Операции ТП производства толстопленочных мсб, оказывающие наибольшее влияние на качество мсб

Место	Операции ТП производства толстопленочных МСБ	Место в первом туре
1.	Подгонка резисторов.	1.
2.	Диагностический неразрушающий контроль (ДНК) на операциях.	2
3.	Высокотемпературная обработка РП.	3
4.	Подгонка конденсаторов.	4
5.	Финишный ДНК.	5
6.	Функциональный контроль и функциональная подгонка.	6
7.	Высокотемпературная обработка проводников ВУ.	7
8.	Высокотемпературная обработка проводников НУ.	8
9.	Межоперационный контроль.	9
10.	Высокотемпературная обработка КП.	10
11.	Входной контроль паст.	11
12.	Монтаж компонентов и их контактирование.	12
13.	Очистка подложек.	13
14.	Предварительная термообработка проводников ВУ.	15
15.	Высокотемпературная обработка ИП.	14
16.	Корпусная герметизация.	18
17.	Нанесение резистивной пасты (РП).	16
18.	Предварительная термообработка РП.	17
19.	Приготовление паст.	19
20.	Предварительная термообработка проводников НУ.	23-25
21.	Предварительная термообработка ИП.	21
22.	Лужение паст.	23-25
23-25.	Нанесение проводников верхнего уровня (ВУ).	23-25
23-25.	Нанесение проводников нижнего уровня (НУ).	29
23-25.	Изготовление трафаретов.	26
Окончание табл. 40
26.	Защита плат компаундом (лаком).	20
27-28.	Лужение проводниковых элементов.	27
27-28.	Нанесение изоляционной пасты (ИП).	28
29.	Высокотемпературная обработка подложек.	22
30-32.	Нанесение конденсаторной пасты (КП).	30
30-32.	Контроль качества трафаретов.	32-33
30-32.	Предварительная термообработка КП.	32-33
33.	Контроль подложек.	31
34.	Маркировка.	34

 

 

Таблица 41

Операции ТП производства тонкопленочных МСБ, оказывающие наибольшее влияние на качество МСБ

Место	Операции ТП производства тонкопленочных МСБ	Место в первом туре
1.	Индивидуальная подгонка резисторов.	1
2.	Индивидуальная подгонка конденсаторов.	2
3.	Функциональная подгонка.	3
4.	Электротренировка конденсаторов.	8
5.	Выходной контроль.	6
6.	Напыление диэлектрического слоя конденсаторов.	4
7.	Очистка подложек.	7
8.	Напыление резистивных слоев.	5
9.	Напыление проводников и верхних обкладок.	9-10
10.	Вакуумная термообработка резисторов.	9-10
11.	Напыление проводников и нижних обкладок	13
12.	Электротренировка резисторов.	11
13-14.	Корпусная герметизация.	12
13-14.	Напыление межслойной изоляции	14
Окончание табл. 40
15.	Защита элементов и компонентов лаком (компаундом).	17
16.	Контроль функционирования.	19
17.	Контактирование компонентов (сварка, пайка и др.).	15
18.	Термообработка резисторов на воздухе.	18
19-20.	Контактирование (пайка, сварка и др.) выводов платы с выводами корпуса.	20
19-20.	Контроль подложек.	21
21.	Напыление проводников и контактных площадок.	22
22.	Термообработка конденсаторов в вакууме.	23
23.	Изготовление масок.	16
24.	Обезгаживание напыляемых материалов.	24
25-26.	Напыление подслоя.	25
25-26.	Контроль качества масок.	28-29
27.	Монтаж компонентов.	27
28.	Изготовление испарителей.	26
29.	Контроль напыляемых материалов.	28-29
30.	Монтаж платы в корпус.	30
31.	Напыление защитного слоя контактных площадок.	31
32.	Контроль качества испарителей.	32
33.	Маркировка.	33
34.	Упаковка.	34

 

7.3.Анализ согласованности экспериментальных данных

 

Результаты расчета показателей распределения приведены в приложении ___.

Воспользуемся положением о том, что критическое значение коэффициента вариации равно 33,3%. Исходя из этого можно сделать вывод о том, что оценки большей группы факторов имеют допустимый разброс, что подтверждается и малым коэффициентом интерквартильной вариации.

Хотя некоторые факторы имеют коэффициент вариации больше допустимого предела, проведение третьего тура опроса нецелесообразно, т.к. эксперты пришли к согласию по большинству факторов, а немногочисленные отклонения не играют при этом существенной роли.

Вывод: по итогам второго тура опроса при определении места факторов результаты во многом совпали с результатами первого тура, но существенно улучшилась сходимость оценок. Сходимость результатов во втором туре значительно выше, чем в первом, нет необходимости в проведении третьего тура опроса.