V1: Электромагнитные устройства и электрические машины. Синхронные машины.



Мы поможем в написании ваших работ!


Мы поможем в написании ваших работ!



Мы поможем в написании ваших работ!


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

V1: Электромагнитные устройства и электрические машины. Синхронные машины.



I: {{ 1 }} ; K=А

S:По какой формуле рассчитывается момент взаимодействия магнитных полей якоря и индуктора синхронной машины?

-:

+:

-:

-:

I: {{ 2 }} ; K=В

S:Какие из перечисленных требований являются обязательными при подключении синхронного генератора к трёхфазной сети?

-: высокий электромагнитный момент и малая частота вращения

-: разная частота переменного тока, но одинаковое напряжение

+:одинаковая частота и фаза переменного тока

-: одинаковая частота и противоположная фаза переменного тока

I: {{ 3 }} ; K=В

S:Какой режим применяется для разгона мощных синхронных двигателей ?

-: быстрый пуск

-: синхронный пуск

-: прямой пуск

+: асинхронный пуск

I: {{ 4 }} ; K=В

S:Какой из перечисленных параметров определяет основную область применения синхронных импульсных микродвигателей?

+:возможность поддержания высокой стабильности частоты вращения

-: высокая мощность

-: высокий пусковой момент

-:высокая частота вращения

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Какой из перечисленных типов двигателей применяют в качестве компенсаторов реактивной мощности?

-:коллекторный двигатель

-: асинхронный двигатель

+: синхронный двигатель

-: двигатель постоянного тока

I: {{ 6 }} ; K=А

S:От какого параметра зависит характер нагрузки синхронного двигателя?

-: характер нагрузки двигателя независим

-: от вращающего момента

-: от частоты вращения

+: от тока возбуждения

I: {{ 7 }} ; K=В

S:По какой формуле рассчитывается частота вращения ротора синхронного двигателя?

-:

-:

+:

-:

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Основы электроники

I: {{ 1 }} ; K=А

S:В каких электронных приборах осуществляется преобразование электрического сигнала в световой и затем снова в электрический:

-:электросветовые

-: фотоэлектронные

-:электромеханические

+:механоэлектрические

+: оптопары

I: {{ 2 }} ; K=Б

S:Вид рабочей среды и тип носителей заряда в полупроводниковых приборах

-:вакуум, электроны

+:полупроводник, электроны и дырки

-:разреженный газ, электроны и ионы

-:жидкость, электроны и ионы

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Параметры режима электронного прибора:

-:совокупность условий, определяющих состояние или работу электронного прибора

+:ток, напряжение

-:количественные сведения о свойствах прибора

-:статические и динамические

I: {{ 4 }} ; K=Б

S:Математическая модель электронного прибора:

-:статическая

+:система дифференциальных уравнений

-:эквивалентная схема

-:схема замещения

-: мощность P

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Какую функцию выполняет конденсатор в источниках питания?

+:сглаживание

-:стабилизация

-:выпрямление

-:понижение

-: повышение

I: {{ 6 }} ; K=Б

S:Модуляция это ###

+:изменение одного из параметров ВЧ сигнала под воздействием сигнала

-:изменение фазы сигнала под воздействием резонанса

-:увеличение частоты ВЧ сигнала

-:изменение всех параметров ВЧ сигнала

-:изменение одного из параметров с помощью конденсатора

I: {{ 7 }} ; K=Б

S:Амплитудная модуляция это ###

+:изменение амплитуды несущего сигнала изменяется прямо пропорционально изменениям амплитуды модулирующего сигнала

-:изменение фазы сигнала с помощью модулируемого сигнала

-:изменение амплитуды с помощью частоты сигнала

-:изменение частоты с помощью амплитуды сигнала

-: изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала

I: {{ 8 }} ; K=Б

S:Частотная модуляция это ###

+:изменение частоты несущего сигнала пропорционально мгновенным значениям модулирующего сигнала при постоянной амплитуде несущей

-:изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала

-:изменение амплитуды с помощью частоты сигнала

-:изменение фазы сигнала с помощью модулируемого сигнала

-:изменение частоты с помощью амплитуды сигнала

I: {{ 9 }} ; K=Б

S:Фазовая модуляция это ###

+:изменение фазы несущего сигнала пропорционально амплитуде информационного сигнала

-:изменение амплитуды с помощью частоты сигнала

-:изменение частоты с помощью амплитуды сигнала

-:изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала

-:изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала

I: {{ 10 }} ; K=А

S:Детектирование это ###

+: процесс, обратный модуляции

-: изменение амплитуды сигнала с помощью модулируемого сигнала

-: изменение амплитуды и частоты сигнала

-: изменение фазы сигнала модулируемого сигнала

-:изменение частоты сигнала с помощью модулируемого сигнала

I: {{ 11 }} ; K=А

S:Колебательный контур состоит только из ###

+:индуктивности и емкости

-:катушки индуктивности с отводами

-:катушки индуктивности с сердечником

-:катушек вариометра

-:конденсатора переменной емкости

I: {{ 12 }} ; K=А

S:Колебательный контур состоит из ###

-:конденсаторов постоянной и переменной емкости

-:электронной лампы и индуктивности

-:транзистора и конденсатора

+:все ответы не верны

-:катушки вариометра с переменным сердечником

I: {{ 13 }} ; K=Б

S:Колебательный контур применяется для получения ###

+:резонанса

-:детектирования

-:модулированного сигнала

-:умножения частоты

-:все ответы неверны

I: {{ 14 }} ; K=А

S:Колебательный контур служит ###

-: выделения сигнала по амплитуде

-:выделения сигнала по фазе

-:выпрямления сигнала

-:кодирования сигнала

+: генерирования сигнала определенной частоты

I: {{ 15 }} ; K=А

S:Достоинство каскада усиления на полевом транзисторе ###

+:высокое входное сопротивление

-:малые габариты

-:высокий кпд

-:все ответы неверны

-:все ответы верные

I: {{ 16 }} ; K=А

S:Закон Ома

+:U=IR

-:U=I/r

-:R=I/R

-:I=UR

-:I=U2R

I: {{ 17 }} ; K=А

S:Скважностью импульсов называют соотношение (Т – период, Тu – длительность импульса):

+:

-:

-:

-:

-:

I: {{ 18 }} ; K=А

S:Амплитудно-частотной характеристикой усилителя называют зависимость ###

+:коэффициента усиления от частоты входного сигнала

-:входного сопротивления от частоты входного сигнала

-:выходного сопротивления от частоты входного сигнала

-:выходной мощности от частоты входного сигнала

-:входного напряжения от частоты

I: {{ 19 }} ; K=А

S:Отрицательная обратная связь в усилителе ###

+:снижает искажения

-:поворачивает усиливаемый сигнал по фазе на 30 °

-:повышает кпд

-:повышает коэффициент усиления

-:поворачивает сигнал по фазе на 90 °

I: {{ 20 }} ; K=А

S:Усилитель низкой частоты есть ###

+:преобразователь электрической энергии источника в усиливаемый сигнал

-: умножитель уровня сигнала

-:преобразователь электрических колебаний низкой частоты

-:умножитель напряжения низкой частоты

-:умножитель тока низкой частоты

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Контактные явления

I: {{ 1 }} ; K=А

S:p-n переход образуется при контакте:

+:полупроводник- полупроводник

-:металл-металл

-:металл-полупроводник

-:металл-диэлектрик

-:полупроводник-диэлектрик

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Полупроводниковые приборы выполняются с использованием в качестве основного материала:

+:кремния

-:железа

-:меди

-:алюминия

-: кислорода

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Полупроводники по проводимости находятся ###

+:между диэлектриком и проводником

-:наполовину выше проводников

-:наполовину выше диэлектриков

-:наполовину ниже диэлектриков

-: наполовину ниже проводников

I: {{ 4 }} ; K=А

S:К недостаткам полупроводниковых приборов относится ###

+:ограниченный температурный режим

-:работа не с основными носителями

-:необходимость низкого напряжения

-:необходимость вакуума

-:зависимость электропроводности кристалла

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Для включения полупроводникового р-n перехода в прямом направлении необходимо

+:положительный полюс источника соединяют с выводом от p-области, а отрицательный - с выводом от n-области

-:полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную

-:положительный полюс питания соединяют с выводом от n-области, а отрицательный – с p-областью

-:изменить структуру кристаллической решетки полупроводника

-:изменить полярность внутреннего источника питания

I: {{ 6 }} ; K=А

S:Состояние, когда р-n переходу ### называется нейтральным

-:приложено прямое напряжение, обратное потенциальному барьеру

-:приложено обратное напряжение -

+:не приложено никакое внешнее напряжение

-:приложено прямое напряжение, равное потенциальному барьеру

-: приложено обратное напряжение, равное потенциальному барьеру

I: {{ 7 }} ; K=А

S:Для включения полупроводникового р-n перехода в обратном направлении необходимо ###

+:положительный полюс питания соединить с выводом от n-области, а отрицательный с р-областью

-:полярность внешнего источника питания изменить на противоположную

-:положительный понос источника соединить с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от n-области

-:изменить структуру кристаллической решетки полупроводника

-: изменить полярность внутреннего источника питания

I: {{ 8 }} ; K=Б

S:Что такое ширина запрещенной зоны?

+:Зона, разделяющая валентную зону и зону проводимости

-:Зона, расположенная выше валентной зоны

-:Зона, расположенная ниже зоны проводимости

-:0

I: {{ 9 }} ; K=Б

S:Процесс образования свободных электронов в полупроводнике, называют:

+:генерация носителей заряда

-:рекомбинация носителей заряда

-:инжекция носителей заряда

-:экстракция носителей заряда

-:непосредственная рекомбинация носителей заряда

I: {{ 10 }} ; K=A

S:Что такое дрейф носителей заряда?

-:направленное движение носителей заряда под действием электрического поля

+:хаотическое движение носителей заряда под действием электрического поля

-:0

-:0

-:0

I: {{ 11 }} ; K=Б

S:Диффузионное электрическое поле в p-n – переходе направлено:

+:от n-области к p-области

-:от p-области к n-области

-:0

-:0

-:0

I: {{ 12 }} ; K=A

S:Прямой ток протекает через p-n переход, когда полярность напряжения на p-n переходе следующая:

-:-p-n +

+:+ p-n -

-:0

-:0

-:0

I: {{ 13 }} ; K=А

S:При обратном включении диода внешнее электрическое поле и диффузионное поле в p-n-переходе совпадают по направлению?

+:да

-: нет

-:0

-:0

-:0

I: {{ 14 }} ; K=A

S:За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках?

+:за счёт добавления легирующих примесей

-:за счет ударной ионизации

-:за счет внешних воздействий

-:за счет лавинного пробоя

-:за счет нагрева полупроводника

I: {{ 15 }} ; K=A

SUKA:За счёт чего возникают неосновные носители в полупроводниках?

-:за счёт внешних воздействий

+:за счёт ударной ионизации

-:за счет приложения прямого напряжения

-:за счет приложения обратного напряжения

-: за счёт добавления химической примеси

I: {{ 16 }} ; K=A

SUKA:Рекомбинация носителей заряда это:

-:исчезновение пар носителей заряда (электрона и дырки)

+:возникновение пар носителей заряда

-:собственная электропроводность

-:примесная электропроводность

-:появление электронной проводимости

I: {{ 17 }} ; K=A

S:Возникновение пар носителей заряда называют:

-:тепловой генерацией

+:рекомбинацией

-:дрейфом носителей

-:диффузией

-:электропроводностью

I: {{ 18 }} ; K=A

S:Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:

+:диффузией

-:дрейфом

-:генерацией

-:рекомбинацией

-:электропроводностью

I: {{ 19 }} ; K=A

S:Примеси, атомы которых отдают электроны называются:

+: донорами

-:электронной примесью

-:акцепторами

-:дырочной примесью

-:полупроводниками р-типа

I: {{ 20 }} ; K=A

S:Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:

+:акцепторами

-:электронной примесью

-:донорами

-:дырочной примесью

-:полупроводниками р-типа

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1:Проводниковые диоды

I: {{ 1 }} ; K=А

S:Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей:

+:выпрямление переменного напряжения

-:усиление напряжения

-:стабилизации напряжения

-:регулирования напряжения

-:защиты от перенапряжений

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Тиристор используется в цепях переменного тока для ###

+:регулирования выпрямленного напряжения

-:усиления напряжения

-:усиления тока

-:изменения фазы напряжения

-: защиты от перенапряжений

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Полупроводниковый стабилитрон имеет структуру

+:p-n

-:p-n-p

-:n-p-n

-:p-n-p-n

-:p-i-n

I: {{ 4 }} ; K=Б

S:Тиристор имеет структуру:

+:p-n-p-n

-:n-p

-:p-n-p

-:p-i-n

-:n-p-n

I: {{ 5 }} ; K=А

S:Какой из диодов изготавливают из полупроводниковых материалов с высокой концентрацией примесей?

-:фотодиод

-:светодиод

+:тунельный диод

-:варикап

-:стабилитрон

I: {{ 6 }} ; K=А

S:Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются ###

+:максимально допустимое обратное напряжение и прямой ток

-:максимальная температура перехода

-:площадь радиатора и рабочая температура

-:способность работать в мостиковой схеме

-:возможность использования в цепи двухполупериодного выпрямителя

I: {{ 7 }} ; K=Б

S:Стабилитронами и стабисторами называются кремниевые полупроводниковые диоды, вольт-амперные характеристики которых имеют.

-:малую зависимость от температуры

+:участки малой зависимости от протекающего тока

-:большую зависимость о температуры

-:участки большой зависимости от протекающего тока

-: обратную зависимость от протекающего тока

I: {{ 8 }} ; K=А

S:Плоскостным называют диод:

+:у которого линейные размеры, определяющие площадью, значительно больше характеристической длины

-:у которого линейные размеры, определяющие площадь выпрямляющего электрического перехода, значительно меньше характеристической длины

-:0

-:0

-:0

I: {{ 9 }} ; K=А

S: Какую функцию выполняет стабилитрон?

+:стабилизацию напряжения

-:стабилизацию тока

-:стабилизацию напряжения и тока

-:ни какую

-:0

I: {{ 10 }} ; K=А

SUKA:Какой вид тока на выходе диода, если он включен в электрическую цепь переменного тока?

-:переменный пульсирующий

-: переменный непрерывный

+:постоянный

-:синусоидальный

-:прямоугольный пульсирующий

I: {{ 11 }} ; K=А

S:Какую вольтамперную характеристику имеет симистор?

+:симметричную для прямого и обратного тока

-: не симметричную для прямого и обратного тока

-:ни какую

-:0

-:0

I: {{ 12 }} ; K=А

S:Какую функцию выполняет диодный мост в источниках питания?

+:выпрямление

-: стабилизация

-:сглаживание

-:понижение

-:повышение

I: {{ 13 }}; K=А

S:Какой элемент необходимо использовать в источниках питания для сглаживания пульсации выходного напряжения?

+:конденсатор

-: диод

-:трансформатор

-:стабилитрон

-:тиристор

I: {{ 14 }}; K=А

S:Какую функцию выполняет стабилитрон в источниках питания?

+:стабилизация

-: сглаживание

-:выпрямление

-:понижение

-:повышение

I: {{ 15 }} ; K=А

S:Какой из элементов необходимо использовать в источниках питания для понижения напряжения в сети?

+:силовой трансформатор

-: диод

-:тиристор

-:стабилитрон

-:транзистор

I: {{ 16 }} ; K=А

S:Для стабилизации выходного тока в источниках питания, какой элемент используется?

+:бареттер

-: тиристор

-:конденсатор

-:диод

-:динистор

I: {{ 17 }} ; K=А

S:Какой прибор обозначен ?

+:выпрямительный диод

-: СВЧ-диод

-:точечный диод

-:биполярный транзистор p-n-p

-:светодиод

I: {{ 18 }} ; K=А

S:Что произойдет если превысить Imax стабилитрона?

+:пробой перейдёт из электрического в тепловой и стабилитрон сгорит

-: стабилитрон перестанет пропускать ток

-:стабилитрон повысит напряжение

-:повысится напряжение стабилизации

-:изменится его сопротивление

I: {{ 19 }} ; K=А

S:Условное обозначение, какого прибора дано КД521Б?

+:кремниевый диод

-: кремниевый стабилитрон

-:германиевый биполярный транзистор

-:туннельный диод

-:обращенный диод

I: {{ 20 }} ; K=А

S:Какой прибор обозначен ?

+:варикап

-: триодный тиристор

-:варистор

-:МДП -транзистор с индуцированным р -каналом

-:обращенный диод

I: {{ 21 }} ; K=А

S:Какой прибор обозначен ?

+:триодный тиристор

-: варикап.

-:биполярный транзистор n-p-n

-:точечный диод

-:диодный тиристор

I: {{ 22 }} ; K=А

S:Как изменится емкость варикапа при увеличении обратного напряжения?

+:уменьшается

-: увеличивается

-:изменяется скачкообразно

-:пропорционально

-:не изменяется

I: {{ 23 }} ; K=А

S:Каким устройством стабилизируют ток?

+:бареттером

-: транзистором

-:стабистором

-:трансформатором тока

-:стабилитроном

I: {{ 24 }} ; K=Б

S:При повышении температуры в полупроводниковых приборах проводимость:

+:растет

-: уменьшается

-:остается постоянной

-:сначала уменьшается, затем повышается

-:сначала увеличивается, затем уменьшается

I: {{ 25 }} ; K=А

S:Последовательное соединение диодов необходимо для:

+:выпрямления высоких напряжений

-: выпрямления низких напряжений

-:для уменьшения тока

-:для увеличения тока

-:для стабилизации тока

I: {{ 26 }} ; K=А

S:Параллельное соединение диодов применяют:

+:когда необходимо получить прямой ток, больший предельного тока одного диода

-: для выпрямления высоких напряжений

-:для выпрямления низких напряжений

-:для уменьшения тока

-:для стабилизации тока

I: {{ 27 }} ; K=Б

S:Диод, используемый в огибающем детекторе, должен иметь:

-:высокое напряжение прямого прерывания.

-:высокое лавинное напряжение.

-:большое отрицательное сопротивление.

+:малую емкость перехода.

I: {{ 28 }} ; K=А

S:Варактор может быть использован в целях:

+:настройки генератора на основе диодов Ганна.

-:фотоэмиссии.

-:производства электроэнергии при помощи фотогальванического эффекта.

-:усиления звука.

I: {{ 29 }} ; K=Б

S:Напряжение прямого прерывания сигнального диода может быть использовано в конструировании:

-:схемы выпрямления.

-:системы солнечной энергии.

+:ограничителя шума.

-:генератора.

I: {{ 30 }} ; K=Б

S:Максимальное количество тока, которое может обеспечить фотогальванический элемент под солнцем, зависит от:

-:полярности смещения.

-:тока в обратном направлении.

-:напряжения прямого прерывания.

+:ни от одной из вышеупомянутых причин.

I: {{ 31 }} ; K=Б

S:Электроны атомов полупроводникового материала переходят с высоких уровней энергии на низкие:

-:емкость перехода возрастает.

-:прибор прекращает проводимость.

+:может произойти фотоэмиссия.

-:напряжение прямого прерывания пульсирует.

I: {{ 32 }} ; K=Б

S:В стандартном диоде, как только обратное смещение напряжения на переходе p-n превысит лавинное напряжение, дальнейшее увеличение обратного смещения вызовет:

+:увеличение тока через переход.

-:уменьшение тока, проходящего через переход.

-:падение значения тока до нуля.

-:дикую пульсацию тока, проходящего через переход.

I: {{ 33 }} ; K=Б

S:Светоизлучающий диод может быть использован в сетях связи, потому что:

-:его интенсивность излучения остается постоянной в широком диапазоне изменений напряжений входа.

+:его интенсивность может быть быстро модулирована.

-:он не может быть искажен при чрезмерном изменении лавинного напряжения.

-:он по существу не потребляет тока.

I: {{ 34 }} ; K=Б

S:В стандартном диоде, как только прямое смещение напряжения на переходе p-n превысит напряжение прямого прерывания, дальнейшее увеличение прямого смещения вызовет:

+:увеличение тока, проходящего через переход.

-:уменьшение тока, проходящего через переход.

-:падение значения тока до нуля.

-:дикую пульсацию тока, проходящего через переход.

I: {{ 35 }} ; K=Б

S:Тиректор может быть использован для:

-:подстройки частоты генератора управления напряжением.

-:генерирования когерентного инфракрасного излучения.

-:получения модулированных световых сигналов.

+:подавления нетрадиционных режимов в энергоснабжении.

I: {{ 36 }} ; K=А

S:Емкость перехода варактора при работе в нормальных условиях зависит от:

+:напряжения обратного смещения.

-:напряжения прямого прерывания.

-:тока, проходящего через варактор.

-:лавинного напряжения.

I: {{ 37 }} ; K=А

S:Когда диод с прямым смещением и напряжением больше, чем напряжение прямого прерывания, то прибор:

-:не пропускает ток.

+:пропускает ток.

-:генерирует высокое напряжение.

-:создает нестационарные режимы.

-: действует как конденсатор.

I: {{ 38 }} ; K=А

S:Сколько диодов обычно имеет двухполупериодный мостовой выпрямитель? Доступ, что нет необходимости соединять диоды последовательно или параллельно для увеличения значений напряжения или емкости, регулирующей ток:

-:один.

-:два.

-:три.

+:четыре.

-: пять.

I: {{ 39 }} ; K=Б

S:Когда полупроводниковый диод используется как радиочастотный переключатель, важно чтобы:

+:емкость перехода была низкой.

-:частота была высокой.

-:напряжение было высоким.

-:ток был большим.

-: все вышеупомянутые пункты.

I: {{ 40}} ; K=А

S:Основное свойство полупроводникового диода ###

-:преобразовать постоянный ток в переменный

-:пропускать ток в обратном направлении

-:преобразовать постоянный ток в пульсирующий

-:не пропускать постоянный ток

+:пропускать ток в прямом направлении

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»



Последнее изменение этой страницы: 2016-04-20; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.204.48.69 (0.108 с.)