УПТ с гальванической связью между каскадами
Принципиальная схема усилителя постоянного тока с гальванической
связью между каскадами приведена на рис.13.1.
E п
R 1 R к1 R к2
U вых
U вх
R 2 R э1 R э2
Рис.13.1. Принципиальная схема УПТ с гальванической связью между каскадами
Из приведенной схемы видно, что рабочие точки всех каскадов такого усилителя оказываются связанными. Таким образом, на напряжение дрейфа оказывают влияние нестабильности рабочих точек всех каскадов.
Коэффициент усиления каждого из каскадов схемы рис.13.1 определяется выражением:
Пусть транзисторы VT 1 и VT 2 в приведенной схеме идентичны, тогда:
U к1 U б1; U к1 U б2
| (13.4)
| Напряжение на коллекторе первого транзистора равно напряжению на базе второго транзистора и больше напряжения на базе первого транзистора. Для сохранения положения рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора следует увеличивать сопротивление в цепи эмиттера R э.
Следовательно, у последующих каскадов коэффициент усиления уменьшается.
Таким образом, делать усилитель с большим числом каскадов оказывается нецелесообразным. Поскольку номинал сопротивление R э возрастает, то часто вместо этого сопротивления включают стабилитрон.
В каскадах УПТ происходит повышение постоянного потенциала от его входа к выходу, что создает сложности обеспечения рабочей точки активного элемента. Поэтому приходится согласовывать сравнительно большой (по модулю) потенциал на выходе предыдущего каскада с малым потенциалом на входе последующего. Существуют четыре основных метода согласования каскадов:
1) с дополнительным источником напряжения в цепи межкаскадной связи;
2) со стабилитроном в цепи межкаскадной связи;
3) с делителем напряжения и дополнительным источником питания;
4) с каскадом сдвига уровня.
В реальных устройствах, как правило, используется чаще второй способ стабилизации рис.13.2.
E п
R 1 R к1 R к2
U вых
U вх
R 2 R э1 R э2
Рис.13.2. Схема согласования со стабилитроном в цепи межкаскадной связи
Для обеспечения режима работы транзисторов также может быть
использована схема на транзисторах разного типа проводимости рис.13.3.
E п
U вых
U вх
R 2 R э1 R к2 R э3
Рис.13.3 Принципиальная схема УПТ с гальванической развязкой между каскадами на
транзисторах разного типа проводимости
|