V1: Полупроводниковые элементы интегральных микросхем



Мы поможем в написании ваших работ!


Мы поможем в написании ваших работ!



Мы поможем в написании ваших работ!


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

V1: Полупроводниковые элементы интегральных микросхем



I: {{ 1 }} ; K=А

S:Особенность интегральных микросхем по сравнению с дискретными приборами:

+:электрическая связь с общей подложкой, параметры взаимосвязаны и ограничены

-: высокий коэффициент усиления

-:низкое входное сопротивление

-:сложно осуществить изоляцию элементов

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Паразитный переход между коллекторным слоем и подложкой существует в интегральных:

+:n-p-n-транзисторах

-: многоэмиттерных транзисторах

-:p-n-p-транзисторах

-:полевых транзисторах с управляющим p-n-переходом

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Интегральный p-n-p-транзистор характеризуется свойством:

-:взаимозаменяемости

-: помехзащищенности

+:электрофизической симметрии

-:однородности структуры транзистора

I: {{ 4 }} ; K=Б

S:В каком варианте диодного включения интегрального транзистора меньше пробивные напряжения перехода:

+:БК-Э, Б-Э

-: БЭ-К

-:Б-К

-:Б-ЭК

I: {{ 5 }} ; K= А

S:В каких сериях логических интегральных микросхем применяют многоэмиттерный транзистор:

+:ТТЛ

-: МДП

-:МНОП

-:КМДП

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Приборы с зарядовой связью

I: {{ 1 }} ; K=А

S:Прибор с зарядовой связью является:

+:динамическим прибором

-: статическим прибором

-:совокупностью биполярных транзисторов

-:полевым транзистором

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Принцип действия приборов с зарядовой связью основан:

-:на движении электронов

-: на движении дырок

-:на диффузии носителей заряда

+:на движении неосновных для подложки носителей заряда

I: {{ 3 }} ; K=А

S:Как осуществляется передача зарядов в приборе с зарядовой связью:

-:в результате инжекции носителей заряда

+: при подаче постоянно изменяющегося по величине управляющего напряжения на затворы

-:перемещением зарядов от истока к стоку

-:в результате экстракции носителей заряда

I: {{ 4 }} ; K=Б

S:Параметр прибора с зарядовой связью, зависящий от частоты изменения напряжения на секции переноса заряда:

-:эффективность передачи заряда

+: коэффициент потерь

-:время передачи заряда от затвора к затвору

-:коэффициент усиления

I: {{ 5 }} ; K=Б

S:Какое направление применения приборов с зарядовой связью используется в телевидении:

-:аналоговая обработка информации

-: линии задержки, фильтры

-:запоминающие устройства приборов с зарядовой связью

+:преобразование излучения в электрический сигнал – фоточувствительные приборы с зарядовой связью

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Полупроводниковые лазеры

I: {{ 1 }} ; K=Б

S:При каком виде накачки лазера излучение мощного некогерентного источника света поглощается рабочим веществом и происходит переход атомов из нижнего в верхнее энергетическое состояние:

-:электрической

+: оптической

-:химической

-:лазерной

I: {{ 2 }} ; K=Б

S:Электрическая накачка осуществляется в лазерах:

+:газовых и полупроводниковых

-: твердотельных

-:жидкостных

-:химических

I: {{ 3 }} ; K=Б

S:Процесс генерации в лазере происходит благодаря:

-:усилению в активной среде

-: наличию положительной обратной связи

+:усилению в активной среде и наличию положительной обратной связи

-:накачке

I: {{ 4 }} ; K=Б

S:Спектр излучения инжекционного лазера зависит от:

+:выходной мощности

-: вида p-n-перехода

-:дифракционных явлений в резонаторе

-:размера полупроводниковых поверхностей резонатора

I: {{ 5 }} ; K=А

S:В каком режиме работают инжекционные лазеры:

-:активном

+: импульсном

-:модуляции излучения

-:насыщения

I: {{ 6 }} ; K=А

S:В каких лазерах торцевые поверхности оптического резонатора заменены дифракционной решеткой с лазерными диодами:

-:гетеролазерах

-: гетеролазерах с двойной гетероструктурой

+:гетеролазерах с распределенной обратной связью

-:полупроводниковых лазерах с возбуждением электронным лучом

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Приемники излучения

I: {{ 1 }} ; K=А

S:Какой прибор обозначен ?

+:фотодиод

-: МДП транзистор с индуцированным n-каналом

-:фотоэлемент

-:светодиод

-: туннельный диод

I: {{ 2 }} ; K=Б

S:Какой фотоприбор состоит из химически чистого полупроводника?

-:фоторезистор

-: фотоэлемент

+:фотодиод

-:фотоэлектронный умножитель

-: лавинные фотодиод

I: {{ 3 }} ; K=Б

S:Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света?

+:фотоэлемент

-: фоторезистор

-:фотодиод

-:фототранзистор

-: никакой из перечисленных

I: {{ 4 }} ; K=А

S:Какой элемент относится к фотоэлектрическому приемнику излучения?

+:фоторезистор

-: светодиод

-:0

-:0

I: {{ 5 }} ; K=Б

S:На чем основан принцип действия фотоприемников:

-:на использовании фототока

-: на использовании квантов

+:на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах

-:на использовании световой энергии

I: {{ 6 }} ; K=А

S:Назначение фотоэлемента:

-:преобразование электрической энергии в световую

+: преобразование световой энергии в электрическую

-:преобразование световой энергии в электрическую и затем обратно в световую

-:вырабатывать электрический ток

I: {{ 7 }} ; K=А

S:Фотоприборы с высоким быстродействием:

-:p-i-n-фотодиод

-: лавинный фотодиод

-:светодиод

+:p-i-n-фотодиод и лавинный фотодиоды

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»

V1: Термисторы, варисторы

I: {{ 1 }} ; K=А

S:К нелинейным резистивным элементам относятся:

-:резисторы

+: варисторы и термисторы

-:транзисторы

-:конденсаторы

I: {{ 2 }} ; K=А

S:Нелинейность варистора определяется:

+:зависимостью сопротивления от напряженности электрического поля

-: зависимостью тока от напряжения

-:изменением сопротивления от температуры

-:зависимостью сопротивления от частоты

I: {{ 3 }} ; K=Б

S:Нелинейность вольтамперной характеристики термистора обусловлена:

-:безинерционностью термистора

-: соотношением постоянной времени нагрева элемента и периода переменного тока, протекающего через термистор

+:изменением температуры в результате протекания тока через термистор

-:сопротивлением термистора

F1: Общая электротехника и электроника

F2: ВУЗ, Селиванова З.М., Чернышов Н.Г.

F3:Аттестационное тестирование по специальности 210201 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств»



Последнее изменение этой страницы: 2016-04-20; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.204.48.69 (0.034 с.)