Состав, устройство и принцип действия основной памяти



Мы поможем в написании ваших работ!


Мы поможем в написании ваших работ!



Мы поможем в написании ваших работ!


ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Состав, устройство и принцип действия основной памяти



Запоминающие устройства необходимы для размещения в них команд и данных. Они обеспечивают центральному процессору доступ к программам и информации.

Запоминающие устройства делятся на основную память, сверхоператив­ную память (СОЗУ) и внешние запоминающие устройства.

Основная память включает в себя два типа устройств: оперативное запо­минающее устройство (ОЗУ или RAM - Random Access Memory) и постоян­ное запоминающее устройство (ПЗУ или ROM - Read Only Memory).

ОЗУ предназначено для хранения переменной информации. Оно допус­кает изменение своего содержимого в ходе выполнения процессором вычис­лительных операций с данными и может работать в режимах записи, чтения, хранения.

ПЗУ содержит информацию, которая не должна изменяться в ходе вы­полнения процессором вычислительных операций, например стандартные программы и константы. Эта информация заносится в ПЗУ перед установ­кой микросхемы в ЭВМ. Основными операциями, которые может выполнять ПЗУ, являются чтение и хранение.

Функциональные возможности ОЗУ шире, чем ПЗУ. Но ПЗУ сохраняет ин­формацию при отключении питания (т.е. является энергонезависимой памятью) и может иметь более высокое быстродействие, так как ограниченность функци­ональных возможностей ПЗУ и его специализация на чтении и хранении позво­ляют сократить время выполнения реализуемых им операций считывания.

В современных ЭВМ микросхемы памяти (ОП и СОЗУ) изготавливают из кремния по полупроводниковой технологии с высокой степенью интегра­ции элементов на кристалле (микросхемы памяти относятся к так называе­мым «регулярным» схемам, что позволяет сделать установку элементов па­мяти в кристалле (чипе) настолько плотной, что размеры элементов памяти становятся сопоставимыми с размерами отдельных атомов).

Основной составной частью микросхемы является массив элементов памяти (ЭП), объединенных в матрицу накопителя.

Каждый элемент па­мяти может хранить 1 бит информации, они комплектуются в ячейки, каждая из которых имеет свой адрес. ЗУ, позволяющие обращаться по адресу к любой ячейке в произволь­ном порядке, называются запоминающими устрой­ствами с произвольным дос­тупом.

При матричной орга­низации памяти реализу­ется координатный прин­цип адресации ячеек, в связи с чем адрес делится на две части (две координа­ты) - Х и Y. На пересечении этих координат находится эле­мент памяти, чья информа­ция должна быть прочитана или изменена.

ОЗУ связано с ос­тальным микропроцессор­ным комплектом ЭВМ че­рез системную магистраль (рис.11.1).

По шине правления передается сигнал, определяющий, какую опера­цию необходимо выполнить.

По шине данных передается информация, записываемая в память или считываемая из нее.

По шине адреса передается адрес участвующих в обмене элементов па­мяти. Максимальная емкость памяти определяется количеством линий в шине адреса системной магистрали: если количество линий обозначить т, то емкость памяти (т.е. количество элементов памяти, имеющих уникальные адреса) определяется как 2m. Так, в IBM PC XT шина адреса СМ содержит 20 линий. Поэтому максимальный объем ОП в этих машинах равен 220 = 1 Мбайт. В IBM PC AT (с микропроцессором i80286) СМ содержит 24 линии, поэтому объем ОП может быть увеличен до 16 Мбайт. Начиная с МП i80386, шина адреса содер­жит 32 линии. Максимальный объем ОП увеличился до 232 = 4Г6.

Микросхемы памяти могут строиться на статических (SRAM) и динами­ческих (DRAM) ЭП. В качестве статического ЭП чаще всего выступает ста­тический триггер. В качестве динамического ЭП может использоваться элек­трический конденсатор, сформированный внутри кремниевого кристалла.

Статические ЭП способны сохранять свое состояние (0 или 1) неограни­ченно долго (при включенном питании).Динамические ЭП с течением вре­мени записанную в них информацию теряют (например, из-за саморазряда конденсатора), поэтому они нуждаются в периодическом восстановлении за­писанной в них информации - в регенерации.

Микросхемы элементов памяти динамических ОЗУ отличаются от аналогичных ЭП статических ОЗУ меньшим числом компонентов в одном элементе памяти, в связи с чем имеют меньшие размеры и могут быть более плотно упакованы в кристалле. Однако из-за необходимости регенера­ции информации динамические ОЗУ имеют более сложные схемы управ­ления.

Основными характеристиками ОЗУ являются объем и быстродействие. В современных ПЭВМ ОЗУ имеет модульную, структуру. Сменные моду­ли могут иметь различное конструктивное исполнение (SIP, ZIP, SIMM, DIMM). Увеличение объема ОЗУ обычно связано с установкой дополнитель­ных модулей, которые выпускаются в 30-контактном (30-pin) и 72-контакт­ном исполнениях на 1, 4, 8, 16, 32 и 64 Мбайта. Время доступа к модулям DRAM составляет 60 - 70 нс.

На производительность ЭВМ влияет не только время доступа, но и такие параметры (связанные с ОЗУ), как тактовая частота и разрядность шины дан­ных системной магистрали. Если тактовая частота недостаточно высока, то ОЗУ простаивает в ожидании обращения. При тактовой частоте, превышаю­щей возможности ОЗУ, в ожидании будет находиться системная магистраль, через которую поступил запрос в ОЗУ.

Разрядность шины данных (8, 16, 32 или 64 бита) определяет длину информационной единицы, которой можно обменяться с ОЗУ за одно обра­щение.

Интегральной характеристикой производительности ОЗУ с учетом час­тоты и разрядности является пропускная способность, которая измеряется в Мегабайтах в секунду. Для ОП с временем доступа 60-70 нс и разряднос­тью шины данных 64 бита максимальная (теоретическая) пропускная спо­собность при тактовой частоте СМ 50 МГц составляет 400 Мбайт/с, при частоте 60 МГц - 480 Мбайт/с, при 66 МГц - 528 Мбайт/с в режиме группо­вого обмена, реализуемом, например, при прямом доступе к памяти. Для группового обмена характерно (и это является еще одной характеристикой ОЗУ), что при каждом обращении к памяти для считывания первого слова необходимо больше времени, чем для последующих. Так, при использова­нии стандартной динамической памяти FPM (Fust Page Mode) DRAM на 60-70 нс каждое обращение к памяти в групповом режиме описывается фор­мулой 7-3-3-3, т.е. для обработки первого слова необходимо 7 тактов (в тече­ние 6 из которых СМ простаивает в ожидании), а для обработки следующих трех слов - по 3 такта, по 2 из которых СМ простаивает. Память типа EDO (Extended Data Output) DRAM позволяет уменьшить количество циклов ожи­дания (х-2-2-2, где х - количество тактов, необходимое для обработки перво­го слова). Память типа BEDO (Burst EDO) DRAM обеспечивает обмен по формуле х-1-1-1 для первого обращения и1-1-1-1 -для последующих. При­веденные формулы характерны для тактовых частот до 60 МГц. Синхрон­ная динамическая память (SDRAM - Synchronous DRAM) способна обме­ниваться блоками данных на рабочей тактовой частоте (внешняя частота про­цессора) без циклов ожидания: при времени доступа 10 нс - до 100 МГц, 12 нс - до 83 МГц, 15 нс - до 66 МГц.

Микросхемы ПЗУ также построены по принципу матричной структуры накопителя. Функции элементов памяти в них выполняют перемычки в виде проводников, полупроводниковых диодов или транзисторов. В такой матри­це наличие перемычки может означать «1», а ее отсутствие - «0». Занесение информации в микросхему ПЗУ называется ее программированием, а уст­ройство, с помощью которого заносится информация, - программатором. Программирование ПЗУ заключается в устранении (прожигании) перемы­чек по тем адресам, где должен храниться «0». Обычно схемы ПЗУ допуска­ют только одно программирование, но специальные микросхемы - репрограммируемые ПЗУ (РПЗУ) - допускают их многократное стирание и за­несение новой информации. Этот вид микросхем также относится к энерго­независимым, т.е. может длительное время сохранять информацию при вык­люченном питании (стирание микросхемы происходит либо за счет подачи специального стирающего напряжения, либо за счет воздействия на крис­талл ультрафиолетового излучения, для этого в корпусе микросхемы остав­ляется прозрачное окно).

Сверхоперативные ЗУ используются для хранения небольших объемов информации и имеют значительно меньшее время (в 2-10 раз) считывания/записи, чем основная память. СОЗУ обычно строятся на регистрах и регист­ровых структурах.

Регистры могут быть объединены в единую структуру. Возможности та­кой структуры определяются способом доступа и адресации регистров.

Если к любому регистру можно обратиться для записи/чтения по его ад­ресу, такая регистровая структура образует СОЗУ с произвольным доступом.

Безадресные регистровые структуры могут образовывать два вида уст­ройств памяти: магазинного типа и память с выборкой по содержанию (ассо­циативные ЗУ).

Память магазинного типа образуется из последовательно соединенных регистров (рис.11.2).

Если запись в регистровую структуру (рис.11.2,а) производится через один регистр, а считывание - через другой, то такая память является аналогом линии задержки и работает по принципу «первым вошел - первым вышел» (FIFO - first input, first output).

Если же запись и чтение осуществляются через один и тот же регистр (рис.11.2,б), такое устройство называется стековой памятью, работающей по принципу «первым вошел - последним вышел» (FILO - first input, last output). При записи числа в стековую память сначала содержимое стека сдвигается в сторону последнего, К-го регистра (если стек был полностью заполнен, то число из К-го регистра теряется), а затем число заносится в вершину стека - регистр 1. Чтение осуществляется тоже через вершину стека, после того как число из вершины прочитано, стек сдвигается в сторону регистра 1.

Стековая память получила широкое распространение. Для ее реализации в ЭВМ разработаны специальные микросхемы. Но часто работа стековой памяти эмулируется в основной памяти ЭВМ: с помощью программ опера­ционной системы выделяется часть памяти под стек (в IBM PC для этой цели выделяется 64 Кбайта). Специальный регистр микропроцессора (указатель стека) постоянно хранит адрес ячейки ОП, выполняющей функции вершины стека. Чтение числа всегда производится из вершины стека, после чего указа­тель стека изменяется и указывает на очередную ячейку стековой памяти (т.е. фактически стек остается неподвижным, а перемещается вершина стека). При записи числа в стек сначала номер ячейки в указателе стека модифицируется так, чтобы он указывал на очередную свободную ячейку, после чего произ­водится запись числа по этому адресу. Такая работа указателя стека позволя­ет реализовать принцип «первым вошел - последним вышел». В стек может быть загружен в определенной последовательности ряд данных, которые впоследствии считываются из стека уже в обратном порядке, на этом свой­стве построена система арифметических преобразований информации, изве­стная под названием «логика Лукашевича».

Память с выборкой по содержанию является безадресной. Обращение к ней осуществляется по специальной маске, которая содержит поисковый об­раз. Информация считывается из памяти, если часть ее соответствует поис­ковому образу, зафиксированному в маске. Например, если в такую память записана информация, содержащая данные о месте жительства (включая го­род), и необходимо найти сведения о жителях определенного города, то на­звание этого города помещается в маску и дается командачтение - из памя­ти выбираются все записи, относящиеся к заданному городу.

В микропроцессорах ассоциативные ЗУ используются в составе кэш-па­мяти для хранения адресной части команд и операндов исполняемой про­граммы. При этом нет необходимости обращаться к ОП за следующей коман­дой или требуемым операндом: достаточно поместить в маску необходимый адрес, если искомая информация имеется в СОЗУ, то она будет сразу выдана. Обращение к ОП будет необходимо лишь при отсутствии требуемой информации в СОЗУ. За счет такого использования СОЗУ сокращается число обра­щений к ОП, а это позволяет экономить время, так как обращение к СОЗУ требует в 2-10 раз меньше времени, чем обращение к ОП.

Кэш-память может быть размещена в кристалле процессора (так называ­емая «кэш-память 1 уровня») или выполнена в виде отдельной микросхемы (внешняя кэш-память или кэш-память П уровня). Встроенная кэш-память (1 уровня) в процессорах Pentium имеет объем около 16 Кбайт, время досту­па-5-10 нс, работает с 32-битными словами и при частотах 75-166 МГц обеспечивает пропускную способность от 300 до 667 Мбайт/с. Внешняя кэш-память (П уровня) имеет объем 256 Кбайт - 1 Мбайт, время доступа -15нс, работает с 64-битными словами и при частоте 66 МГц обеспечивает макси­мальную пропускную способность 528 Мбайт/с. Конструктивно исполняет­ся либо в виде 28-контактной микросхемы, либо в виде модуля расширения на 256 или 512 Кбайт.



Последнее изменение этой страницы: 2016-04-07; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.236.222.124 (0.009 с.)