В залежності від необхідної точності їх визначення

 

Як було зазначено у розділі 3.1, однією з ключових умов реалізації метода Ван-дер-Пау і правильності відповідних теоретичних співвідношень є використання чотирьох точкових омічних контактів, розташованих вздовж периметру зразка на його боковій поверхні й на якомога більших відстанях один від одного. Окрім цього важливим є також нехтовно малий вплив супутніх фізичних факторів, котрі обговорювались в підрозділі 2.2.1 методичних вказівок до попередньої лабораторної роботи 2.

Між тим, у реальних умовах вказані контакти мають кінцеву площу, вони не є ідеально омічними, а у випадку плівкового напівпровідникового шару частково виходять і на планарну поверхню зразка. Помітний вплив на величину DU ₂₄ вносять також супутні фізичні фактори. Тому згідно до [6] похибки визначення R_H при використанні формули (3.1) без урахування зазначених вище негативних факторів можуть сягати 100-600 %, а при визначенні ρ за формулою (3.5) – до 40 %. Істотно, що у такому випадку точність визначення μ і N за формулами (3.9) і (3.10) буде відповідно низькою. Але з іншого боку, якщо обставини виключають можливість виготовлення зразків для проведення необхідних досліджень звичайними холловими методами, метод Ван-дер-Пау є корисним навіть при такій низькій точності визначення параметрів ОНЗ за формулами (3.9) та (3.10).

Поряд з цим, значна інформативність і концептуальна простота метода Ван-дер-Пау стали потужним стимулом для наукових пошуків оптимальних співвідношень форм зразків й розмірів контактів, а також способів коректного усереднення результатів вимірів, котрі змогли б забезпечити суттєве підвищення точності визначення параметрів ОНЗ в досліджуваних напівпровідникових матеріалах. На цей час знайдено декілька варіантів конфігурації зразків і контактів до них, а також способів усереднення результатів вимірів, котрі у певній мірі відповідають зазначеній вимозі.

Щодо конфігурації зразків і контактів до них, то найбільш придатними вважаються три типи так званих зразків Ван-дер-Пау, котрі схематично зображено на рисунку 3.2.

Так, наприклад, у випадку зразка типу листа конюшини (фрагмент а рисунку 3.2) з β > 0,1π при довжині кожного з чотирьох прорізів L = 0,9 r похибка виміру DU ₂₄, що зумовлена тільки співвідношенням геометричних розмірів зразка і контактів, складає лише 5 %. У випадку квадратного зразка (фрагмент б рисунку 3.2) при с / а = 1/8 похибка виміру ρ складає 2,5 %, а DU ₂₄ – 10 %. Однією з найбільш вдалих форм зразка є грецький хрест (фрагмент в рисунку 3.2). По-перше, якщо h / w > 1, то зникає необхідність використання поправочної функції f при розрахунку величини питомого опору за формулою (3.5). По-друге, при h / w ³ 1,5 похибка виміру DU ₂₄ становить менше 1 %.

 

 

Рисунок 3.2 – Схематичне зображення зразків Ван-дер-Пау (1 – напівпровідниковий матеріал, 2 – омічні контакти), найбільш придатних для визначення параметрів основних носіїв заряду з достатньо високою точністю: а – лист конюшини (кут β вимірюється у радіанах); б – квадрат; в – грецький хрест

 

Для максимального зниження похибок визначення величин ρ й R_H, зумовлених супутніми фізичними факторами, а звідси – і похибок визначення параметрів ОНЗ, за нижче наведеною методикою усереднення певної кількості експериментальних вимірів на зразках Ван-дер-Пау знаходяться напруги при В = 0 та при В > 0, після чого величини ρ й R_H розраховуються таким чином

, (3.11)

(3.12)

 

Величина визначається за формулою

 

(3.13)

 

Аргументи a_{ρ 1} й a_{ρ 2} поправочної функції f, котра тотожна використовуваній у формулі (3.5) і чисельно подана у таблиці 3.1, знаходяться зі співвідношень

 

, (3.14)

 

, (3.15)

 

а значення і - зі співвідношень

 

, (3.16)

 

(3.17)

 

Величина визначається за формулою

 

, (3.18)

 

а величини і - за формулами

 

, (3.19)

 

(3.20)

 

Знаки при величинах I та В у формулах (3.14)-(3.20) означають теж саме, що і у формулах (2.35) методичних вказівок до попередньої лабораторної роботи 2. Сила струму І, що задається генератором постійного струму, при усіх вимірах підтримується однаковою.

Після визначення таким чином величин ρ і R_H відповідно за формулами (3.11) і (3.12) параметри основних носіїв заряду розраховуються з відносними похибками менше 10 % за формулами

 

(3.21)

та

(3.22)