Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ: АрхеологияБиология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия Экология ТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Частотные свойства биполярного транзистораСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте
Частотные свойства определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов характеризовать зависимостью величин его параметров от частоты. Для биполярных транзисторов используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока в схемах ОБ и ОЭ h21Б и h21Э. Обычно рассматривается нормальный активный режим при малых амплитудах сигнала в схемах включения с ОБ и ОЭ. В динамическом режиме вместо приращения токов необходимо брать комплексные амплитуды, поэтому и коэффициенты передачи заменяются комплексными (частотно зависимыми) величинами: h21Б и h21Э. Величины h21Б и h21Э могут быть найдены двумя способами: -решением дифференциальных уравнений физических процессов и определением из них токов; -анализом Т- образной эквивалентной схемы методами теории электрических цепей. Во втором случае h21Б и h21Э будут выражены через величины электрических элементов схемы. Мы проведем анализ частотных свойств коэффициентов передачи, используя Т -образную линейную модель (эквивалентную схему) n-р-n транзистора (рис. 3.10 и 3.11). На частотные свойства БТ влияют СЭ, СК и rББ, а также время пролета носителей через базу tБ. Нет надобности рассматривать влияние на частотные свойства транзистора каждого элемента в отдельности. Совместно все эти факторы влияют на коэффициент передачи тока эмиттера h21Б, который становится комплексным, следующим образом: , (3.33) где h21Б0 - коэффициент передачи тока эмиттера на низкой частоте, f - текущая частота, f h 21Б - предельная частота. Модуль коэффициента передачи тока эмиттера равен: . (3.34). Нетрудно заметить, что модуль коэффициента передачи h21Б на предельной частоте f h 21Б снижается в раз. Сдвиг по фазе между входным и выходным токами определяется формулой . (3.35) Для схемы с ОЭ известно соотношение (3.36). Подставляя (3.33) в (3.36) получим , (3.37), где . Модуль коэффициента передачи тока базы будет равен . (3.38). Как видно, частотные свойства БТ в схеме ОЭ значительно уступают транзистору, включенному по схеме с ОБ. Граничная частота fГР - это такая частота, на которой модуль коэффициента передачи h21Э =1. Из (3.38) получим, что fГР »fh21Э × h21Э0. Транзистор можно использовать в качестве генератора или усилителя только в том случае, если его коэффициент усиления по мощности КP >1. Поэтому обобщающим частотным параметром является максимальная частота генерирования или максимальная частота усиления по мощности, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Связь этой частоты с высокочастотными параметрами определяется выражением (3.39). где fh21Б - предельная частота в мегагерцах; rББ - объемное сопротивление в Омах; CК - емкость коллекторного перехода в пикофарадах; fМАКС - в мегагерцах.
|
||||
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-06; просмотров: 531; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 18.116.52.29 (0.006 с.) |