Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Особенности расчёта схемы индуктивной ВЧ коррекции в каскаде на
биполярном транзисторе (рис.8.5)
Рис.8.5. Принципиальная схема каскада ОЭ с индуктивной ВЧ коррекцией
Индуктивность L в этой схеме выполняет здесь ту же роль, что и в каскаде с полевым транзистором, – увеличивает сопротивление коллекторной цепи в области верхних частот и этим поднимает усиление каскада на ВЧ. В каскаде с
биполярным транзистором основной причиной снижения усиления на ВЧ является уменьшение крутизны характеристики транзистора.
В качестве нагрузки может быть и последующий каскад. При анализе схемы будем полагать, что модуль сопротивления нагрузки больше, чем сопротивление в коллекторной цепи: Z Н R K. Только в этом случае схема индуктивной ВЧ коррекции будет работать эффективно (в противном случае сопротивление нагрузки будет шунтировать сопротивление коллекторной цепи и увеличение усиления на ВЧ будет незначительным).
Эквивалентная схема каскада с индуктивной ВЧ коррекцией для каскада на БТ имеет такой же вид, как и для каскада на ПТ (рис.8.3).
Выражение для модуля частотных искажений для такой схемы:
цепи.
Условие физической реализуемости выполняется, поскольку показатель степени в знаменателе больше, чем в числителе, следовательно, схема не возбуждается. Приравнивая коэффициенты при одинаковых степенях частоты
в выражении для модуля частотных искажений M в (8.12) получаем выражение для m:
Таким образом, Lopt f R К, то есть сопротивление коллектора влияет на величину оптимального значения корректирующей индуктивности.
ВЧ коррекция с использованием частотно-зависимой ООС
Схема ВЧ коррекции с использованием частотно-зависимой ООС в
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-08; просмотров: 447; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 3.82.232.31 (0.012 с.) |