V1: Полупроводниковые элементы интегральных микросхем

I: {{ 1 }}; K=А

S: Особенность интегральных микросхем по сравнению с дискретными приборами:

+: электрическая связь с общей подложкой, параметры взаимосвязаны и ограничены

-: высокий коэффициент усиления

-: низкое входное сопротивление

-: сложно осуществить изоляцию элементов

I: {{ 2 }}; K=А

S: Паразитный переход между коллекторным слоем и подложкой существует в интегральных:

+: n-p-n-транзисторах

-: многоэмиттерных транзисторах

-: p-n-p-транзисторах

-: полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом

I: {{ 3 }}; K=А

S: Интегральный p-n-p-транзистор характеризуется свойством:

-: взаимозаменяемости

-: помехзащищенности

+: электрофизической симметрии

-: однородности структуры транзистора

I: {{ 4 }}; K=Б

S: В каком варианте диодного включения интегрального транзистора меньше пробивные напряжения перехода:

+: БК-Э, Б-Э

-: БЭ-К

-: Б-К

-: Б-ЭК

I: {{ 5 }}; K= А

S: В каких сериях логических интегральных микросхем применяют многоэмиттерный транзистор:

+: ТТЛ

-: МДП

-: МНОП

-: КМДП

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Приборы с зарядовой связью

I: {{ 1 }}; K=А

S: Прибор с зарядовой связью является:

+: динамическим прибором

-: статическим прибором

-: совокупностью биполярных транзисторов

-: полевым транзистором

I: {{ 2 }}; K=А

S: Принцип действия приборов с зарядовой связью основан:

-: на движении электронов

-: на движении дырок

-: на диффузии носителей заряда

+: на движении неосновных для подложки носителей заряда

I: {{ 3 }}; K=А

S: Как осуществляется передача зарядов в приборе с зарядовой связью:

-: в результате инжекции носителей заряда

+: при подаче постоянно изменяющегося по величине управляющего напряжения на затворы

-: перемещением зарядов от истока к стоку

-: в результате экстракции носителей заряда

I: {{ 4 }}; K=Б

S: Параметр прибора с зарядовой связью, зависящий от частоты изменения напряжения на секции переноса заряда:

-: эффективность передачи заряда

+: коэффициент потерь

-: время передачи заряда от затвора к затвору

-: коэффициент усиления

I: {{ 5 }}; K=Б

S: Какое направление применения приборов с зарядовой связью используется в телевидении:

-: аналоговая обработка информации

-: линии задержки, фильтры

-: запоминающие устройства приборов с зарядовой связью

+: преобразование излучения в электрический сигнал – фоточувствительные приборы с зарядовой связью

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Полупроводниковые лазеры

I: {{ 1 }}; K=Б

S: При каком виде накачки лазера излучение мощного некогерентного источника света поглощается рабочим веществом и происходит переход атомов из нижнего в верхнее энергетическое состояние:

-: электрической

+: оптической

-: химической

-: лазерной

I: {{ 2 }}; K=Б

S: Электрическая накачка осуществляется в лазерах:

+: газовых и полупроводниковых

-: твердотельных

-: жидкостных

-: химических

I: {{ 3 }}; K=Б

S: Процесс генерации в лазере происходит благодаря:

-: усилению в активной среде

-: наличию положительной обратной связи

+: усилению в активной среде и наличию положительной обратной связи

-: накачке

I: {{ 4 }}; K=Б

S: Спектр излучения инжекционного лазера зависит от:

+: выходной мощности

-: вида p-n-перехода

-: дифракционных явлений в резонаторе

-: размера полупроводниковых поверхностей резонатора

I: {{ 5 }}; K=А

S: В каком режиме работают инжекционные лазеры:

-: активном

+: импульсном

-: модуляции излучения

-: насыщения

I: {{ 6 }}; K=А

S: В каких лазерах торцевые поверхности оптического резонатора заменены дифракционной решеткой с лазерными диодами:

-: гетеролазерах

-: гетеролазерах с двойной гетероструктурой

+: гетеролазерах с распределенной обратной связью

-: полупроводниковых лазерах с возбуждением электронным лучом

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Приемники излучения

I: {{ 1 }}; K=А

S: Какой прибор обозначен ?

+: фотодиод

-: МДП транзистор с индуцированным n-каналом

-: фотоэлемент

-: светодиод

-: туннельный диод

I: {{ 2 }}; K=Б

S: Какой фотоприбор состоит из химически чистого полупроводника?

-: фоторезистор

-: фотоэлемент

+: фотодиод

-: фотоэлектронный умножитель

-: лавинные фотодиод

I: {{ 3 }}; K=Б

S: Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света?

+: фотоэлемент

-: фоторезистор

-: фотодиод

-: фототранзистор

-: никакой из перечисленных

I: {{ 4 }}; K=А

S: Какой элемент относится к фотоэлектрическому приемнику излучения?

+: фоторезистор

-: светодиод

-: 0

-: 0

I: {{ 5 }}; K=Б

S: На чем основан принцип действия фотоприемников:

-: на использовании фототока

-: на использовании квантов

+: на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах

-: на использовании световой энергии

I: {{ 6 }}; K=А

S: Назначение фотоэлемента:

-: преобразование электрической энергии в световую

+: преобразование световой энергии в электрическую

-: преобразование световой энергии в электрическую и затем обратно в световую

-: вырабатывать электрический ток

I: {{ 7 }}; K=А

S: Фотоприборы с высоким быстродействием:

-: p-i-n-фотодиод

-: лавинный фотодиод

-: светодиод

+: p-i-n-фотодиод и лавинный фотодиоды

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Термисторы, варисторы

I: {{ 1 }}; K=А

S: К нелинейным резистивным элементам относятся:

-: резисторы

+: варисторы и термисторы

-: транзисторы

-: конденсаторы

I: {{ 2 }}; K=А

S: Нелинейность варистора определяется:

+: зависимостью сопротивления от напряженности электрического поля

-: зависимостью тока от напряжения

-: изменением сопротивления от температуры

-: зависимостью сопротивления от частоты

I: {{ 3 }}; K=Б

S: Нелинейность вольтамперной характеристики термистора обусловлена:

-: безинерционностью термистора

-: соотношением постоянной времени нагрева элемента и периода переменного тока, протекающего через термистор

+: изменением температуры в результате протекания тока через термистор

-: сопротивлением термистора

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»