Причины возникновения аварийных режимов в преобразователях



Мы поможем в написании ваших работ!


Мы поможем в написании ваших работ!



Мы поможем в написании ваших работ!


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Причины возникновения аварийных режимов в преобразователях



Различают внешние по отношению к тиристорным преобразователям и внутренние, короткие замыкания. Внешние, короткие замыкания, это такие, которые происходят вне тиристорных преобразователей, но оказывают значительное влияние на работу тиристорного преобразователя. Внутренние, короткие замыкания это такие короткие замыкания, которые возникают внутри самого тиристорного преобразователя.

При КЗ внутри выпрямителя, по тиристорам начинает протекать большой ток короткого замыкания. В результате чего должна сработать защита и снять управляющие импульсы с тиристоров, однако два тиристора, которые были открыты в момент КЗ (здесь рассматривается трехфазная мостовая схема), останутся открытыми, т.к. тиристор закрывается при отсутствии управляющих сигналов и когда через него перестает протекать ток или равняется нулю напряжение приложенное к нему, и если прохождение тока будет длительным, то тиристор выйдет из строй. При этом возможны две неисправности тиристора: КЗ (когда тиристор прогорает); обрыв (когда тиристор выгорает). Параметры аварийных режимов это ток и напряжение.

 

 


Прямые и обратные транзисторы. Принцип работы.

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Биполярный транзистор является полупроводниковым прибором, состоящим из трех областей чередующегося типа электропроводности, которые образуют два р-п перехода, расположенных в непосредственной близости один от другого. В зависимости от порядка расположения областей различают р-п-р(прямые) и п-р-п(обратные) транзисторы. Упрощенные структуры р-п-р и п-р-п транзисторов и их условные графические изображения приведены на рис. 2.1.

 

В зависимости от способа подключения транзистору внешних источников питания различают три схемы включения транзисторов: с общей базой(ОБ), общим эммитором(ОЭ) и общим коллектором(ОК).

Включение транзистора по схеме с общей базой (ОБ). На рис. 5.5, а изображена схема включения транзистора с ОБ. (о стороны входа, между выводами эмиттера и базы, включен источник напряжения Еэ, который служит для обеспечения инжекции основных носителей из р-области эмиттера в n-область базы. Со стороны выхода между выводами коллектора и базы включен источник напряжения Ek, который служит для создания экстракции неосновных носителей из области базы в коллекторную область. По отношению к обоим источникам напряжений базовый вывод является общим, поэтому такая схема включения называется с ОБ. Включение транзистора по схеме с общей базой (а); токораспределение внутри транзистора (б).

Включение транзистора по схеме с общим эмиттером (ОЭ). На рис. 5.8, а изображена схема включения транзистора с ОЭ. Общей точкой для входной и выходной цепей является эмиттерный вывод. Источник базового напряжения Eб служит для обеспечения инжекции основных носителей из р-области эмиттера в п-область базы через эмнттерный переход. Источник коллекторною напряжения Ек предназначен для создания ускоряющего поля, перебрасывающего неосновные носители из области базы в область коллектора, т. е. для обеспечения экстракции в коллекторном переходе. Полярности напряжений и их значения соответствуют нормальному режиму работы транзистора, обладающего усилительными свойствами, т. е. когда при этом эмнттерный переход открыт, а коллекторный закрыт. Напряжение, получаемое от Еб, называется входным, а от Ек - выходным

Включение транзистора по схеме с общим коллектором ОК.

При включении транзистора по схеме с ОК (рис. 5.11, а) коллекторный вывод является общим для входной и выходной цепей схемы. Источник базового напряжения Еб служит для обеспечения инжекции основных носителей из р-области коллектора в n-область базы через коллекторный переход, источник эмиттерного напряжения Еэ — для создания экстракции в эмиттерном переходе.

 



Последнее изменение этой страницы: 2016-04-07; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.238.173.209 (0.005 с.)