Маркировка имс динамической ОП. 


Мы поможем в написании ваших работ!



ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?

Маркировка имс динамической ОП.



Современные ИМС dram имеют t доступа 32-250 нс. Емкость ИМС – 1-1024 Мбит. Разрядн. ячейки: 1, 4, 8, 9, 16, 18, 32, 36, 64.

Последние 3 цифры цифровой части марки- ровки указывают разрядн. ячейки в битах.

0 0 0 – 1 бит 1 0 0 – 1 бит

4 0 0 – 4 бита 1 6 0 – 16 бит

Ненулевое значение последней цифры мо-жет задавать тип памяти, например EDO.

Перед разрядностью ячейки указывается емкость в Мбитах.

Первые одна или две цифры цифровой части указывают на то, что это ИМС ОЗУ.

Перед цифровой частью указывается имя производителя (HM – Hitachi, KM – Samsung, M – Oki, TMM – Toshiba, (n) PD – NEC, MCN – Motorola, WF – Wafer).

Через дефис указывается время доступа в единицах или десятках нс.

WF 26 16 165 BJ - 6

фир- О ем- раз- t доступа 60 нс

ма З ко- рядность 16б

У сть 16Мб

Организация: 1М*16б

1М*2Б

Емкость: 2МБ

У синхронных ИМС DRAM через дефис указывается спецификация, которая опре-деляет тактовую частоту.

10 - 100МГц, 12 - 83МГц, 7 - 143МГц, 8 - 125МГц, 15 - 66МГц, 3х - 300МГц, 4х - 400МГц. Иногда на маркировке ИМС dram указыва-ется организация. В этом случае в цифро- вой части есть буквы: М – мега, К – кило. НМ 4 1М 16 - 60 кол- разр. во ячеек Организация: 1М*16б 1М*2Б Емкость: 2МБ 17.Контроль информации по паритету. Контроль по паритету позволяет обнаружить нечетное кол-во ошибок. передача прием ошибка 0011 → 0001 обнаружена 0011 → 0101 не обнаружена DB DB DP 7 6 5 4 3 2 1 0 К информационному байту добавляется контрольный бит DP. Информационный байт и контрольный бит должны содержать четное кол-во единиц. DB DB DP 7 6 5 4 3 2 1 0 5 0 0 0 0 0 1 0 1 0 7 0 0 0 0 0 1 1 1 1 18.SIMM модули. Шина данных. Шина адреса. Организация. Емкость. Модуль – печатная плата с установлены- ми на нее ИМС памяти. На модулях ОП устанавливаются ИМС динамической ОП. 1)SIMM 30-pin. * Шина данных DB7-DB0 (DIO). Разрядность ячейки 8 бит. Используется контроль по паритету. * Шина адреса MA10-MA0 (A). Разрядность адреса ячейки 2*11=22 бит. Максимальное кол-во ячеек: 222 = 4М. * Организация: 4М*8=4М*1Б. * Максимальная емкость: 4МБ. 2)SIMM 72-pin. * Шина данных DB31-DB0. Разрядность ячейки: 32б = 4Б. Используется контроль по паритету. * Шина адреса MA9-MA0. Разрядность адреса ячейки: 2*10=20 бит. Кол-во ячеек в блоке: 220=1М. * Организация блока: 1М*32б = 1М*4Б * Максимальная емкость блока: 4МБ. На модуле может быть 16 блоков. № блока передается по линиям BS3-BS0. Максимальная емкость модуля: 16 блоков* 4МБ=64 МБ. Организация модулей SIMM.
емко- сть байт Организация
с параметром без параметра
30-pin 72-pin 30-pin 72-pin
256К 1М 2М 4М 8М 16М 32М 64М 256К*9 1М*9 - 4М*9 - - - - - 256К*36 512К*36 1М*36 2М*36 4М*36 8М*36 16М*36 256К*8 1М*8 - 4М*8 - - - - - 256К*32 512К*32 1М*32 2М*32 4М*32 8М*32 16М*32

19.DIMM модули. Шина данных. Шина адреса. Организация. Емкость.

DIMM 168-pin.

Разрядность ячейки 64 бит.

Используется контроль по паритету 64 б + 8 б = 72 бит.

Контроль ECC (Error And Correcting Memory).

ECC позволяет обнаружить и исправить одиночные ошибки или обнаружить двой- ные ошибки.

По внутренней организации близки к SIMM 72-pin, но имеют удвоенную разрядность 8 б и соответственно удвоенное кол-во линий (CAS [7-0], RAS [7-0], WE0#, WE2#), что позволяет организовать модули в виде двух, четырехбайтовых банков.

Ключевые перегородки задают поколение модулей и напряжение питания.

A B


10 11 40 41

 

 

VCc 1е поколение А В 2е поколение А В
3 В   5 В      

Модули DIMM первого поколения.

Адресные и управляющие сигналы буфе- ризированы.

Модули создают минимальную нагрузку на шину памяти.

На буферные ИМС вносят дополнитель- ную задержку ≈ 5 нс.

Модули комплектуются асинхронными DRAM: FPM, EDO, BEDO.

Применяется параллельная идентификация. Параметры быстродействия, объема и тип МС передаются по 8 линиям PD.

Напряжение питания 5 В.

Модули DIMM второго поколения.

Позволяют использовать МС FPM, EDO, SD RAM.

В модулях применена последовательная идентификация параметров. Параметры идентификации хранятся в энергонезави- симой памяти и передаются последова- тельным кодом по интерфейсу I2C.

Существуют модули:

*Unbuffered DIMM, у которых входные и выходные цепи не буферизированы. Эти модули сильнее загружают шину памяти, но позволяют реализовать максимальное быстродействие обычно одного слота.

*Registered DIMM, модули синхронной памяти, у которых адресные и управляю- щие сигналы буферизированы регистрами. Эти модули < загружают шину памяти.

Емкость DIMM-модулей 8-1024 МБ.

DIMM 184-pin.

Устанавливаются ИМС DDR SD RAMM.

Один ключ – между 52 и 53 контактом.

Разрядность ячейки 64 бита.

Используется контроль ЕСС.

Есть варианты с регистрами в адресных и управляющих цепях и без регистров.

Идентификация – последовательная.

Uпит.=2,5 В.

Емкость модулей 256 МБ – 1 ГБ.

DIMM 240-pin.

Устанавливаются ИМС DDR 2 SD RAM.

Ключ один.

Uпит.=1,8 В.

Емкость 256 МБ – 2 ГБ.

20.RIMM модули.

Разрядность ячейки 16 бит.

Устанавливаются на ИМС RD RAM.

Uпит.=2,5 В.

ИМС сверху закрыты крышкой радиатора.

Форм-фактор RIMM – DIMM 168-pin.

В свободные слоты RIMM устанавлива- ются модули без ИМС.

Банк памяти.

Банк – минимальное количество памяти, которое адресует процессор за один раз, что соответствует разрядности шины дан- ных микропроцессора.

Необходимо обеспечить равенство шины данных МП и разрядности ячейки ОП.

Модули ОП в банке устанавливаются для того, чтобы увеличить разрядность ячейки.

Модули в банке работают одновременно, поэтому должны быть абсолютно одина- ковыми.

 

МП Шина данных в битах
Pentium’ы  

Задание: SIMM 2М*36. Организация 2М*4. ШД МП 64. Максимальное кол-во адресов, формируемое контроллером ОП 8 М.

1)Кол-во ИМС на модуле.

Организация SIMM 2 М * 36.

ИМС 2 М * 4

36/4=9 штук.

2)Размер банка по определению банка.

ШД МП 8 Байт.

3)Max. кол-во модулей. Объем ОП.

ШД МП / разрядность ячейки модуля = = 64/32 = 2 модуля.

Емкость модулей * кол-во модулей = = (2М*4Б)*2 = 16 МБ – объем ОП.

4)Кол-во банков.

Max. кол-во адресов ОП / кол-во адресов в банке = 8М / 2М = 4.

5)Max. кол-во модулей. Емкость.

Кол-во банков * кол-во модулей в банке = = 4 * 2 = 8 модулей.

2М*4Б 2М*4Б 0–2М-1

2М*8Б банк 0

4М*8Б

6М*8Б 2М*4Б 2М*4Б 2М–4М-1

8М*8Б 2М*8Б банк 1

2М*4Б 2М*4Б 4М–6М-1

2М*8Б банк 2

 

2М*4Б 2М*4Б 6М–8М-1

2М*8Б банк 3

Емкость = 8 МБ * 8 = 64 МБ.

6)Кол-во слотов.

8 слотов.

7)Используется контроль?

Да – 32+4 контрольных бит = 36.



Поделиться:


Последнее изменение этой страницы: 2017-02-07; просмотров: 182; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы!

infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 34.230.77.67 (0.011 с.)