входного напряжения от частоты

I: {{ 19 }}; K=А

S: Отрицательная обратная связь в усилителе ###

+: снижает искажения

-: поворачивает усиливаемый сигнал по фазе на 30 °

-: повышает кпд

-: повышает коэффициент усиления

-: поворачивает сигнал по фазе на 90 °

I: {{ 20 }}; K=А

S: Усилитель низкой частоты есть ###

+: преобразователь электрической энергии источника в усиливаемый сигнал

-: умножитель уровня сигнала

-: преобразователь электрических колебаний низкой частоты

-: умножитель напряжения низкой частоты

-: умножитель тока низкой частоты

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Контактные явления

I: {{ 1 }}; K=А

S: p-n переход образуется при контакте:

+: полупроводник- полупроводник

-: металл-металл

-: металл-полупроводник

-: металл-диэлектрик

-: полупроводник-диэлектрик

I: {{ 2 }}; K=А

S: Полупроводниковые приборы выполняются с использованием в качестве основного материала:

+: кремния

-: железа

-: меди

-: алюминия

-: кислорода

I: {{ 3 }}; K=А

S: Полупроводники по проводимости находятся ###

+: между диэлектриком и проводником

-: наполовину выше проводников

-: наполовину выше диэлектриков

-: наполовину ниже диэлектриков

-: наполовину ниже проводников

I: {{ 4 }}; K=А

S: К недостаткам полупроводниковых приборов относится ###

+: ограниченный температурный режим

-: работа не с основными носителями

-: необходимость низкого напряжения

-: необходимость вакуума

-: зависимость электропроводности кристалла

I: {{ 5 }}; K=А

S: Для включения полупроводникового р-n перехода в прямом направлении необходимо

+: положительный полюс источника соединяют с выводом от p-области, а отрицательный - с выводом от n - области

-: полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную

-: положительный полюс питания соединяют с выводом от n-области, а отрицательный – с p-областью

-: изменить структуру кристаллической решетки полупроводника

-: изменить полярность внутреннего источника питания

I: {{ 6 }}; K=А

S: Состояние, когда р-n переходу ### называется нейтральным

-: приложено прямое напряжение, обратное потенциальному барьеру

-: приложено обратное напряжение -

+: не приложено никакое внешнее напряжение

-: приложено прямое напряжение, равное потенциальному барьеру

-: приложено обратное напряжение, равное потенциальному барьеру

I: {{ 7 }}; K=А

S: Для включения полупроводникового р-n перехода в обратном направлении необходимо ###

+: положительный полюс питания соединить с выводом от n-области, а отрицательный с р-областью

-: полярность внешнего источника питания изменить на противоположную

-: положительный понос источника соединить с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от n-области

-: изменить структуру кристаллической решетки полупроводника

-: изменить полярность внутреннего источника питания

I: {{ 8 }}; K=Б

S: Что такое ширина запрещенной зоны?

+: Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости

-: Зона, расположенная выше валентной зоны

-: Зона, расположенная ниже зоны проводимости

-: 0

I: {{ 9 }}; K=Б

S: Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:

+: генерация носителей заряда

-: рекомбинация носителей заряда

-: инжекция носителей заряда

-: экстракция носителей заряда

-: непосредственная рекомбинация носителей заряда

I: {{ 10 }}; K=A

S: Что такое дрейф носителей заряда?

-: направленное движение носителей заряда под действием электрического поля

+: хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля

-: 0

-: 0

-: 0

I: {{ 11 }}; K=Б

S: Диффузионное электрическое поле в p-n – переходе направлено:

+: от n-области к p-области

-: от p-области к n-области

-: 0

-: 0

-: 0

I: {{ 12 }}; K=A

S: Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:

-: -p-n +

+: + p-n -

-: 0

-: 0

-: 0

I: {{ 13 }}; K=А

S: При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?

+: да

-: нет

-: 0

-: 0

-: 0

I: {{ 14 }}; K=A

S: За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках?

+: за счёт добавления легирующих примесей

-: за счет ударной ионизации

-: за счет внешних воздействий

-: за счет лавинного пробоя

-: за счет нагрева полупроводника

I: {{ 15 }}; K=A

SUKA: За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?

-: за счёт внешних воздействий

+: за счёт ударной ионизации

-: за счет приложения прямого напряжения

-: за счет приложения обратного напряжения

-: за счёт добавления химической примеси

I: {{ 16 }}; K=A

SUKA: Рекомбинация носителей заряда это:

-: исчезновение пар носителей заряда (электрона и дырки)

+: возникновение пар носителей заряда

-: собственная электропроводность

-: примесная электропроводность

-: появление электронной проводимости

I: {{ 17 }}; K=A

S: Возникновение пар носителей заряда называют:

-: тепловой генерацией

+: рекомбинацией

-: дрейфом носителей

-: диффузией

-: электропроводностью

I: {{ 18 }}; K=A

S: Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:

+: диффузией

-: дрейфом

-: генерацией

-: рекомбинацией

-: электропроводностью

I: {{ 19 }}; K=A

S: Примеси, атомы которых отдают электроны называются:

+: донорами

-: электронной примесью

-: акцепторами

-: дырочной примесью

-: полупроводниками р-типа

I: {{ 20 }}; K=A

S: Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:

+: акцепторами

-: электронной примесью

-: донорами

-: дырочной примесью

-: полупроводниками р-типа

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1:Проводниковые диоды

I: {{ 1 }}; K=А

S: Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей:

+: выпрямление переменного напряжения

-: усиление напряжения

-: стабилизации напряжения

-: регулирования напряжения

-: защиты от перенапряжений

I: {{ 2 }}; K=А

S: Тиристор используется в цепях переменного тока для ###

+: регулирования выпрямленного напряжения

-: усиления напряжения

-: усиления тока

-: изменения фазы напряжения

-: защиты от перенапряжений

I: {{ 3 }}; K=А

S: Полупроводниковый стабилитрон имеет структуру

+: p-n

-: p-n-p

-: n-p-n

-: p-n-p-n

-: p-i-n

I: {{ 4 }}; K=Б

S: Тиристор имеет структуру:

+: p-n-p-n

-: n-p

-: p-n-p

-: p-i-n

-: n-p-n

I: {{ 5 }}; K=А

S: Какой из диодов изготавливают из полупроводниковых материалов с высокой концентрацией примесей?

-: фотодиод

-: светодиод

+: тунельный диод

-: варикап

-: стабилитрон

I: {{ 6 }}; K=А

S: Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются ###

+: максимально допустимое обратное напряжение и прямой ток

-: максимальная температура перехода

-: площадь радиатора и рабочая температура

-: способность работать в мостиковой схеме

-: возможность использования в цепи двухполупериодного выпрямителя

I: {{ 7 }}; K=Б

S: Стабилитронами и стабисторами называются кремниевые полупроводниковые диоды, вольт-амперные характеристики которых имеют.

-: малую зависимость от температуры

+: участки малой зависимости от протекающего тока

-: большую зависимость о температуры

-: участки большой зависимости от протекающего тока

-: обратную зависимость от протекающего тока

I: {{ 8 }}; K=А

S: Плоскостным называют диод:

+: у которого линейные размеры, определяющие площадью, значительно больше характеристической длины

-: у которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода, значительно меньше характеристической длины

-: 0

-: 0

-: 0

I: {{ 9 }}; K=А

S: Какую функцию выполняет стабилитрон?

+: стабилизацию напряжения

-: стабилизацию тока

-: стабилизацию напряжения и тока

-: ни какую

-: 0

I: {{ 10 }}; K=А

SUKA: Какой вид тока на выходе диода, если он включен в электрическую цепь переменного тока?

-: переменный пульсирующий

-: переменный непрерывный

+: постоянный

-: синусоидальный

-: прямоугольный пульсирующий

I: {{ 11 }}; K=А

S: Какую вольтамперную характеристику имеет симистор?

+: симметричную для прямого и обратного тока

-: не симметричную для прямого и обратного тока

-: ни какую

-: 0

-: 0

I: {{ 12 }}; K=А

S: Какую функцию выполняет диодный мост в источниках питания?

+: выпрямление

-: стабилизация

-: сглаживание

-: понижение

-: повышение

I: {{ 13 }}; K=А

S: Какой элемент необходимо использовать в источниках питания для сглаживания пульсации выходного напряжения?

+: конденсатор

-: диод

-: трансформатор

-: стабилитрон

-: тиристор

I: {{ 14 }}; K=А

S: Какую функцию выполняет стабилитрон в источниках питания?

+: стабилизация

-: сглаживание

-: выпрямление

-: понижение

-: повышение

I: {{ 15 }}; K=А

S: Какой из элементов необходимо использовать в источниках питания для понижения напряжения в сети?

+: силовой трансформатор

-: диод

-: тиристор

-: стабилитрон

-: транзистор

I: {{ 16 }}; K=А

S: Для стабилизации выходного тока в источниках питания, какой элемент используется?

+: бареттер

-: тиристор

-: конденсатор

-: диод

-: динистор

I: {{ 17 }}; K=А

S: Какой прибор обозначен ?

+: выпрямительный диод

-: СВЧ-диод

-: точечный диод

-: биполярный транзистор p-n-p

-: светодиод

I: {{ 18 }}; K=А

S: Что произойдет если превысить I_max стабилитрона?

+: пробой перейдёт из электрического в тепловой и стабилитрон сгорит

-: стабилитрон перестанет пропускать ток

-: стабилитрон повысит напряжение

-: повысится напряжение стабилизации

-: изменится его сопротивление

I: {{ 19 }}; K=А

S: Условное обозначение, какого прибора дано КД521Б?

+: кремниевый диод

-: кремниевый стабилитрон

-: германиевый биполярный транзистор

-: туннельный диод

-: обращенный диод

I: {{ 20 }}; K=А

S: Какой прибор обозначен ?

+: варикап

-: триодный тиристор

-: варистор

-: МДП -транзистор с индуцированным р -каналом

-: обращенный диод

I: {{ 21 }}; K=А

S: Какой прибор обозначен ?

+: триодный тиристор

-: варикап.

-: биполярный транзистор n-p-n

-: точечный диод

-: диодный тиристор

I: {{ 22 }}; K=А

S: Как изменится емкость варикапа при увеличении обратного напряжения?

+: уменьшается

-: увеличивается

-: изменяется скачкообразно

-: пропорционально

-: не изменяется

I: {{ 23 }}; K=А

S: Каким устройством стабилизируют ток?

+: бареттером

-: транзистором

-: стабистором

-: трансформатором тока

-: стабилитроном

I: {{ 24 }}; K=Б

S: При повышении температуры в полупроводниковых приборах проводимость:

+: растет

-: уменьшается

-: остается постоянной

-: сначала уменьшается, затем повышается

-: сначала увеличивается, затем уменьшается

I: {{ 25 }}; K=А

S: Последовательное соединение диодов необходимо для:

+: выпрямления высоких напряжений

-: выпрямления низких напряжений

-: для уменьшения тока

-: для увеличения тока

-: для стабилизации тока

I: {{ 26 }}; K=А

S: Параллельное соединение диодов применяют:

+: когда необходимо получить прямой ток, больший предельного тока одного диода

-: для выпрямления высоких напряжений

-: для выпрямления низких напряжений

-: для уменьшения тока

-: для стабилизации тока

I: {{ 27 }}; K=Б

S: Диод, используемый в огибающем детекторе, должен иметь:

-: высокое напряжение прямого прерывания.

-: высокое лавинное напряжение.

-: большое отрицательное сопротивление.

+: малую емкость перехода.

I: {{ 28 }}; K=А

S: Варактор может быть использован в целях:

+: настройки генератора на основе диодов Ганна.

-: фотоэмиссии.

-: производства электроэнергии при помощи фотогальванического эффекта.

-: усиления звука.

I: {{ 29 }}; K=Б

S: Напряжение прямого прерывания сигнального диода может быть использовано в конструировании:

-: схемы выпрямления.

-: системы солнечной энергии.

+: ограничителя шума.

-: генератора.

I: {{ 30 }}; K=Б

S: Максимальное количество тока, которое может обеспечить фотогальванический элемент под солнцем, зависит от:

-: полярности смещения.

-: тока в обратном направлении.

-: напряжения прямого прерывания.

+: ни от одной из вышеупомянутых причин.

I: {{ 31 }}; K=Б

S: Электроны атомов полупроводникового материала переходят с высоких уровней энергии на низкие:

-: емкость перехода возрастает.

-: прибор прекращает проводимость.

+: может произойти фотоэмиссия.

-: напряжение прямого прерывания пульсирует.

I: {{ 32 }}; K=Б

S: В стандартном диоде, как только обратное смещение напряжения на переходе p-n превысит лавинное напряжение, дальнейшее увеличение обратного смещения вызовет:

+: увеличение тока через переход.

-: уменьшение тока, проходящего через переход.

-: падение значения тока до нуля.

-: дикую пульсацию тока, проходящего через переход.

I: {{ 33 }}; K=Б

S: Светоизлучающий диод может быть использован в сетях связи, потому что:

-: его интенсивность излучения остается постоянной в широком диапазоне изменений напряжений входа.

+: его интенсивность может быть быстро модулирована.

-: он не может быть искажен при чрезмерном изменении лавинного напряжения.

-: он по существу не потребляет тока.

I: {{ 34 }}; K=Б

S: В стандартном диоде, как только прямое смещение напряжения на переходе p-n превысит напряжение прямого прерывания, дальнейшее увеличение прямого смещения вызовет:

+: увеличение тока, проходящего через переход.

-: уменьшение тока, проходящего через переход.

-: падение значения тока до нуля.

-: дикую пульсацию тока, проходящего через переход.

I: {{ 35 }}; K=Б

S: Тиректор может быть использован для:

-: подстройки частоты генератора управления напряжением.

-: генерирования когерентного инфракрасного излучения.

-: получения модулированных световых сигналов.

+: подавления нетрадиционных режимов в энергоснабжении.

I: {{ 36 }}; K=А

S: Емкость перехода варактора при работе в нормальных условиях зависит от:

+: напряжения обратного смещения.

-: напряжения прямого прерывания.

-: тока, проходящего через варактор.

-: лавинного напряжения.

I: {{ 37 }}; K=А

S: Когда диод с прямым смещением и напряжением больше, чем напряжение прямого прерывания, то прибор:

-: не пропускает ток.

+: пропускает ток.

-: генерирует высокое напряжение.

-: создает нестационарные режимы.

-: действует как конденсатор.

I: {{ 38 }}; K=А

S: Сколько диодов обычно имеет двухполупериодный мостовой выпрямитель? Доступ, что нет необходимости соединять диоды последовательно или параллельно для увеличения значений напряжения или емкости, регулирующей ток:

-: один.

-: два.

-: три.

+: четыре.

-: пять.

I: {{ 39 }}; K=Б

S: Когда полупроводниковый диод используется как радиочастотный переключатель, важно чтобы:

+: емкость перехода была низкой.

-: частота была высокой.

-: напряжение было высоким.

-: ток был большим.

-: все вышеупомянутые пункты.

I: {{ 40}}; K=А

S: Основное свойство полупроводникового диода ###

-: преобразовать постоянный ток в переменный

-: пропускать ток в обратном направлении

-: преобразовать постоянный ток в пульсирующий

-: не пропускать постоянный ток

+: пропускать ток в прямом направлении

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»